2023年芯碁微装研究报告 直写光刻领域的国内领军企业，业绩高速增长

1.直写光刻领域的国内领军企业，业绩高速增长

1.1.公司产品序列持续丰富，深耕PCB&泛半导体领域

公司是国内在直写光刻领域掌握关键核心技术并具备全球竞争力的稀 缺标的。公司成立于 2015 年，成立之初即专注于微纳直写光刻技术，目前 公司直写光刻设备已应用于 PCB 领域和 IC 制造、显示面板及光伏等泛半导 体领域，产品覆盖微米到纳米的多领域光刻环节。 公司产品按下游应用领域可分为 PCB 和泛半导体两大领域，2021 年营 收占比分别为 84.32%和 11.30%： 1） PCB 领域：可应用于类载板、软板/软硬结合板、HDI 板、多层板 和单/双面板等线路板曝光制程及阻焊层曝光制程； 2） 泛半导体领域：在半导体领域，公司产品可应用于掩模版制备、IC 载板和晶圆级封装等环节，其中 LDW 系列可实现最小线宽 350nm-500nm 的光刻精度，满足线宽 90nm-130nm 制程节点的掩膜 制版需求；在显示面板领域，公司应用于 OLED 显示面板的产品光 刻精度能够实现最小线宽 0.7μm；

公司成立于 2015 年，始终从事以微纳直写光刻技术为核心的直写光刻 设备的研发和生产。公司以直写光刻技术应用更为成熟、市场需求空间更 大的 PCB 制造市场为切入点，实现了对线路层曝光和阻焊层曝光在内的各 细分市场覆盖；同时公司向泛半导体领域拓展，开发了应用于 IC 掩膜版制 版和 OLED 显示面板低世代线的 LDW 系列直写光刻设备。 2021 年公司在科创板上市，并加快推动直写光刻的平台化应用模式。 公司除持续对 PCB 领域产品更新换代外，已加快对 IC 载板及类载板、晶圆 级封装、新型显示、引线框架、光伏等泛半导体领域的布局，直写光刻高 端应用平台的雏形已现。

1.2.股权激励彰显信心，技术团队底蕴深厚

公司股权集中，核心员工在持股平台加持下有望与公司共同成长。公 司控股股东及实控人为程卓女士，其对公司直接持股 30.45%，并通过公司 员工持股平台亚歌半导体对公司持股 10.43%，合计控股比例达 40.88%。此 外，公司核心员工大多通过持股平台亚歌半导体对公司持股，未来与公司 共同成长的前景明确。

公司核心技术团队深耕直写光刻领域十余年，研发积累深厚。公司总 经理方林、总工程师何少锋均深耕微纳直写技术行业十余年，带领公司研 发了一系列用于 PCB 和泛半导体领域的直写光刻设备；首席科学家 CHENG DONG 拥有二十多年在世界一流科学仪器和半导体设备公司的工作经历， 积累近 30 年从事纳米仪器和精密光学测量及分析仪器的技术研发经验，极 大提升了公司在泛半导体领域的研发实力。公司于 2022 年 4 月 8 日发布《2022 年限制性股票激励计划（草案）》： 计划授予限制性股票达 108.7 万股，占公司总股本比例 0.9%。首次授予计 划覆盖 206 名公司核心骨干员工，助力公司长期发展。根据首次授予的考 核目标值，要求 2021-2024 年营收 GAGR 不低于 39.25%或净利润 GAGR 不低于 32.95%。

1.3.营收&利润高速增长，泛半导体领域占比提升

在 5G、智能终端、数据中心等新兴应用拉动 PCB 及泛半导体市场对直写光刻设备需求情况下，公司持续推出新产品匹配下游行业需求，实现 营收/净利润高速增长。2018-2021 年营收由 0.87 亿元增长至 4.92 亿元，归 母 净 利润 由 0.17 亿 元增 长至 1.06 亿 元， 营收 /净 利润 GAGR 达 78.16%/84.06%。 2023 年 2 月 25 日公司发布 2022 年度业绩快报，2022 年公司营收/归母 净利润为 6.53 亿元/1.37 亿元，同比增长 32.64%/28.72%。

2019-2021 年公司泛半导体领域营收占比由 1.04%上升至 11.30%。公 司在发展 PCB 领域的同时，持续推动自身直写光刻设备在泛半导体领域的 拓展应用。2018 年公司泛半导体领域营收占比为 37.61%系公司向国显光电 销售 OLED 显示面板直写光刻自动线 1 套，金额达 2991.45 万元。2022 年 公司定增募投向先进封装、新型显示和光伏等泛半导体领域拓展，有望打 开公司成长空间。 泛半导体领域产品毛利率 2018-2021 年均高于 55%。公司 PCB 领域产 品 2018-2021 年毛利率由 53%降至 39%，系公司为加快市场开拓及与下游 客户保持良好合作关系，下调产品价格所致。公司泛半导体领域毛利率保 持稳定，系应用于泛半导体领域的设备技术要求较高，因此享有更高的市 场溢价。

公司 2022Q3 年毛利率为 43.10%，同比上升 0.20pct。2018 年公司毛 利率较高系该年向国显光电销售的 OLED 直写光刻设备毛利率达 70.87%。 2020 年起公司毛利率保持稳定系用于泛半导体领域的产品营收占比持续提 升，且毛利率更高，与 PCB 领域产品毛利率下滑形成对冲。同时公司期间 费用控制较好，净利率亦保持平稳，2022Q3 净利率为 21.33%，同比下降 0.33pct。 公司 2018-2021 年期间费用率由 43.66%下降至 20.62%。期间费用率下 降系公司营收高速增长，规模效应显现。2022Q3 公司三费费用率为 25.17%， 销售费用率、管理费用率、研发费用率分别同比变动+0.57pct、-0.37pct、 +1.24pct，系公司持续加大研发投入和下游市场开拓力度。

2.PCB市场大有可为，国产替代步入快车道

2.1.直接成像设备技术指标领先，已成行业主流

光刻技术是指利用光学-化学反应等原理在覆有感光材料的基材表面 实现图形化的微纳级制造技术，其中曝光是光刻中最重要的工艺环节。光刻是 PCB 制程中的关键环节，通常的光刻精度为微米级。PCB 制程 中涉及到多道工艺环节，其中曝光设备是 PCB 光刻制程中的关键设备，用 于 PCB 制造中的内外线路层图形化及阻焊层图形化环节，主要功能是将设 计好的电路线路图形转移到 PCB 基板上。

曝光设备按是否需要使用底片可分为直接成像与传统曝光设备，直接 成像设备（DI）相比传统曝光设备不需要使用底片：由计算机识别电路设 计图形，并控制光束调制器和光学成像系统将图形光束聚焦成像至基板表 面，实现图形直接成像和曝光。 而直接成像设备根据光源区别可分为激光直接成像（LDI）和非激光直 接成像，如紫外 LED 直接成像技术（UVLED-DI）。其中 LDI 采用紫外激 光器作为光源，适用于线路层曝光等对曝光线宽精细度、对位精度要求较 高的工艺环节；而 UVLED-DI 采用紫外 LED 光作为光源，适用于阻焊层曝 光等对产能效率和线路板表面质量要求较高的工艺环节。二者在技术上仅 侧重点不同，不存在难易之分。

直接成像设备在光刻精度、对位精度、良率、产能等方面较传统曝光 设备具有明显优势。由于直接成像设备无需使用底片，可以显著提高光刻 精度、对位精度和良率，同时工艺流程较传统曝光技术简化，便于实现自 动化提升产能。伴随直接成像技术水平提升带动设备成本降低，直接成像 技术在中高端 PCB 产品制造中已得到广泛应用，成为 PCB 制程中的主流曝光技术。

2.2.中高端产品占比增加，提升直接成像设备渗透率

全球 PCB 市场规模巨大，未来有望稳定增长。根据 Prismark 数据，2021 年在 5G 通讯、新能源汽车和消费电子等需求带动下全球 PCB 行业同比增 长 24%，产值达 809 亿美元。Prismark2022 年 8 月预测，2022 年全球 PCB市场需求受宏观经济影响压制，预计市场产值达 821 亿美元，同比增长 1.5%。 长期来看 PCB 市场中通信板块需求有望维稳，数据中心、汽车领域需求依 然高涨。预计 2023-2026 年 PCB 市场年均复合增长为 4.8%，到 2026 年全 球 PCB 市场产值将达到 1015 亿美元。 中国大陆 PCB 产值占全球比重超 50%。根据 Prismark 数据，2021 年 中国 PCB 产值约 442 亿美元，占全球比重超 54%。未来在国内通信、服务 器、数据存储及新能源等领域需求拉动下，中国大陆 PCB 产值占全球比重 有望稳定在较高水平。

下游电子产品往高性能、微型化的发展趋势将带动PCB产品结构升级。 根据 Prismark 预测，2021-2026 年服务器、汽车产业、手机、通信板块对 PCB 需求将保持高增长态势，同时上述板块对应的是柔性板、多层板、HDI 和 IC 载板等高端 PCB 产品，将带动 PCB 产品结构升级。PCB 产品结构的高端化演进趋势将提升直接成像设备渗透率。根据 Prismark 数 据 ， 2021 年 柔 性 板 / 多层板 /HDI 板 /IC 载 板 占 比 为17.5%/38.6%/14.7%/17.6%，合计占比达 88.4%。同时根据中国台湾 PCB 产业技 术发展蓝图：中高端 PCB 产品的曝光精度持续向更精细化演进，目前传统 曝光设备的最小线宽一般约为 50μm，无法满足中高端产品的曝光精度要求。 而直接成像设备能实现的最小线宽已达到 5μm，未来有望充分受益中高端 PCB 产品扩产带来的设备需求增加。

直接成像设备渗透率提升带动市场扩容。根据 QY Research 数据，2021 年全球 PCB 用直接成像设备产量为 1148 台，销售额约为 8.13 亿美元；预 计至 2023 年，全球 PCB 用直接成像设备产量将达 1588 台，销售额有望达 9.16 亿美元。

2.3.技术指标临近外资水平，国产化率快步提升

从全球 PCB 直接成像设备市场格局来看，近年来以芯碁微装、大族数 控等为代表的国内公司进步迅速，但以色列 Orbotech、日本 ORC 等国外 厂商仍占据较大市场份额。从下游 PCB 市场格局来看，2021 年中国大陆 PCB 产值达 442 亿美元，占全球比重超 50%，深南电路、景旺电子等内资 公司已在全球 PCB 市场中占据较高份额。未来在国产直接成像设备产品竞 争力持续增强情况下，国内 PCB 厂商对国产设备的采购意愿将增强。根据QY Research 数据，2021 年全球 PCB 用直接成像设备行业市占 率前三分别是Orbotech、ORC 和芯碁微装。前三强份额分别为 43.35%、 10.22%和 8.10%，CR3达61.67%。其中国内公司芯碁微装首次市占率居全 球第三，但与Orbotech 43.35%的份额相比，仍有较大提升空间。

我们认为未来 PCB 用直接成像设备国产化率提升的逻辑主要有两点： 1）国产设备技术水平的提升，逐渐临近国际头部厂商的水平；2）以 IC 载 板为代表的高端 PCB 产品国产份额提升； 国产设备技术水平逐渐临近国际头部厂商水平。我们通过芯碁微装等 国产厂商与 Orbotech、ORC 等进口厂商的产品技术指标对比，可以看出在 25μm 以上工艺节点中，国产设备已达到头部厂商同类型产品水平；而在 10μm 工艺节点中，芯碁微装 MAS6 产品在最小线宽、对位精度和产能效 率等技术指标上已临近或超越 ORC、ADTEC 等头部厂商产品水平。

国内厂商在 IC 载板市场的较低份额成为该领域直接成像设备国产化 的阻碍因素之一。根据中国台湾工研院产科国际所数据，2021 年全球 IC 载板市 场规模约为 146.92 亿美元。但以 Prismark 2020 年数据为参考，全球 IC 载 板市场中中国大陆份额仅为 14.5%，而其中内资厂占比只有 5.3%；市场仍 以中国台湾、韩国和日本厂商为主，合计份额占全球 IC 载板市场的 79%。 大陆内资厂商在 IC 载板市场的较低份额也成为该领域直接成像设备国产化 率较低的诱因之一。

国内 PCB 厂商加大 IC 载板项目投建力度，有望成为该领域直接成像 设备的国产化通道。在以芯碁微装为代表的国产厂商直接成像设备技术水 平临近国际头部厂商基础上，国产产品较进口产品在性价比和维保服务上 具有天然优势，未来若能凭借自身优势切入国内 IC 载板投建项目供应链， 预计国产化率将获得可观提升。

2.4.技术领先推动份额提升，加码研发提升产品力

受益公司直接成像设备技术持续提升&下游 PCB 客户拓展顺利，公司 PCB 板块营收 2017-2021 年由 0.22 亿元增长至 4.90 亿元，GAGR=117.24%。 根据 QY Research，2019-2021 年公司在全球 PCB 用直接成像设备市场份 额由 4.05%升至 8.10%，已居世界第三位，但仍有较大上升空间。而在 IC 载板及类载板细分领域中，公司的 MAS6、MAS8 和 MAS12 等型号直写光 刻设备已实现产业化生产。2019-2021 年 IC 载板及类载板细分板块营收由 0.03 亿元增长至 1.07 亿元。

公司在定增募投项目中继续加大对 PCB 阻焊、IC 载板及类载板等细 分领域的项目投入： 1）PCB 阻焊：根据 UResearch 数据，2020 年全球 PCB 阻焊层曝光设 备行业市场规模为 25.29 亿元，约占 PCB 曝光设备市场份额的 18%。公司 已进入东山精密、健鼎科技、深南电路等知名 PCB 厂商供应链，2019-2021 年 PCB 阻焊板块累计营收达 2.19 亿元。在半导体器件小型化、精密化发展 趋势下，阻焊层曝光精度随之提升，直写光刻设备渗透率有望提升。在此 情况下公司积极拓展阻焊层产品覆盖度，已规划 30/50μm 产品； 2）IC 载板及类载板：根据 Prismark 预测，2021 年 IC 载板在全球 PCB 市场中占比达 17.6%，并有望在 2026 年上升至 21.1%。同时内资 PCB 厂商 加大对 IC 载板项目投建力度，公司已进入深南电路、生益电子等知名客户 供应链。目前公司 MAS6 设备曝光精度已达 6μm，并正在规划 4μm 设备 应对未来市场需求。

3.泛半导体领域需求多样化，公司版图初露峥嵘

3.1.直写光刻设备国产进步较快，已可满足多领域需求

在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术可分为直写光刻与 掩膜光刻： 1）掩膜光刻：掩膜光刻可分为接近/接触式光刻和投影式光刻。其中投 影式光刻技术通过投影原理在使用相同尺寸掩膜版的情况下通过等比例缩 小图像能实现更精细的成像； 2）直写光刻：直写光刻根据辐射源可进一步分为激光直写、电子束直 写和离子束直写等。其中激光直写光刻技术在光刻精度上弱于掩膜光刻， 但无需使用掩膜，并具有套刻精度高、工艺简洁等优点。

泛半导体行业按光刻精度要求高低可依次排列为 IC前道制造、掩膜制版、IC后道封装和FPD制造，其中：1）IC前道制程：由于 IC前道制程对光刻精度要求最高，目前激光直写光刻技术只能满足低端 IC制造需求，中高端以掩膜光刻为主； 2） IC、FPD 掩膜版制版：直写光刻技术采用计算机直接成像，图形修改简单且制作周期短，是主流的掩膜版制版技术。由于激光直写 光刻的光刻精度低于电子束直写光刻，更多用于中低端掩膜制版；3） IC后道封装：由于激光直写光刻技术采用计算机直接成像，在对 准灵活性、大尺寸封装以及自动编码等方面具备显著优势，未来渗 透率有望在先进封装领域持续提升。4） FPD 制造：Mini/Micro-LED等新型显示面板器件数量繁多且线间距密集，对焊盘公差、外观形状、阻焊图形精度、阻焊开口尺寸及油墨外观均有较高要求，为直写光刻设备应用创造市场机遇。

激光直写光刻领域国产化进度较为领先。目前掩膜光刻市场仍被荷兰 ASML、日本 Nikon、Canon、日本 ORC、美国 Rudolph 等垄断，国内仅有 上海微电子等企业能够实现参与市场竞争。而在激光直写光刻市场中，芯 碁微装、天津芯硕等公司已能实现设备产业化，与瑞典 Mycronic、德国 Heidelberg 等国际厂商进行竞争。国产设备技术指标仍与进口设备存在差距，但已能满足 IC 封装和显示 面板等场景加工需求。通过国产厂商和进口厂商在直写光刻设备中的关键 技术指标对比可以看出，目前国产厂商产品在最小线宽、套刻精度等指标 上仍逊于瑞典 Mycronic、德国 Heidelberg 等进口厂商；而在国产厂商中， 以芯碁微装的产品技术指标最优，并且已与进口厂商产品差距较小，能够 满足 IC 封装、显示面板和中低端掩膜制版等场景加工需要。

3.2.直写光刻是掩膜制版中的关键工艺

光刻工艺是掩膜制版中的关键工艺，负责将设计好的图形转移到掩膜 版上。而 IC 和显示面板作为掩膜版的前两大下游应用领域，未来伴随显示 面板行业往大尺寸、精细化方向发展，IC 行业的制程节点迭代，对掩膜版 的光刻精度、套刻精度和 CD 均匀度等技术制版要求将随之提升。国内是全球显示面板掩膜版第一大市场。根据 Omdia 数据，2020 年全 球显示面板掩膜版市场受影响，规模为 903 亿日元，相较 2019 年同比下滑 10.57%，预计 2021 年起逐步复苏，2022 年市场规模将增长至 1026 亿元， 其中中国大陆是全球第一大显示面板掩膜版市场，预计 2020-2022 年占比由 51%升至 58%。

国内半导体掩膜市场上升空间大。根据 SEMI 数据，2019 年全球半导体掩膜版市场规模达 41 亿美元，而掩膜版在晶圆制造材料中价值占比约为 12.5%，参考 SEMI 公布的 2021/2022 年全球晶圆制造材料市场规模为 404/450 亿美元，因此我们预计 2021/2022 年全球半导体掩膜版市场规模约 为 50/56 亿美元。而 2019 年国内半导体掩膜版市场规模为 1.44 亿美元，仅 占 2019 年全球市场的 3.51%，与国内半导体市场需求存在明显不匹配。

公司加码研发向高端掩膜制版拓展。根据公司定增预案，公司目前已 完成 130nm 技术节点制版应用的部分技术论证，即将进入工程研制样机阶 段，并已在研发高精度运动平台以满足 130nm、90nm 制程需求，提升高端 直写掩膜版制版能力。

3.3.先进封装催生新工艺，增加直写光刻设备需求

先进封装较传统封装能有效提升芯片性能，增加光刻工艺需求。通常 所说的先进封装包括倒装芯片结构封装（FC）、晶圆级封装（WLP）、系 统级封装（SiP）、2.5D 封装、3D 封装等，并相比于传统封装不再采用引 线框架作为芯片载体。同时先进封装的 TSV（硅通孔）、RDL（重布线金 属层）、Micro-bump（微凸点）等关键工艺均需增加光刻加工步骤； 倒装芯片封装形式（FC）采用 IC 载板作为基板，并需在晶圆上制作 凸点。倒装芯片结构封装（FC）不再采用传统金属线键合连接方式（WB）， 而是在晶圆上制作凸点（Bumping 工艺），电气面朝下同基板互连。晶圆级封装（WLP）即在晶圆上进行整体封装，封装完成后再进行切 割分片。同时晶圆级封装增加了 RDL、TSV 和 Micro-bump 等工艺，而在 RDL 重布线金属化、凸点制作和 TSV 硅穿孔前都需采用光刻工艺进行图 形化。

先进封装渗透率持续提升，激光直写光刻技术匹配先进封装工艺需求。 根据 Yole development 数据，2021 年全球先进封装占比预计为 45%，并将 在 2025 年上升至 49.4%。而由于掩膜光刻在对准灵活性、大尺寸封装及自 动编码等方面存在局限性，未来激光直写光刻技术在晶圆级封装等先进封 装领域的渗透率有望提升。公司目前已推出 WLP 系列产品，适用于 RDL、Bumping 和 TSV 等先 进封装工艺。其中 WLP2000 适用于 8/12 英寸领域的 FlipChip、Fan-InWLP、 Fan-OutWLP和2.5D/3D等先进封装形式，并具备自动套刻、背部对准、智 能纠偏、WEE/WEP等功能，在RDL、Bumping和TSV等制程工艺中优势 明显。

3.4.面板光刻需求稳中向好，新型显示打开新增量

光刻是面板显示制程必备工艺，以 OLED 制程为例，光刻工艺主要用 于像素阵列的 ITO 刻蚀和蒸镀封装的蒸镀环节。根据 Omdia 数据，2021 年全球平板显示需求预计达 265 百万平方米，并在 2022 年有望达 275 百万 平方米，市场保持稳健增长；而 Mini LED 面板在笔电和背光电视领域渗透 率增长迅速，预计 2021-2024 年出货量由 940 万台增长至 3200 万台， GAGR=50%。

公司在 FPD 领域具备行业示范案例。公司 2018 年向维信诺下属企业 国显光电出货一套 OLED 显示面板低世代产线的直写光刻设备自动线系统 （LDW-D1），金额达 0.29 亿元，并已通过验证。 公司积极开拓新型显示领域。在新型显示领域，公司已推出用于 Mini-LED 阻焊曝光的白色/黑色油墨两款设备机型，符合该领域阻焊线/开 窗 40μm/60μm 曝光精度要求，并满足开窗一致性（高达±5μm）、对位精度 （±8μm）和颜色高一致性等要求，目前已开拓了诺华电子、美鼎电子、弘 信电子、高智电子、浩远电子、江西红板等下游客户。

3.5.光伏铜电镀对直写光刻工艺潜在需求巨大

N 型电池银浆耗量高导致产业化受阻，银浆降本迫在眉睫。目前，光 伏行业电池片端正处于由 P 电池向 N 型电池迭代的转折期。TOPCon、HJT 等 N 型电池较 PERC 电池在转换效率上具有天然结构优势，但由于 N 型电 池需要双面刷银浆，单瓦银浆耗量显著高于 PERC 电池。且 HJT 电池采用 低温银浆，浆料特性差异导致银浆耗量还要更高。根据 CPIA 信息，目前 PERC/TOPCon/HJT 单片银浆耗量为 96.4mg/145mg/190mg，银浆成本高昂 成为推动 N 型电池产业化的阻碍因素，银浆降本迫在眉睫。

铜电镀技术可实现去银化。目前主流降本方向包括改良栅线结构设计： 如 SMBB、0BB 等；银浆降本：推动银浆国产化、研发银包铜浆料等；对 传统电极金属化设备（丝网印刷）进行迭代：全开口钢板印刷、激光转印 等。而相比上述降本路径仍然以银浆降本为出发点，铜电镀技术的原理是 采用铜栅线替代银栅线，能够实现无银化，有望彻底摆脱银价高昂的困扰。 铜栅线可实现更优高宽比。同时根据国电投《铜栅线高效异质结电池 （C-HJT）技术》中说明，铜栅线相比银栅线可实现更细线宽和更优高宽比， 有望改善栅线线电阻并减小遮光面积，实现电池转换效率提升。铜电镀工艺的基本制程可分为：镀种子层、镀铜栅线层和镀焊接层。 其中种子层和焊接层的主要作用是防止铜栅线脱离和保护铜栅线避免氧化。 在镀铜栅线层环节中，为实现选择性电镀需要先使用光刻设备进行掩膜图 形化。

目前光刻是掩膜图形化的主流路线，但在光伏领域有采用激光开槽技 术进行掩膜图形化的示例。直写光刻技术在 PCB 和泛半导体领域已有较长 的使用历史，工艺较为成熟。而在光伏领域，根据爱旭股份专利 （CN114551610A），其采用了激光开槽技术在一种背接触电池中进行电镀 铜环节的掩膜图形化。我们认为激光开槽相比光刻技术的主要优点是工序 简洁、设备投资额小，更适用于 TOPCon、IBC 等自带介质层的电池结构。 而 HJT 电池由于表面为透明导电薄膜 TCO 层，若采用激光开槽技术需再制 备一层介质层，且激光开槽技术易对电池表面造成损伤。因此相比之下光 刻技术在 HJT 电池中或有更好的应用前景。

公司已具备提供用于铜电镀环节的直写光刻量产线的能力。根据公司 定增审核问询函回复，公司已在实验室条件下实现应用于 5μm 以下线宽的 铜栅线需求的直写光刻设备产业化；同时可提供应用于最小 15μm 线宽的直 写曝光量产线，产能达到 6000 片/小时、对位精度±10μm，可用于 HJT、xBC 等高效电池，并适用于 210 尺寸的整片/半片电池片。

4.公司积极扩充产能，布局零部件自主可控

4.1.公司扩充产能，凸显对未来发展信心

公司现有年产 200 台 PCB 系列、30 台泛半导体系列直写光刻设备的产 能。同时前次募投项目——晶圆级封装（WLP）直写光刻设备产业化项目 仍在建设中，建成后将形成年产 6 台晶圆级封装（WLP）直写光刻设备的 产能。 2022 年公司开启定增项目进一步扩充产能。根据公司定增审核问询函 回复，公司计划投建项目扩充 130 台 PCB 系列、150 台泛半导体系列直写 光刻设备产能，项目建设期为3年，第二年开始生产产品，第五年完全达 产。预计上述项目均建成后公司将合计具有年产330台PCB系列、186 台 泛半导体系列直写光刻设备的产能。我们认为公司的扩产计划与公司对先进封装、新型显示等泛半导体领 域的拓展步伐是一致的，预计公司的产能扩充计划将为公司未来业绩增长 奠定扎实的底层基础。

4.2.布局零部件自主可控，降低生产成本

公司拟对关键子系统/零部件进行自主研发，实现自主替代及降低成本。 公司开展关键子系统、核心零部件自主研发项目，拟对高精度运动平台、 激光光源、EFEM、智能化直写光刻系统等关键子系统/零部件进行自主研 发。本项目建设期 3 年，预计项目建成后将加强公司供应链自主可控能力 并降低成本，进一步增强公司市场竞争力，有望实现量利双增。

5.盈利预测

伴随公司产品技术水平逐渐达到国际先进水平，并进一步扩充产能。 我们做出如下假设：（1）公司在 PCB 直写光刻设备领域加快国产替代，同时国内 IC 载板 等先进 PCB 产品的加快扩产有望带动公司高端直写光刻设备销售占比提升， 因此假设公司产品未来价格保持稳定。综上我们预计公司 PCB 板块 2022-2024 年营收分别为 5.3、7.4、8.5 亿元，同比分别增长 28%、39%、15%。 （2）公司产品在泛半导体领域应用前景广阔，并在近年来公司持续加 大研发投入与下游应用拓展，产品技术指标逐渐接近国际一流水平，并已 在先进封装、新型显示等领域获得一定客户资源和应用案例积累，未来有 望加快放量。同时未来公司在高端领域的销售占比提升有望带动产品附加 值提升。综上我们预计公司泛半导体领域 2022-2024 年营收分别为 1.0、1.9、 3.2 亿元，同比分别增长 74%、97%、68%。

（3）铜电镀技术可实现去银化，符合光伏领域降本增效的主旋律，而 直写光刻设备是铜电镀技术中实现图形化的关键设备，潜在需求巨大，目 前公司已具备提供用于铜电镀环节的直写光刻量产线的能力，假设铜电镀 技术在 2023 年开始小规模用于量产。因此我们预计 2023-2024 年公司光伏 领域营收分别为 0.3、1.5 亿元。 综上考虑到短期内公司在 PCB 用直写光刻设备领域进入国产替代快车 道，长期公司直写光刻设备在泛半导体领域具有广阔应用前景。我们预计 2022/2023/2024 年，公司可分别实现营收 6.5、9.9、13.5 亿元；归属母公司 净利润分别为 1.4、2.2、3.2 亿元；EPS 分别为 1.1、1.8、2.6 元/股；按照 3 月 16 日收盘价 78.0 元计算，对应 PE 分别为 80、50、34 倍。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）