碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化.pdf
- 上传者：老*
- 时间：2023/04/26
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碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化。 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势，晶体生长和切割是产业化瓶 颈。优势：1）高性能：碳化硅相比硅有四大优势：大带隙、大载流 子漂移速率、大热导率和大击穿电场，做成的器件对应有四高性能： 高功率、高频率、高温和高电压。2）低损耗：SiC 材料导通电阻低， 制作的器件漂移层掺杂浓度更高也更薄，相比硅基器件开关损耗和系 统损耗较低。瓶颈：晶体生长慢、工艺可控性差、扩径难度高；碳化 硅硬度高、脆性大、化学性质稳定，切割加工难度大，造成行业多技 术路线并存的现状，也是当前国产化进程的难点。
新能源汽车+光伏需求增长刺激产能扩张，我们测算2026年碳化硅 设备市场空间超 250 亿。1）供给端：我们预计 2026 年碳化硅衬底名 义产能达 839.2 万片，对应 251.8 亿设备总市场空间，48.0 亿的新增 市场空间，其中切片设备占比 14%。2）需求端：目前新能源车是导 电型碳化硅衬底最大应用领域，光伏是第二大应用市场，我们测算到 2026 年导电型碳化硅衬底合计有 455.7 万片的新增潜在市场需求， 而我们估计导电型衬底有效产能仅为 397.3 万片，存在 58.4 万片的 有效产能缺口，对应约 29.2 亿元设备投资空间。
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