2025年存储行业分析报告：供需改善下NAND价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求

一、存储行业不同细分领域表现分化，部分消费类产 品价格跌至周期底部

存储行业具有强周期性，当前不同细分领域表现明显分化。存储行业具有明显的 周期性，从存储原厂营收增速来看，自 2010 年至今存储行业经历了三个完整的 上行和下行周期。上轮上行周期自 23Q2 开始，当时价格跌至周期底部，存储原 厂盈利能力大幅承压，因此几大存储原厂积极削减产能并主动提价，带来价格连 续几个季度回升。但自 24Q2 以来，由于需求复苏和产能去化节奏不一，存储行 业不同细分领域价格表现明显分化，其中①高端存储器需求旺盛，价格延续上升 态势；消费类存储器供过于求，价格明显承压；利基存储行业仍在去库存，价格 持续筑底；②DRAM 和 NAND 供需格局表现分化，NAND 整体价格表现弱于 DRAM。

从价格端来看，DRAM 和 NAND 表现分化，消费级和企业级产品表现分化。 DDR5 等高端产品带动 DXI 指数持续上升。DXI 指数主要由不同型号的 DDR3、 DDR4、DDR5 价格加权计算得来，由于数据中心等带动高端存储器需求上升， DDR5 价格维持高位，同时渗透率持续上升，因此受 DDR5 价格拉动，DXI 指数 呈上行趋势；DDR4 产能由于部分受到 HBM 侵蚀，因此供过于求现象不明显， 价格下行幅度有限；更低端的 DDR3 产品价格持续下行，主要系虽然海外厂商逐 步退出利基市场，但行业内 DDR3 尾货库存尚未出清完毕。

行业供需格局尚未完全改善，NAND Flash Wafer 价格跌至周期底部。需求侧， 除数据中心 SSD 外的消费类 NAND 需求复苏不及预期；供给侧，NAND 行业竞 争格局更加分散，过剩产能和库存去化节奏慢于 DRAM。因此，在过去几个季度 NAND 行业持续供过于求，价格明显承压，部分产品价格跌至周期底部。

利基存储芯片价格持续筑底。利基存储价格一般波动会滞后于标准存储产品，当 前行业仍处于供过于求状态，部分厂商库存仍在持续去化，价格处于筑底阶段。 NOR 方面，兆易创新表示，NOR 行业尚未出清，新需求尚不足完全消化行业的 全部产能，预期价格延续底部盘整，但进一步下行空间很小；DRAM 方面，由于 海外大厂逐步退出利基 DRAM 市场后留下尾货，行业依然供过于求，兆易预计 25H1 利基 DRAM 价格仍然底部盘整；SLC NAND 方面，东芯表示 25Q1 价格 不会明显变化。

从销售端来看，海外存储原厂收入持续同比改善，部分存储模组和利基存储 芯片厂商收入增速回落。 1）海外存储原厂龙头：受益于产品结构持续改善和高端存储器需求旺盛，营收 持续同比增长。以三星、美光、SK 海力士、西部数据为例，一方面，受益于 23Q2-24Q2 的原厂涨价周期，整体营收加速同比增长，营收增速在 24Q2 达到 峰值；另一方面，存储原厂积极调整产品结构，高端存储器收入占比逐季提升， 而高端存储器需求和价格表现强劲，因此营收依然同比持续复苏。例如在 24Q4， HBM3E 和 DDR5 占 SK 海力士 HBM 收入的 40%以上，NAND 中 eSSD 收入占 比大幅提升；美光 FY25Q1 数据中心收入占比超 50%，HBM 营收环比翻倍以上 增长。

海外存储原厂龙头 DRAM 和 NAND 业务表现明显分化。从季度收入来看，由于 NAND 行业持续供过于求，NAND 盈利能力弱于 DRAM，存储龙头纷纷减少 NAND 产品供应，导致 NAND 收入占比持续下滑。例如美光 FY25Q1 DRAM 位 元出货量环比增长中个位数百分比，ASP 环比增长 10%，而 NAND 出货量不及 预期，ASP 环比下降中个位数百分比；SK 海力士 24Q4 DRAM 位元出货量增长 低十位数百分比，ASP 环比增长高个位数百分比，而 NAND 位元出货量和 ASP 均环比下降低个位数百分比。

2）存储模组厂商：国内多数厂商产品以面向消费类应用的 NAND 模组为主，营 收增速伴随消费类存储价格波动。在第三方存储模组行业内，DRAM 模组大部 分市场份额被金士顿占据，NAND 模组竞争格局较为分散。国内多数存储模组厂 商收入和成本结构中 NAND 模组占据大头，产品形态以嵌入式、移动存储、SSD 等为主，并且多面向消费类下游应用，企业级收入体量仍相对较小。在 23Q2-24Q1，由于整体存储价格上涨，国内存储模组厂商积极备货，因此营收逐 季增长，但自 24Q1 以来，由于消费级存储产品价格持续回落，同时各存储模组 厂商持续去库存，因此营收增速逐季回落，部分中国台湾存储模组厂商月度收入 甚至同比下滑，但近 2-3 个月营收同比有所企稳。

3）利基存储芯片厂商：价格处于周期底部，部分厂商营收同比尚未明显复苏。 利基存储产品出货量虽然在 24Q1-Q3 持续改善，但价格持续筑底，部分厂商收 入同比尚未明显复苏。2025 年 2 月，中国台湾旺宏/华邦电/南亚科合计收入同比 下滑 4.3%，分别同比+9.3%/+2.4%/-25.5%。

从盈利能力来看，海外存储原厂盈利能力明显改善，存储模组厂商近几个季 度盈利能力有所回落。 海外存储龙头厂商盈利能力逐季恢复，但尚未恢复至历史高点。自 23Q1 以来， 海外存储龙头厂商盈利能力逐季修复，美光/SK 海力士/西部数据 24Q4 毛利率和 净利率分别升至 38%/52%/35%和 21.5%/40%/13.9%，产品结构改善带来盈利 能力提升，但消费类产品价格承压，NAND 盈利能力有限，导致本轮整体毛利率 和净利率尚未恢复至历史周期峰值水平。

存储模组厂商盈利能力较峰值有所回落。存储模组厂商盈利能力在 24Q1 达到峰 值，但伴随着消费类产品价格回调，前期过剩库存一定程度拖累毛利率水平，近 几个季度以来盈利能力均有所下滑。

二、原厂针对性减产带来供需格局改善，部分 NAND 产品价格拐点趋近

2025 年三大存储原厂资本开支聚焦 HBM 等高端存储器，部分厂商对 NAND 延 续减产措施。在消费类存储尤其 NAND 产品价格疲软情况下，三大存储原厂 2025 年扩产规划聚焦高端产品，但对 NAND 等产品资本开支较为保守，部分厂商甚 至将延续对NAND减产措施。三星 2025 年致力于优化产品组合以提升盈利能力， 扩产主要聚焦 HBM 等高端存储器，预计 HBM 位元供应量同比翻倍增长；美光 2024 财年资本支出为 81 亿美元，FY25Q1 为 31 亿美元，预计 FY25Q2 为 30 亿美元，预计 2025 财年为 140±5 亿美元，主要投资 1β和 1γnm 节点 DRAM， 但公司将放缓 NAND 节点升级进度，并可能削减 NAND 资本开支；SK 海力士指 引 2025 年资本开支同比增长有限，但用于 HBM 新产线基础设施支出预计同比 显著增长。

存储原厂和模组厂商针对性去库存，整体库存周转天数趋近健康水位。以美光和 SK 海力士为例，库存在 23Q1-Q2 达到峰值，经过几个季度的库存去化之后，当 前库存已基本达到健康水位，季度库存周转天数大约 150 天。美光表示，消费导 向型细分市场的客户库存持续减少，预计近期客户库存将达到健康水位；SK 海 力士针对 DDR3、DDR4 等传统产品缩减产量，针对 NAND 产品灵活调整产量， 重点放在库存水平恢复正常上面。存储模组厂商库存天数亦呈现明显改善趋势， 群联、威刚库存在 24Q1 达到峰值，但持续积极去库存，库存和周转天数连续几 个季度均有所改善。

近期部分模组厂商指引积极，部分 NAND 产品价格拐点逐步显现。根据前文所 述，中国台湾存储模组厂商如群联和威刚二月营收同比增速有所恢复，其中群联 库存已从此前 320 亿新台币的峰值降至目前约 240 亿新台币，公司表示未来四 个月将增加库存，以应对 NAND Flash 需求和价格上涨趋势；威刚 2 月 DRAM 模组和 SSD 营收均环比增长超 20%，公司表示渠道厂商备货意愿提升，3 月有 望延续出货动能，预期存储行业景气度 25Q1 见底。根据 Digitimes 统计，2 月 DDR5价格环比涨幅超4%，DDR4价格依然承压，512Gb TLC NAND价格微涨。

2025 下半年部分利基存储产品价格有望企稳回升。整体利基存储厂商库存仍待 进一步去化，但伴随库存逐步出清，叠加需求温和复苏，部分厂商预期下半年利 基存储价格有望企稳回升。其中 NOR 产品过剩库存尚未出清，预期价格延续底 部盘整，但进一步下行空间很小；DRAM 方面，伴随下半年大厂尾货消化、供需 格局改善，价格有望企稳回升；SLC NAND 方面，目前三星已经退出该市场， 未来海外 IDM 厂商也将逐步退出小容量 NAND 市场，供需格局将进一步改善。

三、高端存储器景气延续，国产替代进程加速

北美和中国大陆部分云厂商资本开支指引乐观，HBM 等高端存储器需求预计持 续增长。互联网大厂的资本开支可以部分反映对服务器景气度的展望，北美互联 网大厂（微软、谷歌、亚马逊、Meta、苹果、甲骨文）资本开支增速自 23Q3 以来持续增长，24Q4 合计同比增长 71%。其中，亚马逊指引 2025 年 Capex 为 1000 亿美元，大部分将用于 AI 发展和云业务 AWS；谷歌指引 2025 年 Capex 为 750 亿美元，主要用于对数据中心等；Meta 指引 2025 年 Capex 为 600-650 亿美元，同比增长 53-66%，主要用于对生成式 AI 等的投资。国内部分互联网厂 商资本开支超预期，如阿里 FY25Q3 资本开支高达 318 亿元，同比+259%/环比 +82%，公司表示未来 3 年对云和 AI 基础设施的投入将超越过去 10 年总和。综 上所述，我们认为 2025 年 AI 服务器需求将持续旺盛，以 HBM、eSSD 为代表 的高端存储器仍将是存储市场主要增长动力。

三大存储原厂 HBM3E 产品快速放量，加速向 HBM4 产品迭代。1）SK 海力士： 24Q4 HBM 占公司 DRAM 收入 40%以上，2024 全年 HBM 收入同比增长超 4.5 倍；公司完成 16 层 HBM3E 产品开发，预计 2025 年完成 12 层 HBM4 产品开发 并将于 2026 年量产；2025 年公司 HBM 收入预计同比翻倍以上增长，其中来自 ASIC 客户的需求预计显著增加；2）美光：8Hi HBM3E 产品已经用于 NVIDIA Blackwell B200 和 GB200 平台，特点是低功耗下性能领先，公司于 2024 年 12 月向第二大 HBM 客户大规模发货，预计在 FY25Q2 向第三大客户大规模发货。 公司同时计划在 2026 年中大规模量产 HBM4 产品，较 HBM3 性能提高 50%以 上，HBM4E 也在积极开发；3）三星：HBM4 的开发工作正在按计划进行，目 标 2025 年下半年开始量产。

国内存储 IDM 大厂技术持续迭代，叠加美国出口管制趋严，国内存储行业将加 速国产替代。

国内存储 IDM 厂商如长江存储、长鑫存储等加速追赶，部分产品性能甚至 优于海外厂商。 2023 年 11 月 28 日，长鑫存储推出 LPDDR5 系列产品，包括 12Gb 的 LPDDR5 颗粒、12GB LPDDR5 芯片及 6GB LPDDR5 芯片。12GB LPDDR5 芯片已用于 国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型，同时容量持续向 16GB 迭代； 2024 年 12 月 24 日，长江存储致态正式发布旗下首款 PCIe 5.0 旗舰存储产品— —TiPro9000 固态硬盘。TiPro9000 首次采用基于长江存储新一代晶栈 Xtacking4.0 架构的闪存颗粒，搭配 DRAM 缓存及智能 SLC 缓存机制，顺序读 取速度高达 14000MB/s，顺序写入速度高达 12500MB/s，是主流 PCIe 4.0 产品 的两倍，接近 PCIe 5.0 固态硬盘接口的理论上限。 根据韩国媒体 ZDNet Korea 报道，三星电子近期已与长江存储签署了开发堆叠 400 多层 NAND Flash 所需的混合键合技术的专利许可协议，以便其从第十代 （V10）NAND Flash 产品开始使用该专利技术来进行制造，主要系长存在混合 键合技术上处于全球领先地位，并且经过三星评估认为，从下一代 V10 开始， 其已经无法避免长江存储专利的影响。 长江存储具有独特的长江存储构建了基于 Xtacking 的三维闪存自主技术体系， 并围绕 Xtacking 技术通过自主研发和合作开发两种方式逐步建立了一整套知识 产权体系。在长江存储的 Xtracking 架构中，I/O 及记忆单元操作的外围电路被 生产在一片晶圆上，而存储单元在另一片晶圆上被独立加工，当两片晶圆各自加 工完成之后，通过晶圆键合技术实现两个晶圆数十亿根金属通道的连接，合二为 一成为一个整体，拥有与同一片晶圆上加工无异的优质可靠性表现。

长江存储 Xtacking 技术具有如下技术优势： ①拥有更高的存储密度：在传统 3DNAND 架构中，外围电路约占芯片面积 20~30%，Xtacking 技术创新的将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统 3D NAND 更高的存储密度，芯片面积可减少约 25%； ②拥有更快的 I/O 传输速度：Xtacking 架构中，低压逻辑电路器件沟道长度可以 做到很小，因此具有更快的 I/O 接口速度。而业界传统的三维闪存架构，由于在 存储阵列晶圆工艺制造过程中，长时间高温退火对逻辑电路的离子注入扩散程度 会造成较大影响，低压逻辑电路器件最小沟道长度只能达到约 150nm，限制了 I/O 接口速度的提升； ③模组化的工艺将提升研发效率并缩短生产周期：Xtacking 技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品 开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短 20%。此外，这种模块化的方式也为引 入 NAND 外围电路的创新功能以实现 NAND 闪存的定制化提供了可能。 

美国出口管制趋严，国内存储器和配套供应链国产替代进程加速。 2024 年 12 月 15 日，美国 BIS 对先进 DRAM 芯片进行新定义，包括①存储单 元面积从 0.0019um²调整为 0.0026um²，②存储密度从 0.288Gb/mm²调整为 0.2Gb/mm²，③增加了每个芯片超过 3000 个 TSV 的参数；2025 年 2 月 3 日， 美国参议员 Elizabeth Warren 和 Josh Hawley 致信美国商务部长，要求采取具 体步骤以加强出口管制，包括加强 AI 扩散规则、限制 H20 和同等芯片、打击芯 片走私，以及将长鑫存储列入实体清单中。美国出口管制趋严，预计将加速国产 存储厂商及 HBM 等高端存储器配套产业链国产替代进程。

四、端侧存储扩容趋势确立，存算一体方案创新加速

1、消费类产品温和复苏，端侧 AI 渗透率提升带动存储扩容

下游 PC 和手机存储等呈现持续复苏态势，AI 服务器存储需求强劲，汽车 OEM 厂商持续库存调整。 1）PC：美光预计 2025 年按行业出货量增长中个位数百分比，出货主要集中于 下半年，主要系 windows 升级带来的换机需求；SK 海力士预计 2025 年 PC 出货 量同比增长低至中个位数百分比，AIPC 渗透率达 30-40%；AMD 对 2025 年 PC 市场持乐观态度，预计中个位数的增长；Canalys 认为 2025 年全球 PC 市场将延 续增长，因为微软会在 10 月终止 Windows10 的系统支持，迫使数亿 PC 用户更 新设备。从中国台湾 PC 代工厂营收来看，近几个月收入呈现同比加速增长态势。

2）智能手机：美光预计 2025 年出货量同比增长低个位数百分比，位元出货将集 中于财年下半年；SK 海力士预计 2025 年智能手机出货量同比增长低至中个位数 百分比，AI 手机渗透率增长至约 30%.

3）服务器：SK 海力士预计 2025 年整体服务器出货量同比增长高个位数百分比； 美光预计 2025 年服务器出货量同比增长中至高个位数百分比，传统服务器出货 量同比增长低个位数百分比；根据信骅的月度营收数据，25M2 信骅营收 6.1 亿 新台币，同比+108.57%/环比-13.08%，同比维持高速增长。

4）汽车和工业：美光表示产量低于预期，OEM 厂商持续库存调整。 2025 年 AI 手机、PC、可穿戴等渗透率加速提升，端侧存储持续扩容。2025 年， AI 端侧如手机、PC、可穿戴等产品持续落地。SK 海力士预计，2025 年 AI 手机 和 AI PC 渗透率将分别增长至约 30%和 30-40%；在前期 2025 年 CES 大会上， 雷鸟 V3 Pro、Rokid 等多款 AI+AR 眼镜等可穿戴产品亮相。近期 Deepseek 等 国产大模型发布，通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，可降低算力 需求，使复杂模型在边缘设备（如手机、IoT 设备）上运行成为可能，将进一步 加速搭载 AI 大模型的端侧产品落地。端侧 AI 发展将直接拉动存储容量增长，PC 方面，根据美光数据，2024 年 PC 平均内存容量约为 12GB，而 2025 年新款 AI PC 至少配备 16GB 容量 DRAM，中高端机型则配备 32-64GB 容量；手机方 面，2024 年手机 DRAM 平均容量为 8GB，AI 手机 DRAM 容量将增至 12-16GB； 可穿戴产品方面，根据维深 XR 拆解，Rayban Stories 采用金士顿的 512MB LPDDR3+4GB eMMC 5.0 的 eMCP 芯片，而 Rayban Meta 采用 2GB LPDDR4X+32GB eMMC 5.1 的 eMCP 芯片，存储容量有数倍提升。根据我爱音 频网的拆解，基于豆包 AI 大模型的字节跳动 Ola Friend 耳机采用 2 颗 128Mb NOR Flash，容量较普通 TWS 耳机搭载的 64-128Mb NOR 有明显提升。

存储模组：国内部分厂商进入一线可穿戴品牌厂商供应链，如江波龙 ePoP 产品已经广泛用于小天才、佳明等一线厂商智能穿戴设备中，ePoP4X 产品 已通过高通、展锐等主流穿戴 AI SoC 厂商的认证；佰维存储 ePoP 等存储 产品已经进入 Meta、Rokid、雷鸟创新、闪极等国内外知名 AI/AR 眼镜厂商， 和 Google、小天才、小米等国内外知名智能穿戴厂商供应链体系；

利基存储芯片：以 NOR 为例，随着 AI PC BIOS 程序量代码量的不断增长， NOR 容量持续增长；AI 眼镜新品逐步落地，未来出货有望对标 TWS 耳机 等持续提升，进而带动整体 NOR 需求提升；目前行业头部品牌对 NOR 需 求较大，而中低端 TWS 耳机对 NOR 容量需求相对较小，未来耳机升级将 持续带动低容量 SONOS 工艺 NOR 向高容量 ETOX 工艺产品迭代。另外， 考虑到三星等海外大厂在 2025 年持续退出利基存储市场，国内厂商份额也 有望逐步提升。

2、存算一体渐行渐近，算力下沉需求加速创新

传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构，“存储墙”和“功耗墙”分别限制 数据访问速度提升和数据访问能耗下降。目前计算机系统采用冯-诺依曼架构， 当 CPU 处理来自片外主内存（DRAM）的数据时，常用数据会被存储在快速且 高能效的缓存（L1、L2、L3）中，以提高性能和能效。但是，在处理大量数据 应用中，大部分数据需要从主内存读取，待处理数据规模超过缓存的存储容量。 此时，一方面，CPU 引脚数量有限，CPU 和主内存之间有限的总带宽会直接限 制交换数据的速度，即形成“存储墙”；另一方面，数据搬运的能耗比浮点计算 高 2 个数量级，DRAM 的访问功耗可达芯片内一级功耗的 650 倍，进一步增加 了数据访问功耗，即形成“功耗墙”。

存算一体架构可部分解决“双墙”问题，主要包括近存计算和存内计算。1）近 存计算：主要包括光互联、2.5/3D 封装等形式，其中 2.5/3D 封装可以提高系统 集成度，增大并行带宽或利用串行传输提升存储带宽，典型的产品形态为 HBM； 2）存内计算：主要包括①存储内计算（In-Storage Computing，ISC），即在固 态硬盘中等加入 FPGA、ARM 处理核等计算单元，承担如数据压缩、搜索、视 频文件转码等本地处理，减少远端处理器如 CPU 的负载；②内存内计算 （In-Memory Computing，IMC），数据直接在内存中计算后返回，通过将存储层 和逻辑层堆叠实现高带宽计算。典型产品形态包括 HBM-PIM 和 PIM-DIMM，在 DRAM die 中内置 AI 等处理单元，提供大吞吐低延迟片上处理能力。

存内计算

存内计算电路可基于易失性和非易失性存储器实现，未来 RRAM、MRAM 等新 型存储器件有望得到更多应用。易失性存储器包含 SRAM 等，非易失存储器包 含 NOR Flash、阻变随机存储器（Resistive Random Access Memory，RRAM）、 磁性随机存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、相变 存储器（Phase Change Memory，PCM）等。 1） SRAM：常用于 CPU 中的缓存，其读写速度快、无读写次数限制，且工艺 成熟，器件的一致性和稳定性较好，缺点是价格相对昂贵、多晶体管单元结 构下存储密度较低、需要通电以保持数据，因此芯片面积大、功耗较高； 2） NOR：基于 NOR 的存内计算芯片具有存储密度大、工艺成熟、成本低等优 点，业内主要利用其多比特存储特性进行模拟存内计算，相关产品在智能终 端与边缘场景实现小批量商用。目前 NOR 的问题在于工艺微缩存在一定瓶 颈，可能需要 2.5/3D 封装工艺配合扩展性能； 3） 阻变随机存储器（RRAM）：基本存储单元一般为金属-绝缘体-金属/半导体 结构，通过在电极层施加电压/电流，电阻转变层的电阻值可以实现高阻态 和低阻态的切换，并可实现多级电阻状态，从而存储多比特信息。基于 RRAM 的存内计算芯片制备工艺简单、工艺成本低、支持多比特存储，但目前在器 件一致性和准确性等方面需要提高； 4） 磁性存储器（MRAM）：利用磁隧道磁阻效应实现电阻状态改变，从而存储 信息，具有非易失、访问速度快、读/写次数高等优点，具备较高的可靠性 和稳定性，但目前成熟度较低，功耗、速度和耐久性等指标有待提升； 5） 相变存储器（PCM）：可以介于完全多晶态和完全非晶态之间的多种状态， 以此实现多值存储，具备存储密度高、多比特存储、支持 3D 堆叠等优点， 但 PCM 存在写入功耗较大、擦写次数较少等问题。

近存计算

近存计算方案从训练侧扩散至边缘侧，定制化存储+先进封装堆叠技术路线迎来 发展。随着 AI 端侧创新加速，算力从云端逐步下沉至边缘端，边缘计算场景需 要处理实时高清信号、进行 AI 推理，同时还要求节省成本和低功耗。尽管 HBM 目前为 AI 训练服务器主流近存计算方案，但由于 HBM 受限于 JEDEC 标准规范 而需要遵循固定的堆叠层数，因此灵活性较低，同时多层堆叠带来的成本较高， 因此无法直接用于各类 AI 端侧场景。考虑到 AI 端侧等对于成本、功耗、灵活性 的要求，AI 端侧近存计算方案可能更多采用定制化存储+堆叠封装相结合的形式。

华邦电率先推出 CUBE 定制化存储方案，专为满足边缘 AI 计算需求而设计。华 邦电曾于 2023 年 9 月曾推出 CUBE（半定制化超高带宽元件），采用类似于 HBM 的封装形式，并增强了前端 3D 结构的性能，例如 chip-on-wafer（CoW） 和 wafer-on-wafer（WoW），以及后端 2.5D/3D chip-on-Si-interposer 的基板和 扇出（Fan out）解决方案。CUBE 可大幅优化内存技术，主要与 SoC 搭配，可 实现在混合云和边缘云应用中运行生成式 AI 的性能，适用于可穿戴设备、边缘 服务器设备、监控设备、ADAS 及协作机器人等高级应用。

CUBE 最大的特点是小容量同时实现高带宽，同时兼具灵活性、低成本等优势。 相较于 HBM 方案，华邦电 CUBE 最大的特点是容量较小以用于边缘侧，同时带 宽高甚至媲美 HBM，华邦电 CUBE 方案可提供高带宽低功耗的单颗 256Mb 至 8Gb 内存、32-256GB/s 的带宽。相较于 HBM，CUBE 方案其他的优点在于，1） 半定制化方案，可灵活选择堆叠层数，从而降低成本，同时支持不同端侧应用场 景；2）减少对第三方中介层厂商如台积电 CoWoS 产能的依赖，同时减少对特 定 GPU/ASIC 厂商的依赖，缩短设计周期；3）堆叠层数较少，功耗较低，适用 于对散热要求不高的边缘侧场景。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）