2024年石英砂行业研究报告：石英资源应用高端化，新材料国产化加速

1. 投资故事

石英资源应用纳米化与高纯化趋势下，硅微粉和高纯石英砂值得关注。 石英是几乎所有硅基材料的原料，在自然界中分布广泛，矿床类型多样。 不同的原矿品位及加工工艺，对应的石英砂下游应用存在差异。结合我 们在《硅基材料研究框架》中所提出的“硅基新材料的核心在于纳米化 和高纯化”的主要观点，以及各类石英砂/粉的制备难度与下游的增长态 势，我们认为有两个新材料品类值得关注：1）硅微粉、2）高纯石英砂。

硅微粉：电子级球硅技术密集+客户粘性高壁垒，核心下游覆铜板与环 氧塑封料在总量及结构上双重驱动。硅微粉作为功能性填料，产品分类 多样、下游应用广泛，中低端产品国内供应充足，而电子级球硅仍高度 依赖日本供应。随下游的快速迭代，球硅的生产技术正朝着超细、高纯、 Lowα、Low Df 等方向持续突破，技术密集属性以及上下游深度融合的 强客户粘性构成厂商的核心壁垒。成长性角度，一方面在于下游多领域 需求的持续扩充，另一方面在于高频高速 CCL、先进封装 EMC 等需求 高端化带来的产品价值量提升。近年国内厂商在电子级球硅技术工艺上 取得突破，国产替代进程即将提速。

高纯石英砂：矿源+提纯工艺高壁垒，内层砂集中格局短期难改，长期关 注合成砂产业化进程。作为石英坩埚的主要原料，高纯石英砂对晶硅拉 制的成晶过程及晶棒质量起到关键作用，4N8 级别及以上产品进口依赖 度仍然较高。随光伏装机需求增长，叠加硅片 N 型及大尺寸化趋势，有 望进一步拉动光伏坩埚用高纯砂需求。需求驱动下，国内厂商正逐步突 破海外垄断，开启国产替代。受制于优质矿源的匮乏，降低我国高纯石 英对外依存度、提升供应链稳定性与安全性的途径，中短期重点仍在于 产业竞争推动的高壁垒提纯工艺突破，长期可关注合成石英砂的产业化 进程。随高纯砂价格高涨，国内产业链投资加速，随 2024 年扩产落地， 高纯砂紧缺现状将得到改善，但内层砂供应增量短期或仍然有限，格局 仍相对集中。

2. 石英资源应用高端化，硅微粉与高纯石英砂值得关 注

石英是几乎所有硅基材料的原料，在自然界中分布广泛，矿床类型多样。 石英的主要成分为 SiO2，物理和化学性质稳定，是一种重要的矿产资源。 其工业应用领域十分广泛，使用量和工业产值巨大，尤其是在电子信息、 新材料和新能源等战略性新兴产业中得到广泛应用。目前能够作为工业 应用的石英矿物资源主要有七种矿床工业类型: 天然水晶、石英砂岩、 石英岩、脉石英、粉石英、天然石英砂和花岗岩石英。不同矿床工业类 型的石英具有各自的应用特性，这种差异性导致石英资源的开发与利用 具有多样性和复杂性。因此，根据不同矿床工业类型石英的特点有针对 性地进行开发与利用，是石英矿物原料加工技术及相关应用的关键。

不同的原矿品位及加工工艺，对应的石英砂下游应用存在差异。石英矿 一般都含有伴生矿物和杂质，往往需要经过选矿提纯、破碎等加工流程， 制成石英砂/粉，应用于各个行业。我们参考中旗新材所公告的脉石英矿 资源利用，结合当前产业应用现状，对不同原矿石品位对应的石英砂应 用进行分类。依据原矿石品位的差异，中等及以下品位可作为人造石材、 传统浮法玻璃、铸造材料等用普通石英砂，以及光伏玻璃低铁砂、工业 硅冶炼石英砂等；中等偏上品位可深加工为 TFT 粉、硅微粉等；最高等 级品位可经提纯制得高纯石英砂等。 除天然石英砂外，目前已有企业尝试生产合成石英砂，其主要以含硅化 合物为原料，通过化学合成的方式制得。合成石英砂的主要优势在于高 纯度，但其成本高昂，现阶段尚未实现大规模工业化生产。

依据 SiO2 含量的差异划分，可以将石英砂大致分为普通砂、精制砂、 高纯砂三类。按 SiO2 的含量可以将石英砂分成不同等级，但石英砂应 用领域广泛，不同的应用下各有分类，目前尚无统一标准。在此简要划 分：1）普通石英砂：w(SiO2) ≤99%的石英砂，主要用于传统领域，如 浮法玻璃、陶瓷、铸造、耐火材料、人造石材等；2）精制石英砂：99% ＜w(SiO2)≤99.9%的石英砂，主要用于光伏玻璃、光学及仪器玻璃等； 3）高纯石英砂：w(SiO2)＞99.9%的石英砂，主要用于生产高端光学器件、 激光器件、光纤通信、光伏、半导体等领域用石英制品。 我国石英砂产量逐年增长，结构上以普通砂和精制砂为主。2015-2022 年， 我国石英砂产量持续增长，由 6786 万吨增长至 9407 万吨。然而在结构 上，以 2021 年数据为例，价值量较低的普通石英砂和精制石英砂占比分 别为 50%和 42%，高纯石英砂占比仅 8%左右。

3. 硅微粉：电子级球硅壁垒高筑，高频高速 CCL+先 进封装 EMC 驱动增长

硅微粉的类别及相应用途多样，我们认为值得关注的品类在于国产化率 仍然较低的高壁垒电子级球硅。从成长性角度来看，一方面在于下游多 领域需求的持续扩充，另一方面在于高频高速 CCL、先进封装 EMC 等 需求高端化带来的产品价值量提升。随近年国内技术突破，已有多家厂 商相继布局，在国产替代进程中，由于电子级球硅具有技术密集与客户 粘性两大壁垒，我们认为率先取得突破、进入下游供应链的厂商或有较 为显著的先发优势。

3.1. 硅微粉类别多样，技术密集+客户粘性为球硅核心壁垒

硅微粉是一种性能优异、应用广泛的无机非金属功能性填料。硅微粉是 以结晶石英、熔融石英等为原料，经研磨、精密分级、除杂等多道工艺 加工而成的二氧化硅粉体材料，具有“三高”（高绝缘性、高热传导、高 热稳定性）、“三低”（低热膨胀系数、低介电常数、低原料成本）、“两耐” （耐酸碱性、耐磨性）等优良特性，广泛用于电子电路基板、芯片封装 材料、新型绝缘制品、胶粘剂、蜂窝陶瓷、3D 打印、齿科材料、涂料等 领域。

产品分类多样，中低端产品国内供应充足，重点关注电子级球硅的国产 替代。1）按颗粒形态分为角形硅微粉（包括结晶和熔融硅微粉）和球形 硅微粉；2）按用途分为：普通级、电工级、电子级硅微粉。国内生产的 主要是角形结晶硅微粉和角形熔融硅微粉，基本能满足国内市场需求， 也有部分出口，但大部分产品档次较低，国内市场需求的高档硅微粉如 球形硅微粉仍依赖国外进口，仅少数国内厂商具备电子级球硅的生产能 力，国产替代空间广阔。 生产技术正朝着超细、高纯、Lowα、LowDf 等方向持续突破。随集成电路行业的持续发展，芯片先进封装、高频高速覆铜板等下游的驱动， 对硅微粉的填充性能提出更高要求，例如形态上要求填充率更高的球形， 粒度上由微米级逐步迈向亚微米级、纳米级，同时进一步要求高化学纯 度、低放射性（Lowα）、低介质损耗（Low Df）等产品特性。

核心壁垒在于技术密集属性和较强的客户粘性。功能性陶瓷粉体填料是 典型的技术密集型产品，电子级球硅的核心技术壁垒主要在于球化和纯 化，对粒度、球形度、球形化率、磁性异物、放射性元素等含量的控制 和产品性能的持续优化，依赖于长期技术工艺积累和研发投入。同时， 硅微粉作为功能性填料，其性能对下游产品质量起着至关重要的影响，客户为了保证其产品质量，通常需要对上游粉体企业进行考察和审查认 证，一旦进入其合格材料体系认证供应商中，则不会轻易更换，形成较 高的进入壁垒。此外，随着当下产品的快速迭代，性能的提升需要对于 技术工艺和装备的研究持续不断地开展，较多高端产品涉及到材料厂商 与下游客户的合作开发，需要供应链上下游之间的深度融合，体现出较 强的客户粘性。具有品牌、规模、技术优势的企业在高附加值产品、高 端应用领域更具竞争优势。

3.2. 增长动能充沛，高价值球硅份额持续提升

3.2.1. 下游应用广泛，成长空间广阔

2025 年国内空间预计达 185 亿元，电子级球硅占比 30%。以硅微粉的几个主要应用领域覆铜板、环氧塑封料、 蜂窝陶瓷、涂料及高端建材测算硅微粉市场需求，预计 2025 年国内硅微 粉市场规模有望达 185 亿元，2021-2025 年 CAGR 9.2%，其中，覆铜板 及封装用球硅占比由 2021 年的 25%提升至 2025 年的 30%。分领域看， 预计 2025 年覆铜板/环氧塑封料/蜂窝陶瓷/涂料/高级建材用硅微粉市场 规模分别达 47.7/17.3/2.0/30.7/87.6 亿元，2021-2025 年 CAGR 分别为 13.2%/7.5%/7.3%/7.7%/8.3%。 其中，球形硅微粉方面，1）覆铜板用：我国 2022 年覆铜板用球硅需求 约 17.8 万吨，受高频高速覆铜板需求推动，球硅填充比例有望进一步提 升，预计 2025 年将达 26.7 万吨，2022-2025 年 CAGR 达 14.5%，2025 年市场规模将达 40 亿元；2）封装用：我国 2022 年半导体封装用球硅 需求为 7.1 万吨，随先进封装占比进一步提升，预计 2025 年将达到 9.3 万吨，2022-2025 年 CAGR 达 9.3%，2025 年市场规模将近 15 亿元。

3.2.2. 驱动一：覆铜板高频高速与小型化趋势

硅微粉是覆铜板的主要功能性填料，填充重量比例约 15%。覆铜板（CCL） 是将玻璃纤维或其他增强材料浸以树脂基体，添加不同的填料，通过调 胶、浸润等工艺将一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种电子基础 材料。为了降低覆铜板的生产成本，提高其耐热、导电性以及机械性能， 通常需要在制备覆铜板的过程中加入无机填料，如硅微粉等。目前行业 实践中树脂的填充比例在 50%左右，硅微粉在树脂中的填充率一般为 30%，即硅微粉在覆铜板中的填充重量比例达到 15%。

下游应用领域蓬勃发展，全球 PCB 产值增长带动 CCL 需求高增。随着 下游通信、汽车、云计算、物联网、智能家居、可穿戴设备等新兴领域 的蓬勃发展，PCB 行业作为整个电子产业链中承上启下的基础力量，迎 来新一轮的发展周期。Prismark 数据显示，2022 年全球 PCB 市场规模达 817 亿美元，预计 2022-2027 年 CAGR 3.8%，到 2027 年将达 984 亿美 元。其中，中国 2022 年 PCB 市场规模达 435 亿美元，已经成为全球 PCB 业产量最大的区域，在 PCB 产业有着不可动摇的地位。

通信技术升级推动覆铜板行业的“高频高速化”，对硅微粉的粒径、电性 能与表面处理等提出更高要求。每十年左右一次的移动通信技术重大升 级带来传输速率和频率的显著提升。5G 时代，通信频率已上升到 5GHz 或者 20GHz 以上频段，传输速率达到 10-20Gbps 以上。全球 5G 市场的 增长对 PCB 及其关键原材料 CCL 提出更高要求。CCL 需要具备高玻璃 化温度、高模量及低热膨胀系数、低介电常数（Dk）及低介质损耗（Df） 等来提高电子电路互联与安装的可靠性，应对高频信号穿透力差、衰减 速度快的问题，满足信号传输高频化和高速化的发展要求。业内根据 Df 将覆铜板分为六个等级，传输速率越高对应需要的 Df 值越低，对应硅 微粉等材料的技术难度越高。

“轻、薄、短、小”需求推动 HDI、IC 载板的渗透。终端电子产品向轻 薄化、小型化以及多功能化方向发展，为了实现更少空间、更快速度、 更高性能的目标，对 PCB 的“轻、薄、短、小”要求不断提高，HDI（高 密度互连）应运而生，以实现更小的孔径、更细的线宽，节约 PCB 可布 线面积、大幅度提高元器件密度、改善射频干扰/电磁波干扰/静电释放等。 HDI 主板主要分为一阶、二阶、三阶、Any layer HDI，特征尺寸逐渐缩 小，制造难度也逐渐增加。伴随着 5G 跨 6G 的到来，下游在集成度和性 能上提出更高要求，在 HDI 技术基础上，采用 mSAP 等工艺的 SLP 出 现，其线宽线距更小、堆叠层数更多。此外，为了适应电子技术高精高 密、小型化和轻薄化的特点，IC 载板基于 HDI 相关技术逐渐演进而来， 是对传统集成电路封装引线框架的升级，用于各类芯片封装环节，一定 程度上代表了目前 PCB 领域的最高技术水平，对上游填料硅微粉的介 质损耗等技术指标也更为严苛。随着电子产品的持续更新换代，HDI 板 市场规模不断增长，据 Prismark，HDI 板 2021 年市场规模为 118 亿美 元，预计 2026 年可达 150 亿美元。

3.2.3. 驱动二：先进封装的迭代与渗透

终端应用对先进封装的需求多样，市占有望持续提升。随芯片制程技术 进入“后摩尔时代”，先进封装能在不单纯依靠芯片制程工艺实现突破的 情况下，提高产品集成度和功能多样化，满足终端应用对芯片轻薄、低 功耗、高性能的需求，是全球封装市场发展的关键因素。据 Yole 预测， 全球先进封装 2022 年市场规模 443 亿美元，预计 2022-2028 年将 CAGR 达 10.6% ，规模增长至 786 亿美元。相比之下，传统封装市场 2022-2028 年 CAGR 预计放缓至 3.2%。随全球半导体产业链逐渐向国内转移，封 测产业已成为我国半导体的强势产业，国内市场规模持续向上突破，其 中先进封装占比持续提升，但仍远低于全球水平。

环氧塑封料属于包封材料，是封装环节的核心材料之一，而硅微粉在环 氧塑封料中的填充占比高达 70~90%，作为关键原料，亦面临更严苛的 性能要求。具体来看，由传统封装到先进封装，所用硅微粉的粒径逐渐 减小、低辐射要求提升。例如，α粒子容易引起 DRAM 存储器故障， HBM 用硅微粉需要硅微粉达到低 CUT 点 Low-α级，以降低 DRAM 故 障率。

3.3. 国内技术突破，国产替代加速

近年国内厂商在高端电子级球硅技术工艺上取得突破，国产替代正当时。 全国范围内的大小硅微粉厂近百家，但基本上都属于乡镇企业，大多规 模小、品种单一，采用非矿工业的常规加工设备，在工艺过程中缺乏系 统的控制手段，硅微粉产品的纯度、粒度以及产品质量稳定性差，无法 与进口产品抗衡。据中国粉体技术网，全球中高端硅微粉产能主要集中 在日本，日本厂商在中高端硅微粉市场具有较大先发技术优势，电化株 式会社、日本龙森公司和日本新日铁公司三家企业占据全球球形硅微粉 70%的份额，日本雅都玛公司则垄断了 1 微米以下的球形硅微粉市场。 随近年国内厂家技术突破，已出现少数具备高端电子级球硅生产能力的 厂商。根据测算所得 2022 年国内球硅市场需求，以及相关企业球硅营收 规模，预计国内主要厂商联瑞、华飞合计市场份额占比近 15%，电子级 球硅国产化率仍处于较低水平。

4. 高纯石英砂：中短期看提纯，长期关注合成产业化

作为石英坩埚的主要原料，高纯石英砂对晶硅拉制的成晶过程及晶棒质 量起到关键作用。随光伏等下游的持续发展，高纯砂需求快速提升。需 求驱动下，国内厂商正逐步突破海外龙头的垄断，开启高纯砂的国产替 代进程。往后看我们认为，受制于优质矿源的匮乏，降低我国高纯石英 对外依存度、提升供应链稳定性与安全性的途径，中短期重点仍在于产 业竞争推动的高壁垒提纯工艺突破，长期可关注合成石英砂的产业化进 程。随高纯砂价格高涨，国内产业链投资加速，高纯砂紧缺现状将得到 改善，但内层砂国内供应短期或仍然有限，格局仍相对集中。

4.1. 影响晶硅拉制的关键，国产化仍在途中

高纯石英主要指 SiO2 质量分数高于 99.9%的石英，中低端产品国产化 充分，4N8 级别及以上产品进口依赖度仍然较高。高纯石英主要由天然 水晶、石英砂岩、脉石英等经过加工提纯，或者化学合成而制得。高纯 石英独特的晶体结构和晶格特征使其具有优异的光学特性、耐腐蚀性、 耐高温性、高绝缘性，广泛应用于半导体、光伏、光纤等行业。从中低 端到高端一般应用路径为光源行业(2N~4N)、高端光学器件、激光器件 (4N 以上)到半导体、光伏等领域(4N5~6N)。我国在 3N~4N 中低端产品 上已完成国产化，4N5 级别基本实现国产化，而 4N8 级别及以上产品受 制于矿石原料品级以及提纯技术，仅个别头部厂商具备生产能力。

高纯石英砂的主要应用之一为石英坩埚，用于单晶硅拉制环节，对成晶 过程以及晶棒质量起到关键作用。石英坩埚是光伏和半导体产业拉制单 晶硅棒的关键耗材之一，直接接触多晶硅原料，高纯和高耐温耐久性为 单晶拉制提供保障。高纯石英砂是石英坩埚的关键原料，高纯砂的品质 直接影响了坩埚的杂质、羟基、内表面气泡含量，从而影响成晶过程以 及质量。国内厂商在光伏坩埚用中外层砂上基本实现替代，同时内层砂 已实现突破，国产化率逐步提升，而应用于半导体的产品技术壁垒更高， 且受限于长周期的验证工作，仍基本从国外进口。以下我们的分析主要 针对光伏坩埚用高纯砂展开。

4.2. 享光伏红利，高纯砂需求增势强劲

下游需求高增为石英砂打开广阔空间。近年光伏产业迎来发展黄金期， 光伏新增装机大幅提升。2023 年全球及中国光伏新增装机量较年初预期 更为强劲，据 CPIA 2023 年 2 月发布，预期 2023 年全球光伏新增装机 280-330GW、国内光伏新增装机约 95-120GW，而目前 TrendForce 预计 全球新增装机有望超 400GW，并且据国家能源局统计 2023 年 1-11 月国 内光伏新增装机已近 164GW。虽然行业存在短期增速放缓预期，但不改 产业发展长期潜力。

硅片 N 型+大尺寸趋势叠加降本诉求，对坩埚的纯度/尺寸/寿命提出更 高要求，拉动核心原料高纯石英砂需求。N 型硅片占比正在持续提升， N 型纯度要求更高，石英坩埚使用寿命较 P 型一般低 50-100 小时，同等 尺寸下坩埚耗用量更多。同时，大硅片的演进和企业降本需求，正推动 坩埚持续朝大尺寸方向发展，大尺寸坩埚带来更高的高纯砂单耗。虽然 大尺寸坩埚的使用寿命较小尺寸更长，大尺寸占比提升理论上有助于减 少坩埚更换频次，但在 N 型硅片占比提升的背景下，光伏坩埚整体实际 使用寿命可能趋稳甚至略有缩短。下游装机高增、坩埚用高纯砂单耗提 升、更换频次提升趋势，助推高纯砂需求增长，预计 2023-2025 年高纯 砂需求量分别为 11.7、14.9、18.3 万吨。

高纯石英砂的制备可分为天然提纯法和化学合成法两类。在当前国内优 质原矿资源相对匮乏的背景下，加速高纯石英砂国产替代的主要途径， 一是产业竞争中持续推动的提纯工艺突破，二是实现合成高纯石英砂的 工业化生产。

4.3. 提纯法要求矿源与提纯工艺的深度适配

4.3.1. 稀缺的优质原矿资源是根本

高纯石英技术包括原料选择、提纯工艺、加工装备和质量检测等四个方 面，是既相互独立又相互联系和制约的技术整体，其中以高纯石英原料 的识别、评价和选择最为关键。矿源的选择需要从矿石类型、石英结晶 性、脉石矿物的嵌布特征、杂质赋存状态、包裹体种类和含量等等多个 角度进行评价。矿源的差异对高纯石英砂品质有较大影响。例如，美国 主要厂商和我国主要厂商的同类产品，在化学成分方面基本可以达到一 致的水平，而在除化学成分以外的其他指标上存在差异，比如粒度、形 状、气液包裹体含量、结晶程度等方面，另外，在各项指标控制的稳定 性上也存在差异。 全球优质高纯石英矿源稀缺。目前已探明的矿床主要分布在美国、挪威、 俄罗斯、澳大利亚、加拿大、毛里塔尼亚、中国、印度、巴西等国家。 海外厂商尤尼明、TQC 的矿源均主要来自美国斯普鲁斯派恩矿，该矿床 规模最大且品级最为优质，供给了全球大部分高纯石英砂需求量，在相 当长时间内甚至是唯一的来源地。

我国石英资源整体品位较低，中高端石英砂依赖进口矿源。据自然资源 部统计，2022 年我国玻璃硅质原料矿石储量 18.61 亿吨，其中，从矿床 类型来看，石英岩 / 天 然石 英 砂/ 石 英砂 岩 /脉 石英 占 比分别为 55%/33%/10%/2%，SiO2 纯度较高的脉石英占比较低。目前国内光伏坩 埚内层砂主要供应商石英股份的矿源90%以上依赖进口，主要来自印度、 巴西、非洲等地。我国 4N8 以上高纯石英高端产品未能国产化的核心原 因，即目前还没有找到能够稳定满足工业生产需要的优质原矿。

4.3.2. 弥补“先天不足”的提纯工艺高壁垒

高纯石英砂的加工主要可分为预处理、物理处理、化学深度提纯三个过 程。杂质根据伴生大小、分布、存在形式等特性可分为三类：脉石矿物 杂质、包裹体杂质、晶体结构杂质（类质同象类杂质），主要的杂质元素 包括 Al、Fe、Ca、Mg、Li、Na、K、Ti、B、H 等。通过常规物理、化 学选矿手段能够有效去除伴生脉石矿物，高温煅烧可以破坏包裹体的结 构，经过反复强化酸浸、碱浸，能够显著降低杂质含量，但是石英晶格 中的杂质难以去除，晶格中杂质往往成为高纯石英砂加工过程中难以突破的最终瓶颈。

提纯工艺高壁垒，纯度并非唯一考量。矿源品质不足，则对提纯工艺提 出更高要求。不同行业对高纯石英有着不同的质量要求，高纯石英的质 量与杂质含量并不是简单的线性关系，而是取决于其杂质的工艺矿物学 特征，提纯工艺需适配杂质特征。多年的商业化实践证明，提纯工艺的 突破并非易事，国内至今仅个别头部能够生产符合光伏坩埚内层砂要求 的产品。

4.4. 合成法存多种工艺可能性，关注产业化进展

面对提纯法高纯石英砂供应所面临的种种瓶颈，已有部分企业尝试量产 合成高纯石英砂。合成高纯石英砂的技术路线多样，与其他合成二氧化 硅粉体常见的合成工艺原理类似。具体来看，目前的研究主要针对气相 合成法、化学沉淀法、溶胶凝胶法、SiCl4 液相水解法四种方法展开。从 理论成本而言，三种液相法工艺在工业化生产上或更有优势。但是，如 何在规模化的生产中稳定实现高纯度、合理的元素配比等要求，同时保证合理的成本区间，可能仍然存在较多技术难点需要攻克。由研发、小 试、中试、小批量试生产到商业化量产的过程仍有较大不确定性，产业 化进展有待持续跟踪。

4.5. 国内产业链投资加速，内层砂短期难改集中格局

石英砂高价格催生大规模产业链投资。从高纯石英砂行业来看，2021 年 以来随着下游光伏的高速增长带动行业供不应求，价格涨幅超过 10 倍， 尤其以 2023 年涨幅最为显著。高纯砂的持续高景气推动国内外产业投 资，考虑高纯砂项目由考察、立项、环评到投产一般需要 2-3 年时间， 预计 2024 年起将逐步看到新增产能的大量投放。仅粗略估算 2024 年新 增产能尤尼明 1 万吨左右，石英股份投产 6 万吨，菲利华 2 万吨，SMM 估算其他企业投产超过 3 万吨，新增产能已经较 2023 年行业总供给实 现翻番。 2024 年扩产落地或导致外层砂或过剩并冲击中层砂，但高壁垒内层砂供 应增量预计仍然有限，短期难改集中格局。受电网容量不足、风光消纳 问题、经济下行风险等因素影响，2024 年全球光伏行业需求增速存在放 缓预期，预计增速在 20%左右。结合供需判断，2024 年开始外层砂随着 扩产落地可能将逐步过剩，并且进一步冲击中层砂，中外层砂大幅降价 或开始。内层砂在资源端与加工端的壁垒较高，预计短期内仍主要由尤 尼明、TQC、石英股份供应，增量相对有限。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）