2024年江丰电子研究报告：溅射靶材国内领先，设备零部件加速替代

1. 溅射靶材国内领先，新业务拓展顺利

1.1. 国产溅射靶材龙头之一，供货国内外知名客户

中国半导体靶材龙头，产品全面覆盖先进制程、成熟制程和特色工艺 领域。宁波江丰电子材料股份有限公司创建于 2005 年，是国家科技部、发 改委及工信部重点扶植的高新技术企业、国产集成电路材料的核心企业，专 业从事超高纯金属材料及溅射靶材的研发生产。根据招股书，江丰电子主营 业务为高纯溅射靶材的研发、生产和销售，主要产品为各种高纯溅射靶材。 根据公司 2023 年年报，江丰电子的超高纯金属溅射靶材在技术门槛最高的 半导体领域已具备了一定国际竞争力，公司产品全面覆盖了先进制程、成熟 制程和特色工艺领域，拥有全面的产品组合、领先的技术优势、先进的制造 能力、稳定的产品质量、强大的核心装备以及全球化的技术支持、销售与服 务体系。 江丰电子运用材料金属进行高纯溅射靶材的生产，应用于半导体芯片 等领域。公司生产所需的主要原材料为材料金属，包括铝材料（含高纯主材 及非高纯背板材料等）、高纯钛、高纯钽等，主要供应商包括：三菱化学、 H.C.Starck Inc.、宁夏东方钽业股份有限公司、崇义章源钨业股份有限公司 等。根据公司官网，江丰电子研发生产的超高纯金属溅射靶材，成功获得了 国际一流芯片制造厂商的认证，并在世界先端的工艺实现批量供货，成为电 子材料领域成功参与国际市场竞争的中国力量。江丰电子的销售网络覆盖 欧洲、北美及亚洲各地，产品客户有台积电、联华电子、格罗方德、中芯国 际、索尼、京东方、华星光电、SUNPOWER 等国内外知名半导体、平板显 示及太阳能电池制造企业。

公司产品种类丰富，下游应用领域广泛。公司的高纯溅射靶材包括铝 靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，这些产品主要应用于超大规模集成电路芯片、液晶面板、薄膜太阳能电池制造的物理气相沉积（PVD）工艺，用于制备电 子薄膜材料。公司产品主要应用于半导体、平板显示器及太阳能电池等领域。 公司产品主要包含以下五类：

（1）铝靶：高纯铝及铝合金是使用最为广泛的导电层薄膜材料之一。 在其应用领域中，超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要 求最高，通常要求达到 99.9995%（5N5）以上，平板显示器、太阳能电池用 铝靶的金属纯度略低，分别要求达到 99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上。 公司生产的铝靶已经广泛应用于半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领 域。

（2）钛靶及钛环：在超大规模集成电路芯片中，钛是较为最为常用的 阻挡层薄膜材料之一（相应的导电层薄膜材料为铝）。在先端芯片制造工艺 中，钛靶要与钛环件配套使用，其主要功用是辅助钛靶完成溅射过程。公司生产的钛靶、钛环主要应用于超大规模集成电路芯片制造领域，其主要客户 范围与铝靶客户范围相似。

（3）钽靶及钽环：在最尖端的超大规模集成电路芯片中，钽是阻挡层薄膜 材料之一（相应的导电层薄膜材料为铜）。钽作为阻挡层通常用于 90-14 纳 米技术节点的先端芯片中，所以钽靶及其环件是制造技术难度最高、品质保 证要求最严的靶材产品，之前也仅有美国和日本的少数几家跨国公司（即霍 尼韦尔、日矿金属、东曹、普莱克斯等）能够生产。随着国际市场对智能手 机、平板电脑等消费类电子产品需求量增长，高端芯片的需求或将增加，使 得钽金属成为需求量较高的矿产资源，但钽矿资源较为稀缺，使得高纯钽靶 价格昂贵。除钽靶外，公司还生产钽环，其主要作用是辅助钽靶完成溅射过 程。公司生产的钽靶主要用于超大规模集成电路领域，主要客户为台积电、 格罗方德、中芯国际、联华电子、索尼、东芝、意法半导体、海力士等。

（4）钨钛靶：钨钛合金电子迁移率低、热机械性能稳定、抗腐蚀性能优良 以及化学稳定性好，近年来钨钛合金溅射靶作为半导体芯片门电路接触层 材料得到应用；此外，钨钛靶还可在半导体器件的金属连接处做阻挡层，尤 其适合在大电流和高温环境下使用。公司生产的钨钛靶主要应用于超大规 模集成电路及太阳能电池领域，主要客户为意法半导体和 SunPower 等。

1.2. 深耕靶材多年，核心团队经验丰富，股权架构稳定

核心团队经验丰富，研发实力雄厚。 根据公司官网，公司的核心团队 由多名海外归国博士组成,并引进了多名美国、日本、新加坡籍专家,掌握了 世界最前沿的溅射靶材研发、制造技术及市场信息,成为了在同行业中具有 国际影响力的创业团队。公司坚持以科技为创新动力,注重自主研发,已拥有 覆盖 AI、Ti、Ta、Cu 等多种金属材料及溅射靶材全工艺流程的完整自主知 识产权,已累计申请多项专利。 勇担国家战略发展项目，自主研发实现科技创新。根据公司官网，2005 年公司成立以后，承担国家 863 引导项目，第一块中国制造靶材研发成功。 2009 年，董事长姚力军博士入选“国家海外人才计划”专家。2010 年，全 球销售网络形成,第一届销售商大会成功召开。2012 年，液晶平板用靶材通 过客户使用评价,标志着平板显示器靶材事业发展的里程碑，公司粉末冶金 分厂成立。2013 年，GDMS 设备引进，公司二号新厂房落成启用。2014 年， 公司承担的国家“十一五”02 重大专项通过验收。2016 年，公司获得“浙 江省技术发明一等奖"。2018 年，江丰电子海外(马来西亚)工厂开业。2019 年，北京江丰、武汉江丰、湖南江丰相继成立,广东江丰破土动工;控股公司台湾江丰注册成立。2020 年，江丰电子热等静压联合工程技术中心成立揭 牌仪式顺利举行。2021 年，江丰电子“超高纯铅钛铜钽金属溅射靶材制备 技术及应用项目”荣获 2020 年度国家技术发明二等奖。2022 年，公司荣获 “制造业单项冠军示范企业”。2023 年，江丰同芯开业投产，武汉江丰开业， 公司荣获“中国标准创新贡献奖”、“第九届浙江省人民政府质量管理创新 奖”。

公司股权架构稳定，有利于长期稳健发展。姚力军为公司控股股东，合 伙企业投资参股。姚力军先生拥有博士学位，是全国杰出专业技术人才，国 家百千万人才工程有突出贡献的中青年专家，教授级高级工程师，荣获国家 技术发明二等奖。现任公司董事长、首席技术官、核心技术人员，兼任同创 普润（上海）机电高科技有限公司、宁波兆盈医疗器械有限公司、北京睿昇 精机半导体科技有限公司、沈阳睿昇精密制造有限公司、MKN 铝业株式会 社、日本同创普润轻金属株式会社、西安江丰海纳工业技术发展有限公司董 事长，以及多家公司的副董事长。我们认为，公司高管具备较为深厚的技术 背景，重视技术及研发工作，有利于公司在长期发展的过程中不断创新。 根据 2023 年年报，江丰电子董事长、实际控制人姚力军持有公司 21.39% 的股权，宁波拜耳克管理咨询有限公司、上海智鼎博能投资合伙企业(有限 合伙)、宁波江阁实业投资合伙企业(有限合伙)、宁波宏德实业投资合伙企业 (有限合伙)分别持股 4.33%、3.14%、2.08%、2.08%。

2023 年 9 月，公司回购股份方案获批。根据公司公告，用于回购的资 金总额不低于人民币 5,000 万元（含）且不超过人民币 8,000 万元（含），回购股份的价格不超过人民币 85 元/股（含）。截至 2024 年 7 月 31 日，公司 通过股份回购专用证券账户以集中竞价交易方式回购公司股份 1,020,200 股， 占公司总股本的比例为 0.3845%，成交的最低价格为人民币 39.70 元/股，成 交的最高价格为人民币 59.80 元/股，支付的总金额约为人民币 5200 万元。

1.3. 营收增势稳健，开拓新增量领域

营收总体保持增长，盈利呈现周期性。2019-2023 年，公司营业收入从 8.25 亿元增至 26.02 亿元，CAGR 为 33.26%，保持了较高的增速。我们认 为，公司业绩增速较快主要受益于公司持续加强研发投入，提升核心竞争力； 公司超高纯溅射靶材研发进展顺利，积极拓展市场份额；半导体精密零部件 产线建成投产，实现国产替代，新产品加速放量，推进半导体精密零部件产 能建设。我们认为，公司营收与半导体行业周期存在正相关性，伴随半导体 行业逐步复苏，公司营收有望持续增长。 近三年营收呈增长态势，积极开拓新增长领域。2021 年营业收入为 15.94 亿元，同比+36.64%，归母净利润为 1.07 亿元，同比-27.55%。2022 年 营业收入为 23.24 亿元，同比+45.80%，归母净利润为 2.65 亿元，同比 +148.71%。2023 年营业收入为 26.02 亿元，同比+11.95%，归母净利润为 2.55 亿元，同比-3.67%。2023 年，超高纯金属溅射靶材扩产等项目的推进， 导致相应成本费用有所增加，该年业绩有所波动，我们认为未来随着公司业 务布局逐步完善，业绩有望持续受益。

主业高纯溅射靶材营收稳定，半导体精密零部件业务增速较快。营业 收入按产品结构来看，高纯溅射靶材 2022/2023 年营业收入分别为 1611.43/1672.57 百万元，总体来看保持稳定；半导体精密零部件 2023 年增 长幅度较大达到 59.14%，半导体精密零部件 2022/2023 年营业收入分别为 358.25/570.12 百万元，增速较快。按产品结构观察公司毛利率水平，高纯溅 射靶材毛利率相对稳定，2022/2023 年毛利率分别为 30.38%/28.45%，2023年高纯溅射靶材毛利率同比下降 6.35pct。半导体精密零部件毛利率呈现提 升态势，2022/2023 年毛利率分别为 23.78%/27.08%，2023 年半导体精密零 部件毛利率同比上升 13.88pct。我们认为主要系由于受到全球经济环境、半 导体行业周期等外部因素影响公司毛利率，随着全球经济及半导体周期逐 步复苏，公司高纯溅射靶材毛利率有望逐步抬升。

持续加大研发投入，夯实领先技术优势。2021 年，公司研发费用投入 达 9826 万元，同比增长 33.13%。2022 年，公司研发费用投入达 1.24 亿元， 同比增长 25.74%。2023 年，公司研发费用投入达 1.72 亿元，同比增长 37.87%； 截至 2023 年 12 月 31 日，公司及子公司共取得国内有效授权专利 784 项， 包括发明专利 482 项，实用新型 302 项。另外，公司取得韩国发明专利 4 项、中国台湾地区发明专利 1 项、日本发明专利 2 项，涵盖了交易晶粒晶 向控制、焊接技术、精密加工、清洗包装等一系列生产工艺。我们认为，公 司重视研发，近三年来研发投入不断提升，研发人员数量提升，随着新技术 验证落地，有望全面提升公司综合竞争力。

2. 溅射靶材不可或缺，国产替代空间大增速快

2.1. 高纯金属溅射靶材是集成电路用核心材料之一

高纯金属溅射靶材是集成电路金属化工艺中采用物理气相沉积方法制 备薄膜的关键材料。根据中国工程科学 2023 年第 1 期何金江等所著《集成 电路用高纯金属溅射靶材发展研究》一文，早期的集成电路主要使用铝及铝 合金、钛及部分贵金属等作为靶材；随着集成电路先进逻辑、先进存储、先 进封装以及其他新器件技术的发展，使用靶材拓展至铜、钽、钴、镍、钨、 钼、钒、金、银、铂、钌、钪、镧等有色金属及合金材料。与平面显示、太 阳能等领域相比，集成电路对靶材的技术要求最高，集成电路用靶材的制备 技术突破难度最大。为了提升靶材的综合性能，在高纯金属冶金提纯、熔铸 成型、粉末烧结、微观组织调控、异质焊接，靶材结构优化设计、分析检测、 应用评价等方面开展了系统研发。随着集成电路 7 nm 及以下先进逻辑器件、 新型存储器件、三维集成等先进器件及技术的创新突破，靶材技术性能提升 方面的需求更显迫切，同时下游应用验证的难度进一步增大。

高纯金属溅射靶材主要应用在前道晶圆制造、后道封装的金属化工艺 中。根据中国工程科学 2023 年第 1 期何金江等所著《集成电路用高纯金属 溅射靶材发展研究》一文，高纯金属溅射靶材在集成电路前道晶圆制造、后 道封装的金属化工艺中有着广泛应用，主要用于制作互连线、阻挡层、通孔、 接触层、金属栅以及润湿层、黏结层、抗氧化层等薄膜。高纯金属是制备靶 材的原材料，化学纯度是影响薄膜材料性能的关键因素之一。集成电路用高 纯金属靶材纯度通常在 4N5 以上，对碱金属、碱土金属、放射性金属元素、 气体杂质等都有严格控制要求。随着技术节点的缩小，金属靶材的纯度对薄 膜材料性能及品质的影响突显，如 14 nm 用铜靶材纯度要求超过 6N5。高 纯金属材料提纯制备技术主要分为物理提纯法、化学提纯法，通常采用多种 物理、化学方法联合提纯来制备集成电路用高纯材料。集成电路用高纯金属 溅射靶材在密度、晶粒尺寸、织构、焊接结合率、尺寸精度、表面质量等方 面有一整套严格的标准。集成电路工艺越先进，对金属靶材品质的要求也越 高。随着晶圆尺寸的增加，金属靶材尺寸随之增大，材料的组织均匀性控制、 高精度成型加工等技术难度也在提升。为了进一步提高金属靶材的使用性 能，还需对靶材外型结构进行优化设计。因此，从微观品质、宏观规格来看， 高纯金属溅射靶材面临着越来越高的技术要求。

溅射靶材下游主要用于平面显示、信息存储、光伏电池以及半导体领 域。根据华经产业研究院报告，溅射靶材下游应用领域广泛，在平面显示、 信息存储、光伏电池、半导体芯片等行业被广泛应用。其中平面显示市场应 用最为广泛，占比 34%；其次为信息存储、光伏电池，占比分别为 29%、 21%。我们认为，溅射靶材下游应用广泛，随着大规模集成电路用高纯金属 靶材领域应用不断拓展，溅射靶材正朝着高纯度、大尺寸、高致密度、高溅 射速率和高利用率等方向快速发展，综合性能将持续提升，高端靶材产品价 值量或将逐步提升。

2.2. 2032 年纯金属溅射靶材全球市场或达 26.3 亿美元，国内增 速快

2023 年全球溅射靶材市场规模或达 258 亿美元，2017 至 2023 年期间 复合增长率或达 12.25%。根据中商情报网数据，2017 至 2023 年全球溅射 靶材市场规模总体呈快速增长态势，预计 2023 年其市场规模将达 258 亿美 元。我们认为，随着随着平板显示、风光储、大数据、人工智能等新型基础 设施和技术发展，溅射靶材的终端应用领域或将进一步扩大，未来其市场规 模或将呈现持续增长态势。

2023 年全球纯金属溅射靶材市场规模或达 21.9 亿美元，预计 2032 年 市场规模将达 26.3 亿美元，2023 至 2032 年期间复合增长率或达 2.1%。根 据 Business Research 数据，2023 年全球纯金属溅射靶材市场规模为 21.9 亿 美元，预计到 2032 年将到达 26.3 亿美元，2023-2032 年 CAGR 为 2.1%。 我们认为，高纯金属溅射靶材在溅射靶材市场中的占比或将逐步提高，增长 预计将来自于人工智能需求迅速攀升的半导体以及光电产业。

我们认为，中国靶材市场规模年复合增长率或将继续保持较高水平， 半导体溅射靶材市场增速或将超过行业平均增速。根据中商产业研究院数 据，2018 至 2022 年年中国靶材市场规模从 243 亿元增至 395 亿元，年均复 合增长率为 12.9%，预计 2023 年中国靶材市场规模将达 431 亿元。根据华 经产业研究院援引 SEMI 数据，中国半导体靶材市场晶圆制造材料中靶材 占比略低于封装材料，分别为 2.7%和 2.6%；2021 年半导体靶材市场规模约 达 21.2 亿元，同比 2020 年增长 24.7%。根据前瞻产业研究院预测，预计 2021 至 2026 年, 中国半导体靶材的市场规模保持 10%至 15%增长率。我们 预测，到 2025 年中国半导体用靶材行业市场规模或达 37 亿元。

2.3. 高性能靶材全球竞争金字塔分布，国内国产替代空间巨大

全球范围高性能溅射靶材产业链各环节参与企业数量基本呈金字塔型 分布。根据集微网，金字塔尖高纯金属供给及高性能溅射靶材制造环节产业 集中度高、技术门槛高、设备投资大，具有规模化生产能力的企业数量相对 较少，以霍尼韦尔（美国）、JX 金属（日本）、东曹（日本）等跨国集团为 代表的溅射靶材生产商较早涉足该领域，并在掌握先进技术以后实施垄断 和封锁，主导着技术革新和产业发展。另外，三井矿业、住友化学、爱发科、 世泰科、攀时等在各自的优势靶材领域占据了较强势的市场地位。根据中商 研究院报告，2022 年全球溅射靶材市场主要有四家企业，分别是 JX 日矿金 属、霍尼韦尔、东曹和普莱克斯，市场份额分别为 30%、20%、20%和 10%， 合计垄断了全球 80%的市场份额。

中国溅射靶材市场份额呈现出外资垄断格局，江丰电子、阿石创、隆华 科技为国内主要靶材厂商。根据北京研精毕智的行业分析数据显示，2021年中国溅射靶材行业内排名前三的企业分别是霍尼韦尔、普莱克斯和东曹， 市场份额占比分别为 26.9%、22.5%和 19.7%；其次是江丰电子和有研新材 两家国内企业的市场份额占比为 10.2%和 6.8%，此外其他企业所占比重之 和为 13.9%。从中国溅射靶材行业应用领域方面来看，主要集中在平板显示、 光伏电池、半导体和信息存储等领域，其中平板显示和信息存储两大应用领 域所占的比重最高，2021 年两者占比分别达到 34.1%和 29.2%；其次是光伏 电池和半导体领域的占比为 16.5%和 10.9%，其他溅射靶材应用领域占比之 和共计为 9.3%。我们认为，海外靶材公司凭借先发优势在国内靶材市场中 占据绝对优势，美国、日本等高纯金属制造商主要集中在技术壁垒较高的高 端靶材产品领域，国内厂商面临较为激烈竞争。

我们认为，溅射靶材国内厂商正处于对国际厂商的加速替代过程中。 江丰电子等公司掌握了高性能溅射靶材研发及生产环节的相关技术并可以 进行批量生产，成功进入国内外知名平面显示、半导体等下游制造企业的供 应链环节。国内靶材厂商或将保障国内重点行业上游关键原材料的自主可 控及供应安全。半导体靶材国产化率较低，国产替代空间巨大。

3. 靶材业务稳健增长，零部件业务或带来新增量

3.1. 领先地位持续稳固，护城河不断拓宽

江丰电子是高纯金属溅射靶材领先企业，护城河不断拓宽。根据公司 2023 年年报，公司已经掌握了超高纯金属溅射靶材生产中的核心技术，形 成了晶粒晶向控制、材料焊接、精密加工、产品检测、清洗包装等在内的完 整业务流程，通过合理调配机器设备和生产资源自主组织生产，实行柔性化 生产管理。在先进制程领域，公司持续适应下游客户不同的技术路线演变需 求和变革需求，从而实现先进制程领域超高纯金属溅射靶材在客户端的规 模化量产。 根据公司 2023 年年报，公司持续加大研发投入和装备扩充，积极推进超高纯金属溅射靶材扩产项目，并且充分发挥龙头企业的牵引作用，成功构 建安全稳定的供应链体系，产业链护城河不断拓宽。同时，公司持续追踪客 户需求，以行业领先的高品质产品为全球客户提供综合解决方案，加强市场 渗透、扩大市场份额，销售规模逆势增长，公司铜锰合金靶材已经在国内外 量产，全面进入国际著名芯片制造企业。2023 年，超高纯靶材实现销售收 入 16.73 亿元，同比增长 3.79%。2023 年 10 月，韩国孙公司 KFAM CO., LTD.完成登记注册，计划在韩国新建一座现代化的半导体靶材生产工厂， 韩国生产基地的建设有助于公司实现全球化战略布局，提高产品的市场占 有率和国际竞争力，保证半导体材料全球供应链的稳定性。

公司重视高纯溅射靶材的产品质量质量和性能，以确保产品的品质和 可靠性。根据公司 2023 年年报，公司建有针对物理气相沉积(PVD)材料的 分析实验室，并通过了 CNAS 认证。公司分析实验室配备各类先进检测设 备和仪器，如分析材料晶粒的形貌和大小的结晶组织分析系统，分析焊接结 合率以及材料缺陷、冷却水管道的超声波焊接扫描系统 C-SCAN，用于尺寸 检测、溅射后靶材残余量分析的三维坐标测量仪 CMM，对元素进行快速定 性分析及合金含量分析的 X 射线荧光分桥仪 XRF，快速测定材料结构 X 射 线衍射分析仪 XRD，分析材料形貌、成份的扫描电子显微镜 SEM，对材料 成份定性定量分析电感耦合等离子体光谱仪 ICP-OES、电感耦合等离子体 质谱仪 ICP-MS/MS、直读光谱仪 OES、荧光色散光谱仪 EDX,分析杂质元 素的辉光放电质谱仪 GDMS，分析 CS、ON、H 元素的 LECO 气体分析仪， 显微结构及织构的电子背散射衍射分析仪 EBSD，液体中颗粒不溶物颗粒数 量及粒径分布的 LPC。这些设备为公司实施严格的质量检测程序提供了有 力的技术保障，最大限度地保证了产品质量和技术含量，有利于提升客户满 意度和市场竞争力，同时，先进的研发设备也为公司产品的后续开发建立了 宽范围的拓展平台，为客户新材料、新工艺的探索提供了技术支撑。

公司建立起良好口碑，已成为诸多国际大厂的供应商，并推进设备和 产线的国产化。根据公司 2023 年年报，经过数年发展，凭借着领先的技术 水平和稳定的产品性能，公司已经成为中芯国际、台积电、SK 海力士、京 东方等国内外知名厂商的高纯溅射靶材供应商。公司坚持自主创新，主导并 联合国内设备厂商研发定制了高纯金属溅射靶材关键制造装备，配备了包 括靶材塑性加工、焊接、表面处理、机械加工、分析检测等全套装备，建造 了现代化的高纯金属溅射靶材和半导体精密零部件生产厂房，开创性地改 造和新建了超高纯金属溅射靶材智能化产线，逐步实现了生产装备的自主 可控和生产线的国产化，能够对高纯溅射靶材的各项品质要求进行精准控 制，从而满足全球不同客户机台溅射的使用要求。 研发创新持续保持技术领先性。根据公司年报，2023 年公司研发费用 投入达 1.72 亿元，同比增长 37.87%；截至 2023 年 12 月 31 日，公司及子 公司共取得国内有效授权专利 784 项，包括发明专利 482 项，实用新型 302 项。根据公司官网，公司先后承担了国家 02 重大专项、国家 863 重大专项、 发改委高技术产业化项目、工信部电子发展基金等科研及产业化项目。公司 及产品分别荣获“国家知识产权优势企业”、“国家制造业单项冠军示范企 业”、“中国半导体材料十强企业”、“国家战略性创新产品”、“中国半导体创 新产品和技术奖”、“浙江省科学技术重大贡献奖”、“浙江省科技发明一等 奖”、“浙江出口名牌产品”等。部分科技成果参加了国家“十一五”、“十二 五”重大科技成果展，公司主导并联合国内设备厂家研制了靶材生产、检测 的关键设备，实现了生产线的国产化。

我们认为，公司不断巩固在主业靶材竞争市场中的领先地位，研发创新 持续保持技术领先性，积极拓宽护城河。在国内国外市场已经建立起良好口 碑，并已成为诸多国际大厂的供应商。同时推进设备和产线的国产化，改造 新建超高纯金属溅射靶材智能化产线，逐步实现了生产装备的自主可控和 生产线的国产化，从而满足全球不同客户机台溅射的使用要求。我们认为， 公司靶材业务稳健，产线自主可控能力强，随着公司研发成果不断落地实 现，公司高纯溅射靶材业务有望持续增长。

3.2. 三大业务持续增长，24H1 业绩高增

2023 年公司三大业务齐头并进，营收稳定持续增长。根据公司 2023 年 年报，2023 年公司积极扩大全球市场份额，加大技术创新和研发投入，不 断推出新产品推进产品迭代升级和生产工艺创新，构建安全稳定供应链，积 极拓展战略性业务布局，形成超高纯金属溅射靶材、半导体精密零部件、第 三代半导体关键材料为核心的三大业务主线，实现业务快速发展。2023 年， 公司实现营业收入 26.02 亿元，同比增长 11.89%；实现归属于上市公司股 东的净利润 2.55 亿元，同比下降 3.35%；实现归属于上市公司股东的扣除 非经常性损益后的净利润 1.56 亿元，同比下降 28.65%。 超高纯溅射靶材增速稳定，积极扩产有望提升盈利能力。根据公司 2023 年年报，2023 年公司持续加大研发投入和装备扩充，积极推进超高纯金属 溅射靶材扩产项目。公司铜锰合金靶材已经在国内外量产，全面进入国际著 名芯片制造企业。报告期内，超高纯靶材实现销售收入 16.73 亿元，同比增 长 3.79%。 半导体精密零部件快速成长，2023 年同比增长 58.55%。根据公司 2023 年年报，2023 年公司积极推动余姚、上海、杭州、沈阳等基地的产能建设， 全面布局金属和非金属类半导体精密零部件，气体分配盘（Shower head）、Si 电极等核心功能零部件迅速放量，填补了国产化空白，为工艺设备上游 的零部件国产化做出了重要贡献，市场认可度不断提高。报告期内，半导体 精密零部件业务实现销售收入 5.70 亿元，同比增长 58.55%。

第三代半导体产品进展顺利。根据公司 2023 年年报，2023 年控股子公 司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可广 泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件 IGBT 等领域。控 股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为我 国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。 2024 年上半年，公司业绩亮眼，全年业绩或超预期。根据公司 2024 年 半年度业绩报告，公司实现营业收入约 16.27 亿元，较上年同期增长 35.91%， 归属于上市公司股东的净利润约 1.61 亿元，较上年同期上升 5.32%，归属 于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润 16,971.90 万元，较上年同 期上升 73.49%。第二季度单季度实现 8.55 亿元，超高纯靶材和精密零部件 均创历史新高；其中精密零部件业务同比增长 96.14%，第二季度单季度实 现 2.24 亿元，创历史新高。公司表示，24H1 持续加大研发投入，提升新产 品、新技术的研发能力，强化先端制程产品竞争力，努力扩大全球市场份额， 国内外客户订单持续增加，营业收入持续增长。同时，公司受益于在半导体 精密零部件领域的战略布局，多个生产基地陆续完成建设并投产，迅速拓展 产品线，大量新产品完成技术攻关，逐步从试制阶段推进到批量生产，公司 半导体精密零部件产品销售持续放量。

公司积极推进扩产计划，多个生产基地进展顺利。根据公司公告，武汉 基地平板显示用高纯金属靶材及部件建设项目总投资 30,355.76 万元，拟使 用募集资金 24,619.12 万元。将建设平板显示制造用的铝靶、铜靶、钼靶等 全系列高纯金属溅射靶材的生产线、机台关键部件产品生产线。项目建成后 将实现为武汉及周边地区的平板显示器制造商规模化就近供应平板显示用 高纯金属溅射靶材及机台相关部件，截至 2024 年 6 月 30 日累计投入进度 已达 54.62%。根据公司 2023 年年报，公司向特定对象发行股票的募投项目 “宁波江丰电子年产 5.2 万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产 业化项目”、“浙江海宁年产 1.8 万个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶 材产业化项目”正在积极建设中，未来募投项目的投产将有助于公司显著提 升半导体靶材产能，进一步提升公司的市场份额和竞争地位。 我们认为，随着半导体周期复苏，公司高纯溅射靶材业务有望持续恢复， 叠加半导体精密零部件、第三代半导体等新增量，公司全年有望持续受益。

3.3. 零部件业务是第二成长曲线，第三代半导体材料进展顺利

公司积极拓展新盈利增长点，半导体精密零部件进展顺利。根据公司 年报，随着半导体生产制造设备国产替代持续推进，带动了半导体精密零部 件行业的发展，作为半导体设备核心技术演进的关键，半导体精密零部件具有广阔的市场前景。公司受益于在半导体用超高纯金属溅射靶材积累的技 术、经验及客户优势，实现了半导体精密零部件业务的快速成长。2023 年， 半导体精密零部件业务实现销售收入 5.70 亿元，同比增长 58.55%。根据公 司官网，公司生产的半导体精密零部件包括以下，PVD 机台用 Clamp Ring、 Collimator；CVD、etching 机台用 face plate、shower head 等、化学机械研磨 机台用金刚石研磨片、Retaining Ring 等。 根据公司官网，2024 年 8 月江丰电子控股公司杭州睿昇半导体科技有 限公司的年产 15 万片集成电路核心零部件产业化项目举行了盛大的开工典 礼仪式。项目总用地面积约 55 亩，总建筑面积达 58483 平方米，将引进国 内外先进的生产设备和技术，采用科学规划布局，打造高效率、智能化的生 产线，将在临平打造出一座一流的现代化半导体产业基地。项目将专注于石 英、硅、陶瓷、碳化硅等集成电路核心零部件的生产，旨在为国内外设备厂 及晶圆厂提供高质量、定制化的产品和服务。

公司已经在第三代半导体材料领域取得进展。根据公司年报，控股子 公司宁波江丰同芯的主要产品高端覆铜陶瓷基板已初步获得市场认可，可 广泛应用于第三代半导体芯片和新型大功率电力电子器件 IGBT 等领域。 控股子公司晶丰芯驰生产的碳化硅外延片产品已经得到多家客户认可，为 我国碳化硅产业链的蓬勃发展注入新动能。我们认为，公司积极拓展新增长 点，随着精密半导体零部件业务与第三代半导体业务顺利开展，公司业绩 有望持续受益。

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