2026年电子行业年度策略：AI开启新一轮硬件通胀，国产算力加速突围

半导体：AI 爆发助力行业景气上行，国产替代进入深水区

1.1 存储：推理及计算驱动存储进入超级周期

大模型走向数据竞赛，全球 CSP 资本开支加速。大模型发展正从早期的参数竞争转向数据竞争。以 LLM 为代表的生成式 AI，正逐步从基础模型阶段向AI 智能体、物理AI 等更复杂的形态演进，整体算力需求进入爆发式增长阶段，根据华为预测，2035 年全社会的算力总量将较 2025 年增长 10 万倍达 10²⁷ FLOPS。全球 CSP 加大支出力度建设AIDC、算力集群等基础设施以应对 AI 需求，根据 Trend Force 预测，2026 年全球八大CSPs 资本支出增加至7100亿美元以上，从 2026 财年北美 CSP 业绩会指引来看，AI 资本开支再提速，以Meta 为例，Meta将资本开支指引提升至 1150 亿-1350 亿美元，较 2025 年 700 亿元提升50-80%。

大模型及 AIDC 建设推动 DRAM 及 NAND 需求激增。训练侧大模型上万亿级的参数量对内存容量需求提升，GPU 高度并行计算的提升速度导致的“内存墙”压力进一步推高对存储的大容量、高带宽需求。推理侧多模态输入输出及长上下文推理形成的大量KV缓存叠加用户生成内容留存需求进一步消耗存储空间。受训练与推理双重驱动，AIDC 的算力集群在建设中必须配套高带宽内存 HBM 与大容量高速 eSSD 以实现低延迟数据供给与存算协同，进而带动存储市场价格整体上涨。根据 Counterpoint 统计，2026 年一季度内存价格环比涨幅达80%-90%，Trend Force 预测 2026 年全球内存市场规模将达 5516 亿美元，2027 年同比增速预计为53%。

AI 驱动 HBM 需求，行业供需持续紧张。AI 计算需大量高带宽读写参数与KV缓存，HBM通过 3D 堆叠、TSV 可以突破传统内存带宽瓶颈，实现超高带宽、低延迟、低功耗需求。当前市场由 SK 海力士、美光、三星垄断，受先进封装配套产能扩张慢、3D 堆叠工艺高良率壁垒及晶圆厂扩产周期制约，HBM 短期供给弹性不足。根据 Trend Force 预测，2026 年预计HBM容量供给增长 32%。需求侧呈现高度集中态势，英伟达、AMD、谷歌、AWS 等头部AI 算力厂商合计占 HBM 需求量 90%，AI 上行周期下，为维护存力高速增长需求及库存安全，CSP会采购比实际消耗量更多的 HBM，进一步加速供需缺口。根据SEMI 预测，HBM缺口预计从2025 年的约 5%扩大至 2026 年的约 6%，并在 2027 年进一步扩大到约9%。

HBM 挤占通用存储产能，DRAM 短缺持续演进。随着AI 发展，HBM爆发式增长直接挤压了通用 DRAM 的市场空间，三星、美光、海力士逐步退出利基型存储产品生产，将产能转向数据中心、AI 服务器等高利润率领域，PC、移动设备、传统服务器的DDR4、DDR5及利基型 DRAM 产能短缺。根据 Trend Force 预测，全球前五大DRAM厂商非HBM晶圆产能占比将从 81%缩减至 76%，非 HBM 带来的收入将从 67%减少至59%。需求端，AR眼镜、折叠屏手机等新型端侧支撑消费电子领域需求，OEM 厂商为抢占市场倾向于签订长协锁定产能进一步压缩存储产品市场流通，根据 Omdia 预测，预计 2026 年全球服务器DRAM需求增长27%至 18843MGB，而移动设备、PC、智能汽车及其他领域 DRAM 需求增长11%至22265MGB。

NAND 产能挤压，SSD 供需失衡加剧。AI 推理需求正重构存储架构，大模型推理高度依赖大量 KV 缓存和向量数据的低延迟检索，推动具备超高 IOPS 与微秒级访问延迟的SSD成为热数据与温数据层的主力介质。黄仁勋在 2026 年 CES 上提出Rubin 的上下文内存存储（ICMS）架构，通过设立本地、机架级存储，解决 AI 推理中 KV Cache 束缚，从而进一步提升SSD需求，根据 TrendForce，2025 年-2028 年 AI 将大幅带动 eSSD 增长。但供给端SSD受制于存储厂商在审慎扩产、业务重心向高附加值产品倾斜以及 3D NAND 技术向更高堆叠层数迁移带来的资本与工艺爬坡压力制约，产能释放节奏将相对滞后，TrendForce 预计2026 年NAND产业资本开支仅增长 5%。我们认为产能释放进度大幅迟滞于 Rubin 的ICMS 架构需求，Nand缺货态势将持续。

1.2 芯片：AI 需求与国产替代双轮驱动推动芯片景气度提升

国内算力需求释放，国产算力芯片加速崛起。随着国内AI 大模型推理应用爆发、AIDC规模化建设及国产 AI 芯片渗透率快速提升，中国加速算力服务器需求快速释放。根据IDC统计，2025H1 中国加速服务器市场规模达到 160 亿美元，同比增长超100%，预计到2029年，中国加速服务器市场规模将超过 1400 亿美元。强劲的算力需求叠加美国对华高端芯片出口管制，正倒逼中国加速 AI 芯片的量产并实现先进工艺的国产替代。例如，中科曙光部署的3套万卡超集群在国家超算互联网核心节点投入运营，并支持多品牌、多技术路线的国产AI 卡混合部署与统一调度，国产算力芯片进入高速发展期。

高压直流（HVDC）应用、成本上涨，功率器件量价齐升。受功率密度、峰值功率及设备可靠性提升驱动，HVDC 技术在数据中心、新能源及电动车等场景加速渗透，拉动功率器件需求大幅提升。其中，数据中心在单机柜功率向 1 MW 演进中，推动柜内AC/DC、PSU及柜外SST、SSCB、DC/DC 及 BBU 等环节用高压 MOS/IGBT 数量成倍增加。成本端，原材料涨价以及晶圆代工及封测环节涨价的成本传导，共同驱动器件价值量抬升，2025 年开始，国内外厂商陆续提价，例如英飞凌对功率开关及相关芯片上调价格，国内士兰微对MOS类芯片、信号二三极管涨价 10%。

模拟芯片需求回暖，国产替代持续深化。传统工业领域逐步复苏，叠加AI 算力、智能驾驶、新能源汽车等高景气赛道快速渗透，带动信号调制、高精度传感、电源管理等核心品类需求结构性提升。根据沙利文数据，2026 年中国模拟芯片市场规模有望达到2451 亿美元，较2024年增长 25%。我国在模拟芯片领域发展较晚，工业及汽车等高端领域国产替代率较低，国内前五大模拟厂商收入 2024 年收入份额仅 6.9%，但从中长期看，随着国内厂商在模拟芯片领域的技术突破与客户导入加速，叠加政策支持与供应链自主可控需求，将持续提升国产模拟芯片的市场份额，进一步推动模拟景气度持续上行。根据沙利文预测，2029 年模拟芯片国产化率有望从 24 年 23.2%提升至 30.8%。

供给收紧叠加涨价传导，模拟芯片进入上行周期。模拟芯片行业已进入新一轮上行周期，供需格局持续优化、库存周期反转、成本端刚性支撑驱动行业量价齐升。供给端行业产能温和复苏，成熟制程产能持续收缩，低端通用料号受前期产能调整与高端车规、AI 相关产品产能挤占供给弹性受限，行业库存周期由主动去库切换至主动补库阶段。从核心厂商经营指标看，2025 年 TI 及 ADI 存货周转率均有所提升，圣邦股份及纳芯微季度毛利率及存货周转率环比改善。成本端上游金属价格上行叠加晶圆代工与封测环节提价，成本压力逐步向下游传导，TI、ADI 及英飞凌等模拟 IC 龙头均对旗下产品进行大幅调价，国内厂商必易微、美芯晟亦发布调价函，行业涨价逻辑从国际龙头向国内厂商顺畅传导，进一步夯实模拟芯片行业上行周期基础。

1.3 代工及封测：国内算力需求释放，代工封测量价齐升

国产 AI 芯片驱动先进制程国产替代。全球先进制程产能呈现持续增长趋势，根据SEMI统计，2024-2028 年 7nm 以下先进制程产能将从 85 万 wpm 增长69%至140 万wpm，2nm及以下产能将从 2025 年 20 万 wpm 增长至 2028 年 50 万 wpm。其中，台积电、三星等少数头部厂商占据主要份额，国内先进制程产能占比仍偏低，导致高端芯片自给率较低，为应对国产AI 芯片加速渗透带来的巨大需求，本土晶圆厂加码先进制程产能布局，中芯国际7nm及以下先进制程产能加速爬坡。

国产封测厂商迎来双重机遇。摩尔定律逼近极限，先进封装通过Bump、RDL、TSV及混合键合等技术实现高带宽、低功耗、三维集成，成为延续算力提升的关键。根据Yole数据，2024 年全球先进封装市场规模约为 460 亿美元，预计到 2030 年将超过794 亿美元，CAGR达9.5%。在高密度集成趋势下，Chiplet、HBM 等对测试环节提出更高要求，台积电、长电、通富等封测厂已导入高精度探针测试、分布式在线测试、系统级测试等方案。目前全球封测市场仍由台积电、三星、日月光主导，国内厂商长电、通富、华天加速布局并实现高端量产，但在AP 领域国产化率仍较低。在出口管制及 AI 发展下，国内封测厂有望迎来订单外溢与国产替代的双重机遇。

1.4 半导体设备：AI 提升设备景气度，国产需求与替代共振

全球半导体设备投资景气度抬升。受 AI、HPC 发展驱动，存储与GPU领域的资本开支显著增加，全球晶圆代工设备、先进封装设备及测试设备需求回暖，推动设备投资整体回升。根据 SEMI 预测，预计 2025 年全球半导体设备市场增长 7.4%达1250 亿美元，2026 年有望进一步增至 1380 亿美元，同比增速提升至 10%。晶圆制造设备（WFE）在存储及先进制程双重拉动下，预计 2026 年增长 10%至 1220 亿美元，其中，逻辑晶圆代工受于先进制程推动，预计增长 6.6%，DRAM 及 NAND 受益于存储产能扩张，预计分别增长12%、10%。封测环节在AI、手机及 HPC 带动的先进封装需求支撑下保持较高增速，其中，封装设备增长15%至63亿美元，测试设备增长 5%至 98 亿美元。

国产设备需求与替代共振。美国对华半导体设备出口管制持续收紧，叠加国内AI 算力爆发及两存上市带动的先进制程及存储扩产需求，国产半导体设备行业迎来“需求扩容+国产替代”共振。需求端，先进逻辑与存储产线扩产占比提升，中芯、华虹等晶圆厂及长鑫、长江等存储厂商加大资本支出扩大产能，为设备厂商提供持续订单支撑拉动前道设备采购需求。替代端，成熟制程的产能份额提升，光刻、量测、检测等“卡脖子”领域研发持续推进，国产设备需求广度从单点转向全链条，厂商通过并购整合产品线，本土晶圆厂优先采购国产设备以保障供应链安全。根据 CMSP 报道，中国国产半导体设备的市场占比已从24 年的25%大幅提升至35%，刻蚀、薄膜沉积等核心工艺已突破 40%。