2025年存储设备行业分析：自主可控+景气周期共振，重视存储设备大级别行情

供需剪刀差有望进一步扩大，全球存储进入超级周期

存储器是芯片第二大市场，韩美大厂垄断超90%份额

存储器是半导体行业第二大市场，其中DRAM和NAND Flash是主要构成。1）存储器：半导体行业细分产品涵盖集成电路（IC ）、光电器件、分立器件、传感器等子行业，集成电路（IC）又具体包括存储器、逻辑电路、模拟电路等；根据WSTS，2024年 全球半导体市场销售额为6305亿美元，其中存储器市场规模为1655亿美元，占比达26%；2）细分来看：存储芯片广泛用于内存 、消费电子、固态硬盘等领域，目前DRAM（动态随机存储器）和Flash（闪存存储器）是两大主流应用产品，2021年两者市场份 额分别为56%、41%，基本占据所有市场。

根据数据存储原理不同，半导体存储器可分为RAM（随机存储器）和ROM（只读存储器）： 1）RAM：直接与CPU交换数据，可以随时进行读写且速度快，但断电后数据会丢失。RAM进一步细分为SRAM（静态随机存 储器）和DRAM（动态随机存储器），DRAM常用于计算机的主存储器，相较于SRAM结构简单，具有很高的性价比优势； 2）ROM：只能读取事先所存数据，断电后也能保存数据，常用于存储各种固定程序和数据。FLASH（闪存）是当前主流存储 器，成本低密度大，可进一步划分为NAND Flash 和NOR Flash，其中NAND Flash 是市场主流Flash存储产品，其写入和擦除的 速度快，存储容量大，是高数据存储密度的理想解决方案。

DRAM：1）市场规模：根据CFM闪存市场，2025Q2全球DRAM市场规模为321亿美元，同环比分别+37%/+20%，AI驱动下 需求持续旺盛，创单季度历史新高；2）竞争格局：SK海力士以38.2%的市场份额再度蝉联第一，进一步拉开与三星（33.5%）和 美光（22.0%）的差距；CR5=95.4%，可见行业集中度极高，主要为韩国和美国大厂垄断。

NAND：1）市场规模：根据CFM闪存市场，2025Q1全球NAND市场规模为130亿美元，同环比分别-14%/-25%，系一季度数 据中心延期影响；根据闪迪最新法说会，三季度行业SSD价格不断上涨，预计供不应求将持续至26年底；2）竞争格局：三星以 28.9%的市场份额占据第一，铠侠（17.6%）和SK海力士（17%）分别占据第二和第三，互相差距不大；CR5=91.7%，同样为韩 美大厂垄断。

存储价格全面上涨，全球存储超级周期出现

AI训练和推理驱动下，DRAM和NAND需求大幅提升；此外25H1原厂减产去库，且转向DDR5、HBM等高端产品、挤占 DDR4等旧制程产能，使得存储价格全面上涨，全球存储超级周期出现。1）2025年初至今DDR4/DDR5价格涨幅强势，尤其9月 以来价格加速攀升：根据DRAMexchange数据，截至11月10日，DDR4/DDR5主流型号现货平均价格分别为31.9/22.1美元，较 年初涨幅分别为+901%/+372%；2）NAND价格涨幅同样明显：根据DRAMexchange数据，截至11月10日，64GB MLC/32GB MLC现货平均价格分别为6.8/3.9美元，较年初涨幅分别为+56%/+70%。

存储大厂全面开启涨价潮，2025Q4后续仍将迎来涨价。1）原厂动作：根据闪迪最新法说会，11月NAND Flash闪存合约价格 大幅上调50%，已是今年至少第三次涨价；10月三星暂停DDR5报价，9月同样大幅上调产品价格；受价格涨幅影响，目前多家模 组厂已暂停出货；2）价格预测：服务器存储需求显著增加，而产能结构性转移（原厂重心均在高端产品），导致手机、电脑等存 储供应趋紧，共同推动价格全面上涨。根据CFM闪存市场，预计Q4服务器eSSD、DDR5涨幅超10%，Mobile LPDDR4X/5X涨幅 约10%~15%。

AI推理需求爆发+纪律性扩产，存储供需剪刀差扩大

进一步来看，在AI服务器中，整个存储架构通常分为高速缓存层、主内存 层以及持久化存储层，HBM、DRAM和NAND分别构成各层核心存储器 ，基于此我们具体描述三者如何参与LLM推理过程（参考灰色图块）： 1）模型加载：将模型从存储（NAND）加载到内存（HBM/DRAM）； 2）缓存卸载/读取卸载数据：键值缓存（HBM/DRAM）溢出时将其部分 卸载到存储（NAND）并在稍后检索； 3）KV缓存：模型并行处理输入提示中的所有标记，并在HBM中生成初 始的KV缓存，即大模型“短期记忆”。历史token计算结果缓存可显著提 升计算效率，当KV缓存容量超过HBM上限，将会卸载到成本更低、容量更 大的DRAM和NAND层级，多级缓存技术显著优化AI推理速度和成本； 4）RAG检索：为检索增强生成（RAG）查询检索外部数据（NAND）。

AI推理需求爆发+纪律性扩产，存储供需剪刀差扩大

供给端来看：晶圆厂建设周期约2-3年，叠加海外龙头扩产纪律性强，未来新增产能有限，是存储供需剪刀差扩大另一大重要原 因。1）建设周期：参考西安三星半导体基地，二期计划扩产13-15万片先进制程NAND Flash芯片，2017年9月开工，2020年3 月投产，历时30个月，台积电建厂周期也类似；2）纪律性强：存储行业周期特征尤其明显，下行期间盈利很差，2023年起主要 存储厂商采取了前所未有的减产保价策略，并严格控制资本开支；因此尽管当前缺货潮爆发，但部分厂商NAND产能刚刚结束去 化，SK海力士、三星等龙头仍以扩建为主，且明确聚焦HBM、企业级SSD这类高附加值产品，优先供应高利润率客户。

自主可控+景气周期共振，大陆存储扩产空间超十倍

自主可控叠加全球周期驱动，国内存储扩产强于海外

自主可控是过去几年中国大陆存储扩产的核心逻辑，我们预计目前长江存储、长鑫存储全球的份额仍不足10%。短期来看，我们 认为长鑫、长存IPO上市，融资利好后续扩产，我们中性预计2026年国内两存合计扩产10-12w万片，有望聚焦4XX、HBM等先 进产品，单位投资金额有望大幅提升，总资本开支超过160亿美元，CAPEX同比大幅提升。

2026年海外存储产能全部售罄/锁定，美国对华全面禁止先进芯片及设备出口，国内存储芯片需求缺口比海外更严峻，中国大陆 存储扩产迎来景气度周期共振。1）海外售罄：根据三星、SK海力士及美光法说会，均表示明年HBM售罄，其中SK海力士表示 DRAM和NAND订单也已锁定；2）国内缺口扩大：2024年中国大陆存储芯片需求占比高达37%，而两存供给占比仅为10.2%（ 考虑金额更低），当前存储静态缺口达到28%，且并未考虑海外存储产能售罄，中国大陆相关企业优先级靠后，大陆存储缺口比 海外更加严峻，扩产意愿更加迫切。

两存具备全球竞争力，中长期扩产空间超10倍

相比于先进逻辑，大陆先进存储具备全球竞争力，海外扩产意愿低、效率低，看好未来中国大陆成为全球存储产能核心增量：

1）长江存储：传统3D堆叠随着层数增加，外围电路面积占比变大导致存储密度急剧下降，长存全球首创Xtacking混合键合技术 ，将外围电路置于存储单元之上，通过纳米级垂直互连，大幅提升I/O传输速度、存储密度和研发周期。 2025年5月公司正式发布 Xtacking4.0，X4-9060产品I/O速度提升50%至3600MT/s，密度提升48%，量产512Gb中密度最高。2025年3月三星签署付费使 用Xtacking专利协议，以此进行下一代开发，长存已掌握技术标准主导权；

2）长鑫存储：2025年10月，公司正式推出LPDDR5X产品，在容量、速率上都有显著提升，最高速率达到10667Mbps ，达到 国际主流水平。从时间上来看，三星、SK海力士等厂商在2024年实现LPDDR5量产，长鑫已将追赶时间缩小至1年；根据Yole发 布的2029年DRAM技术路线图，长鑫1y/1z制程将全面对标海外龙头。

从市值和涨幅角度看，A股存储设备存在低估

存储设备/晶圆厂/模组表现出色，领涨海外科技资产

复盘海外存储相关资产行情表现，晶圆厂/设备/模组环节均表现出色，大幅跑赢SOX指数。截至2025/11/7，SK海力士/美光近 YTD涨幅239%/173%，存储设备LAM/AMAT/TEL/KLA/爱德万涨幅122%/42%/39%/89%/118%，存储模组闪迪/希捷/西部数据 涨幅564%/229%/250%。

存储设备享受估值溢价，市值显著领先模组环节

存储设备环节享受较高估值溢价，且市值显著领先模组环节。1）2025/11/7设备厂商LAM/AMAT/TEL/KLA/爱德万PE_ttm分别 为34/27/29/37/58X，晶圆厂SK海力士/美光为15/31X，模组厂商闪迪/希捷/西部数据为-21/35/22X，设备向上高估值核心在于 其较高壁垒、以及科技发展最确定受益环节等。2）从市值对比角度看，存储设备标识度最高的LAM市值高达2090亿美元，闪迪 、希捷、西部三大模组厂合计市值1617亿美元，不足LAM一家市值，存储设备市值规模优势明显。

存储高敞口+核心设备优势明显，LAM股价强于其他标的

横向比较海外前道存储设备标的，LAM股价涨幅领先。进一步对比海外前道存储设备标的，LAM走势最强。截至2025/11/7， LAM/AMAT/TEL/KLA 的YTD涨幅112%/42%/39%/89%，主要系LAM存储敞口更高，25Q1/25Q2其下游存储收入占比 43%/41%，且在高深宽比设备领域具有绝对优势。

从涨幅和市值角度看，A股存储设备存在一定低估

A股存储设备低于海外存储设备、国内模组涨幅。截至2025/11/7，拓荆科技/中微公司/京仪装备YTD涨幅128%/71%/97%，A 股存储模组江波龙/佰维存储/德明利/香农芯创/开普云涨幅238%/112%/344%/526%/293%，A股存储设备核心标的涨幅远低于 模组环节，考虑到更高的收入增速，弱于海外存储设备整体表现。

报告节选：

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）