2026年科技行业SEMICON China 2026：先进封装与光互连引领AI半导体新周期

观察#1：AI 需求驱动万亿美元市场或提早四年到来

半导体行业或提早四年达到 1 万亿美元规模

SEMI 预计 2026 年全球半导体市场销售额将继续保持强劲增长至 9,750 亿美元，同比增长 23%，较此前“2030 年万亿美元”的预测提前约四年。这一里程碑式的突破，核心驱动力 来自生成式 AI 相关需求的强劲增长。

先进工艺逻辑：Token 用量快速增长，先进逻辑产能供不应求

海外方面，全球算力产能严重不足。台积电先进工艺及 CoWoS 产能持续紧张，难以完全 满足下游需求。与此同时，3nm/2nm/DRAM 1c 投资提速，推动光刻强度边际回升，设备 需求持续增长。此外，Intel 是否能重返代工/先进封装业务以及特斯拉 Terafab 进展值得关 注。 国内方面，Agent AI 趋势兴起后算力同样供不应求。DeepSeek 等国产大模型的突破推动 了推理侧需求增长。通过拜访中微、盛美、拓荆、华峰等设备厂商，我们对中国半导体制 造端资本开支更为乐观。SEMI 数据显示，中国在 22-40nm 主流制程的全球产能份额或将 从 2026 年的 37%提升至 2028 年的 42%。

存储量价齐升是行业超预期增长的主要动力

存储量价齐升是半导体行业超预期增长的主要动力之一。TrendForce 预测 1Q26 DRAM 合 同价格环比上涨 90-95%。据 Digitimes，2Q26 DRAM 价格可能进一步上涨 70%，IDC 认 为短缺或持续至 2027 年。我们认为，除非消费电子需求出现显著下滑，否则涨价和供不应 求情况有望持续全年。Omdia 在 SIIP 论坛上指出，HBM 生产对传统 DRAM 和 NAND 产能 产生了挤出效应，汽车、工控、消费电子 DRAM 配额受到严重挤压，汽车行业面临供应危 机。

全球晶圆厂产能扩张与中国市场份额提升

据 SEMI，全球晶圆厂产能从 2020 年的 2,510 万片/月增长至 2030 年的 4,450 万片/月 （CAGR约5.9%）。中国产能从490万片增长至1,410万片（市场份额从20%提升至32%）。 美洲从 280 万片增至 510 万片（2025-2030 年 CAGR 约 9%），欧洲从 230 万片增至 410 万片（2025-2030 年 CAGR 约 5.3%）。到 2028 年，全球新建晶圆厂 108 座，其中中国大 陆 47 座（占 44%）。

观察#2：先进封装热度高，关注中国市场投资机会

先进封装是延续摩尔定律的关键技术

随着传统工艺微缩逐渐逼近物理极限，先进封装已成为延续摩尔定律、实现算力持续提升的 关键技术路径。据 Yole，全球先进封装市场规模从 2024 年的 460 亿美元增长至 2030 年的 790 亿美元，2.5D/3D 集成是增速最快的细分领域，CAGR 约 17%，高端封装（含 2.5D/3D、 大型SiP等）在先进封装市场中的份额或将从2024年约18%大幅提升至2030年约36%。 2.5D interposer 生态正在多元化发展：硅中介层（10 年+量产，最成熟）、有机中介层（RDL 方案）、EMIB（Intel 专有，已商业化）、玻璃中介层（新兴方案，大尺寸必需）、光子 IC 中 介层和化合物半导体中介层（SiC 等高速方案）等方案已逐步应用。台积电 CoWoS 家族包 括 CoWoS-S（硅中介层）、CoWoS-R（RDL/有机）和 CoWoS-L（局部互连），已在头部 AI 芯片客户中广泛应用。

面板级封装与玻璃基板技术重要性提升

当封装尺寸达到 6 倍掩膜版以上，12 英寸圆形晶圆面积浪费大，成本直线上升。面板级封 装采用大面积方形面板（510x515mm 或 600x600mm），显著提升面积利用率。先进封装 论坛上，多位嘉宾讨论了面板级封装的关键挑战，包括大面板翘曲控制、Chiplet 微米级贴 装精度、2 微米以上超细互连线宽良率控制等。我们认为，面板级封装已经成为共识，建议 关注材料、设备领域的增量机会。

中国先进封装："晶圆厂补位+OSAT 扩产+设备国产化"三方协同

中国先进封装产业已进入“晶圆厂向先进封装延伸+OSAT 扩产+设备国产化”的协同发展 阶段。本次先进封装论坛中，武汉新芯介绍了其 3DLink 平台（基于 W2W 与 D2W 混合键 合技术），并展示了在存算一体、大容量存储及 3D 集成等方向的应用进展。2026 年 1 月 29 日，中芯国际先进封装研究院正式揭牌，晶圆厂（如中芯国际、华虹）在先进封装领域 的布局持续深化。 封测环节方面，长电科技具备 XDFOI、2.5D/3D 及 SiP 等系统级封装能力，覆盖 AI、HPC、 通信及存储等领域客户；通富微电在 FCBGA、Fan-out 及 SiP 等方向持续推进，并深度参 与 CPU/GPU 相关封装业务；盛合晶微在 bumping、TSV 及基于 RDL 的 Fan-out 等先进封 装技术方面具备较强能力。

后道设备国产替代与封测估值重估

当前中国封测企业的估值水平显著低于代工和前道设备企业。随着先进封装在 AI 时代的战 略地位持续提升，以及未来盛合晶微上市带来的板块关注度提升，封测企业的估值有望迎 来重估。此外，建议关注后道设备在先进封装领域的价值增量和重估，相关公司包括 ASMPT、 Besi 等。

参会企业最新进展

北方华创

北方华创在先进封装论坛上展示了其三维集成六大类设备布局。在 3D 集成及先进封装领域， 北方华创除光刻和 CMP 外基本实现全套设备覆盖。混合键合方面，北方华创推出了针对 12 英寸晶圆的高端混合键合设备，分为 D2W 和 W2W 两款主力机型。除了核心的键合设 备，北方华创为整个 3D 集成工艺链提供了丰富的产品线，特别是在 TSV（硅通孔）及晶 圆背面工艺方面。

中微公司

中微公司在先进封装领域，尤其是涵盖 HBM 工艺的相关制程设备方面已全面布局，产品包 括刻蚀、CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）及晶圆量测检测设备，且公司已正 式发布了 CCP 刻蚀系统以及 TSV 深硅通孔设备。

盛美上海

盛美已形成覆盖清洗（单片/槽式）、电催化、先进封装设备等核心品类的完整产品生态，在 国内外主要晶圆厂均有量产验证，正持续拓展海外市场和先进工艺客户。其中面板级水平 电镀设备，针对半导体制造过程中面板级封装环节的技术难题，提出了创新性的解决方案， 可用于 RDL 的 Cu 电镀以及 bump，Cu/Ni/SnAg 的电镀。

拓荆科技

在 3D-IC 先进封装领域，拓荆科技展示了多款键合与剥离设备。Volans 300 键合空洞修复 设备专为解决 3D-IC 键合界面空洞问题而设计，可显著提升 HBM、芯片三维集成等产品的 良率和产线稳定性，体现了公司在键合技术上的引领能力。Pleione 300 HS 芯片对晶圆 （C2W）熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度，支持自动更换拾取与键合模组，适用于 HBM 和异构集成应用。此外，Lyra 300 EX 晶圆激光剥离设备应用于先进逻辑（BSPDN） 和存储（VCT）背面工艺，提供无金属污染、低应力、无热影响的完整解决方案。

编辑：火腿肠