2026年半导体行业策略:聚焦算力、自主可控与存储周期
- 来源:申万宏源研究
- 发布时间:2026/03/19
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半导体行业2026年策略:聚焦算力、自主可控与存储周期.pdf
半导体行业2026年策略:聚焦算力、自主可控与存储周期。国产算力芯片崛起,先进制造版图重塑。中国AI芯片市场爆发,先进制程扩张进度超预期,根据TrendForce预测2026年中国本土7nm/6nm工艺平台份额预计扩张至接近20%,工艺迭代下N+3及以下制程有望从消费级延展至算力领域。此外,高阶AI芯片也对后道的配套能力提出更高要求,2.5D/3D先进封装平台需求激增,尤其是CoWoS相关产能供不应求。全环节进入资本开支高峰期,国产半导体设备受益。SEMI预计至2026年中国大陆半导体设备市场依然将继续领跑所有地区,投资金额占全球比重约3成,本土设备厂商持续受益高强度资本开支。此外,设备国产化...
国产算力芯片崛起,先进制造版图重塑
中国AI芯片市场进入爆发期
中国AI芯片自2024H2进入爆发期,出货量高增,2025H1 AI芯片合计销售190.6万片,同比增长 109.9%;本土份额从2022年不到15%提升至2025H1接近35%,借助政策支持与强劲的本地需 求,核心企业凭借自主研发的产品矩阵,在海外产品出现真空期间逐步填补算力供给缺口。
H200重新出口有望吸引CSP、OEM采购,但本土AI芯片仍会朝向自主化发展。根据TrendForce 预测,第三方AI芯片设计公司有机会扩大市场占比至50%,互联网厂商自研ASIC占比约20%, NVIDIA H200或AMD MI325等其他同级的海外产品,在可输入市场的情况下,维持约近30%占 比;预估2026年中国整体高阶AI芯片市场总量有望成长逾60%。
华为Asecnd强势回归
三年三代四款芯片涵盖Ascend 950PR/DT、960、970系列,算力将以每年翻倍速度演进。 26年即将推出的950系列含PR和DT两款型号,新增FP8/MXFP8等低精度格式,FP8算力达1P;互联带宽 较前代910C提升2.5倍至2TB/s,还借助自研HiBL 1.0和HiZQ 2.0 HBM实现芯片级PD分离。
超节点正成为AI基础设施建设新常态。 大会推出新一代Atlas 950 AI超节点及TaiShan 950通算超节点,在规模、性能及传统设备替代上展现显著 领先性。
下游高端需求强劲,2026年也是供给侧突破的一年
根据TrendForce数据,2026年中国本土先进制程供给扩张进度有望超预期,其中7nm/6nm工艺 平台份额预计扩张至接近20%。
此外,AI时代高阶芯片的放量对后道先进封装的配套能力提出更高要求,未来随着前道良率提升 则KGD(known good dies)数量也有一定提升,需要更多封装产能。
N+3及以下先进工艺有望从消费级延展至算力领域
根据Counterpoint资料,2025年11月下旬华为推出了全新旗舰系列Mate 80系列及折叠屏机型 Mate X7,除Mate 80外均搭载最新麒麟9030或9030 Pro芯片,使用了N+3制程。
由于复杂性的增加,N+4开发可能需要比N+3更长的时间,改进主要集中在材料和工艺优化上,后 续这些制程或使用在国产AI芯片上,AI芯片设计公司有望在未来几年继续培养中国本土供应链。
海外IDM本地化生产成为趋势
为了确保在中国大陆的市场份额,国际IDM通过外包代工或授权技术的方式和本地Fab厂合作。海 外IDM的本地化使中国Fab获得稳定订单并提升工艺水平,同时帮助其降低成本并维持供应链的安 全与稳定,汽车和工控行业尤为明显支持外商IDM本地化生产。
国家大基金三期有望成为资本开支增量
先进制造为大基金一期投资的核心领域,大基金二期对重资产模式也有较大侧重,投资金额和投资 数量皆较多。截至2026年3月国家大基金三期公开披露的已投项目仍非常有限,仅设立了3支基金 投资平台(华芯鼎新、国投集新、国家人工智能),尚未进入大规模落地阶段,2026年有望成为资 本开支增量。
存储进入超级周期,本土厂商崭露头角
AI驱动的存储需求横跨所有领域
根据TrendForce数据,2026年无论是DRAM芯片还是NAND芯片,服务器的消耗都将超过智能手 机,成为存储占比第一的下游应用。 AI需求将从训练转向推理(自2025年起推理单元占比将超过85%)。上下文窗口的扩展和生成式AI推动内存呈指数级增长(HBM → DRAM → SSD → CXL)。内存已成为AI核心性能瓶颈,而非计算。 NAND Flash领域,因电力供应限制,美国客户可能会更多的采用大容量(16TB)SSD来替代AI服 务器的HDD存储解决方案;此外,高成本迫使消费类OEM厂商降低设备的平均存储容量。
新增供应有限,存储价格或维持高位
预计全球DRAM实际产能预计将从2025年底的约196.6万片提升至2026年底约213.6万片, TrendForce预测其中TSV(HBM)占DRAM总产能的比例预计从19%增加到2026年约23%。三星Line 15/P4L、海力士M16/M15x以及美光OMT工厂有产能扩张计划。 预计全球NAND Flash实际产能预计将从2025年底的约136.5万片降低至2026年底约133万片。 三星计划将最后一条2D NAND产线Line 12转产为1c制程的DRAM,并计划在P4L增加V9/10的产能;铠侠将 使用Fab2(K2)进行BiCS9/10生产;长江存储保持积极的扩产趋势。
长鑫科技上市在即,国产存储自主可控的里程碑
长鑫科技在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,根据Omdia数据统计,按照产能和出 货量统计,公司已成为全球第四,中国第一的的DRAM厂商。终端客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、 联想、小米、传音、荣耀、OPPO、VIVO等服务器以及PC/智能手机品牌方。 公司预计2025年实现营收550-580亿元,YoY+127.48%~+139.89%;归母净利润-16亿元~盈利6 亿元,扣非归母净利润28~30亿元。 公司IPO拟募资295亿投向三大存储项目,主要为技术升级改造及前瞻技术平台的研发。



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