2023年正帆科技研究报告：如何从拓品的维度再理解正帆？

前言：从拓展品类的维度来理解正帆

市场上对于正帆科技的理解通常较为静态，常从半导体行业周期、在手/新签订单对公司 进行理解过于强调其Capex业务，低估了公司未来成长潜力；我们尝试更加动态地理解 公司，从扩产和拓品来重新思考公司的竞争力：

（1）拓品线：从Gas Box半导体模组零部件，到高稀缺性的半导体前驱体。公司Gas Box 产品自投入市场以来获得客户的广泛认可，根据公司22年8月投资者关系活动记录表，公 司子公司鸿舸（Gas Box供应主体）自21年成立至22年8月份累计收获3亿订单。23年公 司公告拟发行可转债发展半导体前驱体业务，公司前驱体产品将覆盖20余种，涉及硅基、 金属基、High-K、Low-K四大品类，目前正在开始小批量客户导入，预计24年逐步达到 量产，公司有望抓住国产前驱体扩产窗口期实现产品的快速渗透。

（2）扩产线：公司共三次募资投资7个项目，其中3项预计于23H2投产。根据公司可 转债募集可行性报告、简易募集说明书、招股说明书，公司三次募投包括20年IPO项 目、22年简易募投项目、23年拟发行的可转债项目，所涉项目共7项，其中气体项目 包括铜陵特气项目（磷烷）、合肥高纯氢项目（氢气+灌装气）、潍坊大宗气项目（空 分气）、铜陵电子先进材料及气体项目（前驱体材料+电子混合气）、丽水特气项目 （氢气+空分装置），其中前3项均预计于23H2完工，届时公司气体产能将大幅提升。 我们认为，拓品瞄准高精尖赛道，选取低国产化率、高成长性产品突破，打开估值空间； 扩产则持续赋能Opex，增加收入体量，产品规模化带动电子气体业务盈利修复。

1. 拓品打开估值空间

复盘正帆科技的成长，简要分为两个阶段：上市初期，市场对于公司工艺介质供应系统 的定位认知不明，公司估值经历多轮调整；21年3月到22年7月，公司设备类业务逐渐兑 现，股价整体走势与Wind半导体设备指数基本相同，估值波动于35x；22年8月以来，公 司拓展半导体零部件业务并获得市场认可，伴随重估值，之后随着业绩兑现估值消化， 23年8月的估值分位数约为47%。未来，公司稀缺性高的新产品放量，有望重塑估值体系。 公司可比业务的估值分为三档：以PE（FY1）为例，Gas Box（富创精密为代表）、前 驱体材料（南大光电为代表）估值中枢为70x左右，电子特气+电子大宗（金宏气体为代 表）估值中枢约为40x，工艺介质供应系统（至纯科技为代表）估值中枢约为25x。公司 拓展的Gas Box、前驱体材料业务均处于高估值档位。我们认为，公司前驱体产品若验 证、量产顺利，有可能复现22年8月重估值的场景。

2. 扩产完工助力Opex盈利修复

受自产气体业务规模影响，公司毛利率与可比公司存在较大差距，可提升空间大。公司 特气业务包括外购、自产两部分，外购气体（三甲基铝、硅烷等）未经关键生产工艺， 直接以贸易方式销售，毛利率相对稳定；而公司自产气体（磷烷、砷烷等）业务仍处于 高速扩张期，固定费用摊销造成盈利能力承压。气体类项目的特点在于前期较大的资本 投入和后期稳定的现金流，根据公司年报，公司3项气体业务预计于23H2投产，预计随 着公司募投产能放量，气体的盈利能力（22年毛利率为18%）将持续修复，南大光电的 磷烷、砷烷毛利率可作为公司自产特气产品（以磷烷、砷烷为主）毛利率的成长目标。

一、由“卖铲人”到“卖水人”的成长之路

（一）公司是服务于高端制造行业的“卖镐人”和“卖水人”

正帆科技是中国高新技术发展大潮中的“卖镐人”和“卖水人”，公司向泛半导体和生物医 药产业的客户提供制程关键系统、工艺材料、专业运维管理“三位一体”的服务，其中设备 业务面向下游资本开支（Capex），而材料与服务面向存量产能的运营开支（Opex）。 公司具体产品分为工艺介质供应系统、电子气体两大类： （1）工艺介质供应系统：包括高端电子工艺系统、生物制药设备、MRO（维护+ 维护+运营）三类主要产品。根据公司年报，22年公司依托其电子工艺+生物制药 的业务基础拓展泛半导体工艺模组与子系统业务，添补了Gas Box的国产化空白， 并实现向华创、拓荆、中微、晶盛、迈为等客户批量供货。 （2）电子气体业务：根据公司年报、投资者关系活动记录表，公司实施电子特气 （磷烷、砷烷等）+大宗气（氢气、空分气等）双轮驱动布局，新项目扩产持续， 铜陵电子特气、潍坊大宗气、合肥高纯氢气项目都在稳步推进实施并将于23H2逐 步投产释放产能。23年5月公司拟公开发行可转债募资不超过11.5亿元，发展电子 先进材料业务，涉足半导体前驱体材料领域，平台化属性日趋完善。 公司业务根据下游分为泛半导体、光纤通讯和医药制造。根据公司年报，泛半导体 包括集成电路、太阳能光伏、平板显示和化合物半导体，22年营收占比为78%。

获得客户：工艺介质供应系统业务构建公司稳定基本盘，市场认可度高。根据公司 招股说明书，公司的电子工艺、生物制药设备在纯度、工艺、安全角度领先国家标 准，打入中芯国际、京东方等主要客户。结合公司年报、SEMI、CPIA、CINNO数据 并经我们测算， 22年公司工艺介质供应系统相关业务营收占比仍超过90%，中国市 场市占率超过10%。在抢占份额的同时，业务含“半导体”率逐年增加，并纵向外延 至国产化率更低的半导体零部件（Gas Box）领域。 抓住客户：瞄准重点特气突破，外延电子先进材料，增加客户粘性。特种气体市场 的特点为产品品类多，对供应链可靠性要求高，因而国内市场主要被法液空、林德 等海外企业占据；另一方面，产品一旦获得客户认可，为保护供应链和生产节奏，客 户会签订长期协议，客户绑定性会更高。目前，虽然正帆科技在特气领域市占率较 低，但是在磷烷、砷烷等细分领域已具备较强话语权，根据公司年报、募投项目调整 公告，公司磷烷扩产项目预计于23年12月投产，预计年产能增至90吨。

深耕客户：发力电子大宗气，打开成长天花板，远期对标综合解决方案提供商。大 宗气体的壁垒和盈利虽然低于特气，但是市场空间是特气的数倍。特气小批量、多 品类的特征决定了气体供应商难以突破较大份额，而大宗气往往和特气配套使用（如 作为载气），当特气获得客户验证后，将利好大宗气的推广，在单一客户获得更大的 份额。因此，根据各公司年报，正帆、华特等特气公司开始切入大宗气，金宏、杭氧 等特气公司逐渐导入特气。公司远期目标为成为气体综合解决方案的提供商。

（二）丰产品线：瞄准低国产化赛道突破，打开估值空间

1. 公司公告拟发行可转债拓展半导体前驱体，争当行业赶潮人

正帆科技特气制备、介质输送主要技术可迁移至前驱体行业。前驱体的主要技术难 点主要集中在制备、精馏、输送等个环节，与正帆科技的电子特气、工艺介质供应系 统领域的主要技术相对应。其高纯材料合成与分离提纯、介质供应系统微污染控制 等技术为公司前驱体业务发展打好基础。 募投扩产切入前驱体，产品覆盖主要类别。根据公司可转债募集可行性报告，可转 债前驱体募投项目拟在铜陵一期已建、二期预留的基础上，利用一期已建的路网以 及公辅工程设施，新建二期年产890吨电子先进材料及30万立方电子级混合气体项 目，同时为电子、半导体、芯片等各类高端客户提供高纯和超高纯气体现场制气服 务。根据公司中报，公司扩产后前驱体产品将涵盖高K（其中TMA产品为公司原有的 贸易类产品，本次扩产未覆盖）、低K、硅基、金属全类别，持续丰富公司产品矩阵， 并赋能Opex。

本土前驱体产能处在待放量的窗口期。 （1）半导体前驱体行业国产化率仍较低：根据Wind、Global Info Research、雅克 科技购买资产报告书测算（详见本报告P28），22年雅克科技全球市占率为4%-5%， 其主要产能UP Chemical位于韩国，部分产能供给海外，无法满足本土企业的扩产需 求；根据Global Info Research、南大光电可转债募集说明书测算（详见本报告P29）， 21年南大光电在中国半导体前驱体的市占率仅为0.6%，仍处于发展萌芽期，行业头 部企业在国内市场的低渗透表明赛道仍有充足的可替代空间。 （2）可比公司扩产产能尚未释放，公司具备跻身国内头部梯队的潜力：根据雅克科 技购买资产报告书、南大光电可转债募集说明书，雅克科技、南大光电分别于18年、 21年通过收并购、02专项切入前驱体行业（详见本报告P27-31），二者虽切入行业 较早，但是本土产能扩张仍处于待放量期，其中雅克科技国内宜兴工厂产能尚未规 模化放量；南大光电22年前驱体募投项目尚未投产；正帆科技于23年拟发行可转债 扩产前驱体产品，场地沿用铜陵二期预留土地，项目建设期为1.5年，若今年顺利开 工，项目有望于24年底投产，与国内先进材料头部企业并驾齐驱。

2. Gas Box业务快速规模化，业务成长具有双重国产化属性

Gas Box具有高技术门槛和行业壁垒，国内主要供应商为正帆和富创。Gas Box是 一种在半导体工艺设备侧的模组化气体供应系统，是半导体干法工艺设备中极为重 要的通用子系统。Gas Box在为设备制程精密供气的同时还需要防止各种毒性，可燃 性气体的泄漏，具体包含手动/气动截止阀、逆止阀、质量流量控制器、压力调节控 制器、高精密过滤器、垫片、镀银螺帽/螺丝等组件。因其有较高的安全气密性、耐 蚀性、小型化和控制精度要求，故壁垒较高。 国内市场规模50亿元左右，海外供应商份额90%以上。根据公司投资者关系活动记 录表，22年Gas Box的国内市场份额约50亿元，鸿舸（Gas Box供应主体，公司持股 60%）自21年成立至22年8月份，已经累计拿到3亿订单，22年实现净利润813万元， 产品已经向国内头部半导体设备（例如北方华创、拓荆、中微、晶盛等）和光伏电池 片工艺设备厂商（例如迈为等）批量供货，未来还有很大成长空间。

半导体零部件具有双重国产化属性。一方面，零部件下游Beta为设备，设备的国产 化会提高零部件需求量；另一方面，零部件国产化率的提升对整体需求量具有乘数 效应，行业增长进一步提速。 零部件国产化率和设备国产化水平相关，加工件产品优先国产替代。根据中商产业 研究院，各公司年报、招股说明书、投资者关系活动记录表，一般而言，清洗、刻 蚀、CMP等高国产化率设备，零部件国产化导入速度也越快，例如：华海清科零部 件国产化率为75%-80%；中微公司刻蚀机有约60%的零部件国产化，MOCVD有约 80%的零部件国产化；北方华创国内零部件采购比例逐年提升。从零部件品类来 看，加工件壁垒相对较低，替代速度较快；而主控芯片、运动控制等产品壁垒较 高，仍以海外零部件居多。

公司产品是应用于国产化率设备的加工件，国产化进程更为显著。公司产品主要用 于刻蚀、薄膜等设备，目前该类设备国产化率相对较高，契合半导体零部件国产化 主趋势，国产化导入速度可能更为显著。同时，在国产化的初期导入市场，有望增 加与主要客户的绑定，随下游客户共同成长，以半导体模组零部件全球龙头UCTT 为例（Gas Box为模组产品之一），其业绩与半导体设备厂商Lam、AMAT高度绑定，我们预期，随着下游半导体设备国产化趋于成熟，未来正帆Gas Box业务规模 放量后也可能呈现出类UCTT的高粘性成长模式。

（三）强产能线：气体赛道前瞻布局，盈利修复箭在弦上

1.自研气体品类丰富，多扩产项目即将完工

多项气体项目即将完工，标志着公司同时具备特气和大宗气批量生产能力，同时气 体产能大幅提升。根据公司可转债募集可行性报告、简易募集说明书、招股说明书， 公司共三次募集/拟募集资金投资7个项目，气体项目共5项。三次募投包括20年IPO项目、22年简易募投项目、23年拟发行的可转债项目，所涉气体扩产项目共5项，包 括铜陵特气项目（磷烷）、合肥高纯氢项目（氢气+灌装气）、潍坊大宗气项目（空 分气）、铜陵电子先进材料及气体项目（前驱体材料+电子混合气）、丽水特气项目 （氢气+空分装置），其中前3项均预计于23H2完工，届时公司气体产能将大幅提升。 预计于23年底，公司将增加1260万立方/年氢气产能，30万瓶灌装特气产能，21271 万标方/年氧、氮、氩产能，同时磷烷产能增加至90吨/年。

2. 磷烷、砷烷竞相扩产，或率先进入国产化的成熟阶段

高纯磷烷、砷烷市场“小而精”，主要应用于LED和集成电路。磷烷、砷烷的主要销 售下游是集成电路和LED产业，目前LED产业回归稳健增长状态，集成电路产业持续 保持高速增长。根据正帆科技募投项目调整公告引用的力鼎产业研究中心数据，预 计2023年中国磷烷行业市场需求量为241吨，市场规模将增至3.0亿元；至26年需求 量增至279吨，市场规模将增至3.5亿元。根据南大光电可转债募集说明书引用的QY Research数据，2022年全球高纯磷烷、砷烷产量分别为208.6吨、119.1吨，中国地 区高纯磷烷、砷烷产量分别为101.2、56.4吨。

公司磷烷扩产力度大，总产能位居行业前列。根据公司年报、招股说明书、募投项 目调整公告，南大光电年报、可转债募集说明书，正帆科技20年具有磷烷+砷烷合计 产能50吨/年，IPO募投项目新增磷烷产能至90吨/年；南大光电21年磷烷、砷烷销量 合计95吨，并且预计22年产品合计销量将超过100吨，可转债募投项目新增磷烷、砷 烷产能各70吨/年。结合前文统计，若采用力鼎产业研究中心数据，26年中国磷烷市 场空间为279吨；正帆科技扩产项目完工后磷烷满产产能90吨/年；假设南大光电21 年磷烷、砷烷产能各占一半（各约50吨/年），则扩产项目完工后磷烷满产产能约120吨/年；按照现有产能规划测算，26年南大光电、正帆科技总满产产能可覆盖43%、 32%的中国市场总需求。 对标南大光电，公司特气规模化后毛利率仍有较大的提升空间。根据南大光电可转 债募集说明书，19-21年，南大光电高纯磷烷的毛利率平均水平为51.9%，高纯砷烷 为54.9%，22年南大光电特气业务的综合毛利率为48.9%；而22年正帆科技特气业务 的综合毛利为17.7%，主要系正帆科技特气自产类特气正处于高速扩张阶段，固定费 用摊销影响毛利率，随着公司磷烷项目投产，产品毛利率有望向南大光电看齐。

（四）多下游线：强半导体，Capex 业务基本盘稳定

1. 新签&在手订单充足，业绩能见度高

业绩保持高速成长，23H1业绩表现亮眼。根据Wind，17-22年公司营业收入CAGR 达30.8%，归母净利润CAGR达53.3%。23H1公司实现营业收入13.4亿元，同比 +42.6%；实现归母净利润1.5亿元，同比+183.5%，业绩高增长趋势持续。 22年公司新签订单是营业收入的1.5倍，在手订单以集成电路行业订单为主。根据公 司年报、中报、投资者关系活动记录表、在手订单自愿披露公告， 22年公司新签订 单41.3亿元，同比+52.5%，是营业收入的1.5倍；23H1公司新签订单35.9亿元，同 比+79%，其中来自于半导体、光伏行业的新签订单分别同比+77%、+179%；23年 6月底公司在手订单56.3亿元，同比+74%，订单依然保持较高增速。公司在手订单 主要来自于Capex业务，以22年9月底在手订单结构为例，集成电路和光伏行业订单 合计贡献超70%。

2. Capex业务贡献公司主要营收和利润，下游结构持续改善

公司气体业务仍在培育期，而坚实的Capex业绩基础为公司发展保驾护航。根据 Wind，分产品看，工艺介质供应系统营收占比超过90%，毛利率高于气体。22年公 司电子工艺设备营收占比为70.2%，该业务毛利率为27.7%，高于公司的综合毛利率。 分下游看，集成电路领域的营收占比由17年的15.7%提升至22年的39.8%，占比创历 史新高；在光伏等其他行业，公司适当收缩业务增速而更多承揽高盈利项目；下游 结构性调整带动22年公司综合毛利率达27.5%，较17年+6.3pct。

二、前驱体行业：薄膜沉积主要材料，本土企业发力

（一）半导体前驱体主要用于薄膜沉积环节，产品种类繁多

1. 前驱体主要用于薄膜沉积环节，研发壁垒高且验证周期长

半导体前驱体是半导体主要材料的一种，主要用在薄膜沉积环节。根据Global Info Research、南大光电可转债募集说明书，半导体前驱体材料是携带有目标元素，呈 气态、易挥发液态或固态，具备化学热稳定性，同时具备相应的反应活性或物理性 能的一类物质。半导体前驱体是薄膜沉积工艺的主要材料，是用于形成符合半导体制造要求的各类薄膜层的主要原材料。此外，前驱体也可用于半导体外延生长、蚀 刻、离子注入掺杂等，是半导体制造的主要材料之一。

半导体薄膜沉积包括PVD、CVD、ALD三种技术路线，其中ALD、CVD为前驱体的 主要应用领域。根据雅克科技购买资产报告书，原子层沉积（ALD）是通过将气相前 驱体脉冲（pulse）交替地通入反应器并在沉积基体上吸附、反应而形成薄膜的一种 技术。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清扫（purge）， 然后循环往复形成多层薄膜；化学气相沉积（CVD）是利用气态物质通过化学反应 在基底表面形成固态薄膜的一种成膜技术，前驱体用于预先吸附于基底表面，进而 推进化学反应形成薄膜。 前驱体还可拓展应用于泛半导体领域，如应用于OLDE的TFE（薄膜封装技术）。通 过PECVD、ALD制造工艺，在有机发光层之上沉积一层/多层的有机/无机薄膜（一般 有机层和无机层交替进行），获得良好的封装性能，实现水汽阻隔，延长有机发光物 质寿命。

前驱体产品对化学特性和纯度要求高。根据袁军平等学者在《表面技术》发表的《原 子层沉积前驱体材料的研究进展》，对于ALD工艺，前驱体的选择通常需要满足以下 要求：（1）反应前：在沉积温度下具有足够的蒸汽压，以保证其能充分覆盖基底材 料表面，同时前驱体有良好的挥发性、化学稳定性，利于实现反应剂的有效传输，不 会在反应器和衬底材料表面发生自分解；（2）反应中：高反应性，保证其在基底表 面迅速发生化学吸附，或与材料表面基团快速发生有效的反应，从而使表面膜具有 高纯度；（3）反应后：反应产物呈惰性，反应副产物对基底和表面膜没有腐蚀性， 且易与反应物分离，不会引入新的杂质。

前驱体产品具有准入门槛高、研发投入大、客户认证周期长等特点。前驱体较为特 殊的化学属性对其制备、精馏、运输等提出较高要求，具有一定的验证和研发壁垒； 同时，前驱体作为集成电路制备过程中的重要反应物，与晶圆良率直接挂钩，验证 难度大且客户不会轻易更换供应商，根据雅克科技投资者关系活动表，前驱体的产 品研发是跟客户端及产品、技术迭代配套，需要提前针对客户端新产品、新需求进 行研发，从前驱体的选用到量产最起码需要五年的时间。

2. 前驱体种类繁多，其重要性随着集成电路制程演进而增加

根据形成薄膜的材料属性划分，可以分为硅前驱体和金属前驱体。根据雅克科技购 买资产报告书，南大光电可转债募集说明书，硅前驱体包括HCDS（六氯乙硅烷）、 4MS（四甲基硅烷）、TEOS（原硅酸乙酯）等材料，用于多晶硅/氧化硅/氮化硅薄 膜沉积，用来辅助半导体存储、逻辑芯片制造光刻工艺中的微影技术的实现，同时 还可以形成栅极侧壁用来保护栅极；金属前驱体包括TiCl4（四氯化钛）、HfCl4（四 氯化铪）等产品，主要用于半导体存储、逻辑芯片中的电容电极、栅极过渡层、隔离材料以及相变存储器中的相变材料。 根据集成电路晶圆制造工序划分，可分为高K前驱体和低K前驱体。根据雅克科技购 买资产报告书，南大光电可转债募集说明书，K即介电常数，用于衡量一种材料存储 电荷（正电荷或者负电子）的能力，高K前驱体TiCl4（四氯化钛）、TMA（三甲基 铝）等产品，用于形成集成电路中的电容介质或栅极电介质；低K前驱体包括4MS（四 甲基硅烷）、OMCTS（八甲基环四硅氧烷）等产品，用于集成电路后端布线工序BEOL 中金属连线之间的绝缘介质。 一般而言，高K前驱体的壁垒高于低K，且随着集成电路向更先进制程演进，前驱体 材料种类将变化，制造难度将增加。

前驱体材料的重要性随着集成电路制程演进而增加。根据南大光电可转债募集说明 书：（1）高K前驱体：高K金属栅极（HKMG）晶体管是集成电路制程进入28nm的 重要材料，传统二氧化硅栅极晶体管在28nm制程后漏电情况大幅增加影响芯片性能， 而高K金属栅极（HKMG）晶体管则有效解决了这一问题。（2）低K前驱体：随着集 成电路制程缩短，新前驱体材料的K值逐步降低。随着集成电路制程从微米级进入到 纳米级，金属绝缘介质材料从二氧化硅，到引入氟元素（SiOF）、引入碳氧元素 （SiCOH，即4MS），又在45nm以下升级为多孔SiCOH（porous SiCOH，即 DEMS/ARTP），K值降到了2.45左右。28nm以下集成电路制程中，二乙氧基甲基硅 烷（DEMS）/ a-松油烯（ARTP）等前驱体材料得到广泛应用。 此外，集成电路14nm以下支撑所需的鳍式场效应（FinFET）晶体管需要能够填充3D 高纵深比沟槽的前驱体材料来制造。根据南大光电可转债募集说明书中引用的微导 纳米、拓荆科技数据估算，在5nm以下FinFET工艺产线中，需使用超过100道薄膜 沉积工序，涉及的半导体前驱体材料将由6种增加到近20种。

（二）前驱体市场小而品类多，国际化大企业具备规模优势市占率高

1. 22年全球半导体前驱体市场规模24亿美元，约占半导体材料的3%-5%

国内晶圆厂存量产能释放需求，国产材料验证导入机会增加。中国IC晶圆产能提升 速度持续快于全球，带动产能占比提升，根据IC Insights的数据，2021年，全球晶圆 产能约2160万片/月（8寸约当），同比增长3.8%，中国大陆晶圆产能350万片/月（8 寸约当），同比增长9.9%，在全球的占比约16.2%。根据SIA的数据，伴随着中国大 陆晶圆产能的持续快速扩张，2030年，大陆晶圆产能在全球的占比有望达24%。半 导体材料与晶圆厂Opex相关，需求的增长更加稳定，本土产能增加增加本土材料厂 商验证导入机会，因此，以正帆科技、南大光电、华特气体等企业为代表的高端电子 材料企业近年纷纷募集资金扩产先进材料，在产能端充分准备，为后续产品验证放 量奠定基础。

半导体前驱体约占半导体材料市场空间的3%-5%。根据Semi数据，21年，全球、中 国半导体材料市场空间为643、119亿美元，其中涉及的材料众多，其中硅片、特气、 光掩膜为前三大材料，占比为35%、13%、12%。21年，全球、中国半导体前驱体 市场空间为19.4、6.5亿美元，可测算出半导体前驱体约占半导体材料市场空间的3%- 5%。

根据Global Info Research数据，21年全球、中国半导体前驱体材料市场规模为19.4、 5.9亿美元。全球半导体前驱体材料市场空间预计由21年的19.4亿美元增长至28年的 44.3亿美元，期间CAGR为12%；中国市场空间预计由21年的5.9亿美元增长到28年 的11.6亿美元，期间CAGR为10%。 分品类看，高K前驱体和金属前驱体市场占比较高。根据Global Info Research数据， 22年全球高K前驱体和金属前驱体市场空间分为别8.2、6.6亿美元，合计占比达61%，随着集成电路向先进制程演进加快，其占比将持续提升，预计29年合计占比达76%。

2. 国际化大企业占据主要份额，先进制程产品国产化率更低

22年全球半导体前驱体材料CR3达69%，海外企业占据主要市场份额。根据Global Info Research数据，国际半导体前驱体主要厂商主要有两类，一类为国际化大企业， 旗下相关业务部门从事前驱体材料的研发和生产，如德国默克（Merck）、法国液空 （Air Liquide）、美国英特格（Entegris）等；一类为韩国专注半导体材料的公司，主 要有SoulBrain、UP Chemical和DNF等，主要受益于韩国半导体行业的大发展。根据 南大光电可转债募集说明书，国内企业中雅克科技于2016年通过收购韩国UP Chemical进入该领域，南大光电、安徽博泰电子材料有限公司、合肥安德科铭半导体 科技有限公司等也已实现半导体前驱体产品的销售，但整体而言国内企业在半导体 前驱体行业与国外龙头仍有较大差距。根据Global Info Research数据，22年半导体 前驱体材料前三名分别为德国默克、法国液空、韩国SK材料，市占率分别为33%、 29%、7%。

先进制程前驱体材料国产化率更低。从产品角度看，以硅基前驱体为例，根据常欣 等学者在《半导体技术》上发表的《先进硅基前驱体的应用研究与技术进展》，45nm 以上的硅基前驱体已有自主研发产品，处于国产化主要对象；14-28nm产品自主研 发产品处于空白，制备技术研发起步阶段；而7nm及以下的前驱体产品自主研发产 品处于空白，是未来研发重点的方向。

（三）国内企业通过收购和自研切入市场，纷纷进行产能扩张

1. 雅克科技：全球五大前驱体生产商之一,覆盖了全球前十大半导体客户

雅克科技通过资本运作囊入半导体前驱体业务，并逐渐与子公司实现生产和业务协 同，推动产品本地化落地。根据雅克科技年报、投资者关系活动记录表、购买资产报 告书，其前驱体的发展历程可以分为三个阶段： （1）收购：2018年，雅克科技通过发行股份的方式收购江苏先科（实际经营主体为 UP Chemical），并持有其全部的股权，UP Chemical是前驱体领域全球领先的制造企业，其产品广泛用于集成电路、OLED等领域； （2）生产&渠道融合：在海外子公司技术加持下，2020年雅克科技的High-K材料便 获得了长江存储、合肥长鑫、中芯国际、华虹等主流芯片制造商的订单，同时雅克科 技与海外子公司在生产、渠道上相互协同，江苏先科开拓国内市场，而UP Chemical 负责海外市场。 （3）扩产及本地化：随着国内长存、长鑫等客户产能扩大，雅克科技利用国内生产 成本比韩国更低的优势，投资20亿元在宜兴进行前驱体产能扩张，设计产能450T/年， 目前，江苏先科宜兴工厂的一些产品已经在客户端做测试，预计23Q4可以给客户做 商业化的量产供应。 根据雅克科技年报，截至2022年底，雅克科技的前驱体产品在DRAM可以满足全球 先进存储芯片制程1b、200X层以上NAND、逻辑芯片3纳米的量产供应，完全满足国 内所有技术节点的客户需求，主流产品国内进入放量阶段，产品销量和竞争力稳居 市场前列。

UP Chemical是全球前驱体材料前五大供应商之一。根据雅克科技购买资产报告书， UP Chemical主要产品分为SOD（应用在半导体存储芯片的浅沟槽隔离中作为隔离 填充物）和前驱体两大类，其中前驱体覆盖了HIGH-K、硅类、金属类多类别，主要 应用于IC制造的旋涂、CVD、ALD等成膜工艺，形成芯片结构中的介电层和导电层 等，还可用于显示领域（OLED水汽阻隔薄膜涂层前驱体、OLED气体扩散阻隔膜前 驱体等）、光伏（钝化发射极及背局域接触电池等）以及工业领域（工业金属、玻璃 涂层材料等）。 22年UP Chemical在全球半导体前驱体领域的市占率约为4%-5%。根据雅克科技购买资产报告书，2015-2017H1，UP Chemical前驱体相关业务营收占比为60%-65%， 假设22年UP Chemical前驱体业务营收占比与历史相似，忽略非半导体领域的应用； 根据Wind数据，22年韩国先科的营业收入为11.8亿元，不考虑韩国先科中UP Chemical（韩国先科的经营主体）以外的收入，则可测算出22年UP Chemical半导 体前驱体领域营收约为7-8亿元；根据Global Info Research数据，22年全球半导体 前驱体市场空间为24.4亿美元；假设美元人民币汇率为7，则可算出22年UP Chemical在全球半导体前驱体领域的市占率约为4%-5%。 UP Chemical客户集中度高，雅克科技助力业务推广。根据雅克科技购买资产报告 书，2015-2017H1 SK海力士均为UP Chemical主要客户，营收占比分别为82%、89%、 69%。雅克科技进入以后，逐步拓展长存、长鑫、中芯等中国客户，UP Chemical业 务体量扩大，营业收入由16年的3.5亿元增至22年的11.8亿元，期间CAGR为22.3%。

2. 南大光电：通过自研和专利收购发展前驱体，24年中国市占率有望提至3%

南大光电通过自主研发和专利收购掌握主要技术，产品覆盖高K、低K、金属、硅四 大类。根据南大光电年报、可转债募集说明书，南大光电产品发展历程为： （1）02专项：16年，南大光电承接国家02专项“ALD金属有机前驱体产品的开发和 安全离子注入产品开发”项目，并在2021年1月完成项目验收，成功研发了适合20- 14nm产品工艺的低温-氮化硅ALD前驱体产品以及金属前驱体产品。 （2）专利收购：20年，南大光电向美国杜邦（DuPont）旗下DDP南大光电收购了19 项先进硅前驱体专利，基于这些专利基础上进一步研发的多款先进硅前驱体产品， 可满足14nm/7nm制程芯片和先进3D闪存制造需要的关键薄膜工艺。 （3）募投扩产：22年，南大光电发行可转债募投扩产先进前驱体共计45吨/年，包 括应用于14nm/7nm先进制程集成电路所需的4种半导体前驱体产品，南大光电前驱 体产品逐渐体系化。

南大光电扩产进军先进制程前驱体，募投产能目标45吨/年。根据南大光电可转债募 集说明书，南大光电已在半导体前驱体材料已进行丰富的布局，产品包括硅酸乙酯 (TEOS)、四氯化钛（TiCl4）等，目前主要产品用于28nm及以上制程集成电路，体 量规模较小。通过本次募投项目建设，公司将实现在14nm/7nm先进制程集成电路使 用的高端前驱体材料产业化布局，推动我国先进制程半导体材料的国产化。同时， 22年南大光电发行可转债对半导体前驱体、磷烷/砷烷、三氟化氮三种先进材料进行 扩产，其中前驱体项目投资1.1亿元，主要扩产应用于14nm/7nm先进制程集成电路 所需的4种半导体前驱体产品，具体涵盖硅前驱体、高K前驱体两大类，产能目标45 吨/年，在其原有的前驱体产品基础上品类持续丰富。 预计24年南大光电中国、全球半导体前驱体市占率为3.5%、0.9%。根据南大光电可 转债募集说明书，21年南大光电半导体ALD/CVD前驱体业务（不含MO源）营收为 0.26亿元，募投项目拟量产45吨半导体前驱体材料，预计2024年销售额约为1.66亿 元；根据Global Info Research数据，21、24年中国半导体前驱体市场规模分别为5.9、 7.8亿美元，全球市场规模分别为19.4、29.8亿美元；假设美元人民币汇率为7，可测 算出南大光电在中国半导体前驱体领域的市场份额将由21年的0.6%增长至24年的3.5%，全球份额将由21年的0.2%增长至24年的0.9%。

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