2024年半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范
- 来源:平安证券
- 发布时间:2024/07/03
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半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范.pdf
半导体刻蚀设备行业研究:半导体制造核心设备,国产化之典范。刻蚀:半导体制造三大核心设备之一。刻蚀主要负责去除特定区域的材料从而形成微小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备,占半导体前道设备价值总量的22%,地位举足轻重。等离子体干刻是目前刻蚀的主流方案,包括ICP和CCP两大类,ICP可用于硅、金属以及部分介质刻蚀,CCP主要用于介质刻蚀,两者市占率平分秋色。随着晶体管尺寸不断缩小,对刻蚀的精准度要求更高,原子层刻蚀(ALE)登场,其可以看做是ALD的镜像过程,具备自停止属性,刻蚀精度达单原子层级,已经应用于自对准接触等需原子级精密控制的工艺中,颇具潜力。格局:国产化之典范...
一、刻蚀:半导体制造三大核心设备之一
刻蚀:半导体图案化关键工艺,重要性凸显
刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺,刻蚀机被视为半导体制造三大核心设备之一。刻蚀设备主要用于去除特定区域的材料来形成微 小的结构图案,与光刻、薄膜沉积并称为半导体制造三大核心设备,重要性凸显,地位举足轻重。
刻蚀设备:三大核心设备之一,市场规模可观
刻蚀机作为半导体制造三大设备之一,价值量高,市场规模可观。根据Gartner数据,2022年,刻蚀设备占半导体前道设备价值量的 22%,仅次于薄膜沉积设备,排名第二;从市场规模来看,根据Mordor Intelligence数据,2024年,全球半导体刻蚀设备市场规模预 计为238.0亿美元,到2029年预计将增长到343.2亿美元,期间CAGR约为7.6%,市场规模可观,增速较快。
刻蚀设备:干法刻蚀为主,ICP、CCP平分秋色
刻蚀可分为湿刻和干刻,湿刻各向异性较差,侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差,通常用于工艺尺寸较大的应用,干刻是目前主流 的刻蚀技术,其中,等离子体干刻应用最广。
根据等离子体产生方法不同,等离子体刻蚀又划分为ICP(电感性等离子体刻蚀)和CCP(电容性等离子体刻蚀)两大类,ICP主要用于 硅、金属以及部分介质刻蚀,CCP主要用于介质刻蚀。根据Gartner数据,2022年,在全球刻蚀设备市场中,ICP、CCP市占率分别为 47.9%和47.5%,合计市占率95.4%,是刻蚀设备的主流。
趋势:原子层刻蚀(ALE)
传统等离子刻蚀设备会面临刻蚀损伤、负载效应以及控制精度等一系列挑战,而原子层刻蚀(ALE)可实现单原子层级的精准刻蚀,是有 效的解决方案。ALE可视为ALD的镜像过程,其原理为:1)将结合气体导入刻蚀腔,吸附于材料的表面,形成一个结合层,此为改性步骤, 具有自停止性;2)清除腔体中过量的结合气体,引入刻蚀气体轰击刻蚀表面,去除原子层级的结合层,并使未经改性的表面裸露出来, 此为刻蚀步骤,也具有自停止性,上述步骤完成后,表面的单原子层薄膜即可被精准去除。 原子层沉积(ALE)的优势包括:1)可实现定向刻蚀;2)即使深宽比不同,也可实现等量刻蚀。
二、格局:国产化之典范,成功打入国际市场
全球产业格局:门槛高,垄断性强
刻蚀机是半导体图案化工艺中必不可少的核心设备,对核心性能指标的可靠性、稳定性、一致性等要求极高,产品开发难度大,技术壁 垒高,市场参与玩家相对较为集中。 全球刻蚀设备市场主要由LAM、TEL、AMAT垄断。根据Gartner数据,2017年,LAM、TEL、AMAT在全球刻蚀设备市场中的市占率分别为55%、 20%、19%,合计占比约94%,2021年,该TOP3市占率分别为46.7%、26.6%、17.0%,合计占比约90%。可以看出,全球刻蚀设备行业聚集度 高企,但TOP3合计市占率呈下降趋势。
国产化情况:已实现突破,进入海外市场
在国家政策的大力支持下,近年国内晶圆厂持续扩建,核心设备的国产替代成为主流,为国内半导体设备厂提供了优异的市场环境,国 产刻蚀设备深度受益并取得巨大突破,很大程度上打破了国外垄断,属于国产替代的典范。 中微公司、北方华创是国内刻蚀设备领头羊,部分产品不但批量应用至国内晶圆厂,且成功破入海外市场,具备全球竞争力。截止2023 年底,北方华创ICP刻蚀设备累计出货超3200腔,中微公司CCP刻蚀设备已批量应用于海外5nm及以下集成电路产线。根据Gartner数据, 2021年,中微公司、北方华创在全球刻蚀设备市场中的市占率分别为1.4%、0.9%,基数较低,未来增长潜力巨大。
国际巨头|LAM:刻蚀设备全球市占率近50%
LAM是全球最大的刻蚀设备厂商,同时在薄膜沉积、清洗等领域也有较强竞争力,拥有Kiyo®、Versys®、Flex®、Vantex®、Syndion®等刻 蚀设备产品系列,客户群体广泛分布于全球范围内,2021年其刻蚀设备的全球市占率达到46.7%,接近半数,在导体、介质刻蚀中均具备 强大的市场竞争力。 业绩方面,近年LAM收入体量总体呈现增长趋势,毛利率维持在45%左右的较高水平,近三年净利润率维持在26%左右,盈利能力趋于稳定。
国内后起之秀|中微公司:刻蚀设备批量应用于国际先进5nm及以下产线
中微公司是国内半导体刻蚀设备最具代表性的公司,在CCP、ICP设备领域均拥有强大的产品实力,部分产品已经进入海外产线,批量应 用于5nm及以下先进制程生产线。中微公司刻蚀设备发展历程总结如下:2007年,中微首台CCP刻蚀设备研制成功;2011年,中微45nm介质刻蚀设备研制成功;2013年,中 微22nm介质刻蚀设备研制成功;2015年,美国商务部取消了等离子体刻蚀机对中国的出口控制;2016年,中微7nm介质刻蚀设备研制成功; 2017年中微刻蚀设备进入国际先进7nm生产线。
国内后起之秀|中微公司:新签订单屡创新高,业绩长期稳定增长
近年,在产品力稳步增长以及国内半导体产业扩张的双重推动下,中微公司业绩迅猛增长。2019-2023年,中微公司营收从19.5亿元增长 到62.6亿元,期间CAGR为33.9%,归母净利润从1.9亿元增长到17.9亿元,期间CAGR高达75.4%。 中微公司年新签订单屡创新高,确保其业绩长期稳定增长。2020-2023年,中微公司新签订单分别为21.7亿元、41.3亿元、63.2亿元、 83.6亿元,期间CAGR约为56.8%,新签订单稳步增长,反映出公司的设备产品在旺盛的行业需求下充分受益。
国内后起之秀|北方华创:平台型公司,刻蚀机主力为ICP
北方华创是国内具有代表性的半导体设备平台型公司,刻蚀设备是其重要产品线,以ICP为主,CCP在近年也有突破,与中微公司并列刻 蚀设备双雄。 北方华创ICP硅/金属刻蚀机产品类别丰富,实现了12英寸各技术节点的突破,产品型号包括NMC 612C/612D硅刻蚀机、NMC 612G金属刻蚀 机等,是公司刻蚀产品线的主力,截止2023年,公司ICP出货量累计超3200腔;CCP设备方面,2022年,北方华创发布NMC508 CCP介质刻 蚀机,2024年发布12英寸AccuraLX CCP刻蚀机,进展顺利,截止2023年末,北方华创CCP设备累计出货超100腔,发展势头迅猛;此外, 北方华创在TSV刻蚀设备(PSE V300)、去胶机(ACE i300)等领域也有优秀产品,广泛应用于国内主流Fab厂和先进封装厂,已形成批 量销售。
国内后起之秀|屹唐半导体:干刻设备应用于三星电子、长存等客户
屹唐半导体成立于2015年,2016年收购MTI,成为跨中、美、德的半导体设备公司,核心产品包括干法去胶、快速热处理以及干刻设备。 屹唐半导体干刻设备可用于65nm-5nm逻辑芯片、1y-2xnm系列DRAM以及32层-128层3D NAND芯片制造中,产品类别包括ParadigmE系列以及 Novyka系列,客户包括三星电子、长江存储等,2018-2021H1,公司干刻设备销量分别为4、4、8、2台。 干法去胶设备是屹唐半导体的核心产品,其可视为等离子刻蚀技术的延伸,负责清除刻蚀后的残留光刻胶,根据公司招股说明书,2020 年公司干法去胶设备市占率31.3%,位居全球第一。
三、看点:国产替代+先进制程+海外拓展有望拉动增长
看点一:国产替代趋势长期利好
国产替代在国内半导体产业中已经成为主流趋势并将持续下去,国家对此出台了大量支持政策,半导体设备便是重中之重。2021年,上 海市先进制造业发展“十四五”规划中重点提及了5nm刻蚀机;2024年5月,国家大基金三期成立,注册资本3440亿元,超过前两期注册 资本之和,为国内半导体产业的发展提供了强大的推动力。
看点二:先进制程&先进存储拉动新需求
先进制程需要更多的刻蚀工艺次数。随着先进芯片制程从7-5nm阶段向更先进工艺方向发展,需采用多重模版工艺,对刻蚀的精准度和重 复性要求更高,且涉及多次刻蚀;定量来讲,65nm制程需20次刻蚀工艺,10nm制程需117次刻蚀工艺,5nm制程需160次刻蚀工艺,工艺制 程的往前推进对刻蚀工艺的需求大幅增长。 工艺制程进步,产线设备投资额大幅增长。以5万片产能为例,90nm产线的设备投资额约21.34亿美元,20nm产线的设备投资额约47.46亿 美元,涨幅122%。
Flash存储芯片结构从2D Nand发展到3D Nand,结构越发复杂化,导致存储芯片的制造对刻蚀设备的需求量增长。集成电路2D存储器件的 线宽已接近物理极限,NAND闪存已进入3D时代,目前128层 3D NAND闪存已进入大生产,200层以上闪存已处于批量生产阶段,更高层数 正在开发。3D NAND制造工艺中,增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数,刻蚀要在氧化硅和氮化硅的叠层结 构上,加工40:1到60:1甚至更高的极深孔或极深的沟槽,3D NAND层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比,并且对刻蚀设备的需求 比例进一步加大。
看点三:长期看,海外市场有望拉动业绩增长
全球半导体产业持续增长,主要半导体企业的资本开支处于较高水平,对设备产生了规模可观的持续需求。根据Omdia数据,在经历2023 年的小幅回调后,全球半导体销售额预计将在2024-2026年迎来新一轮增长;根据Gartner数据,预计2024年全球主要半导体企业的资本 开支合计为1174亿美元,设备是其中的主要组成部分。
国内刻蚀设备技术产品先进,具备角逐全球市场的实力,长期看,海外市场有望为国内刻蚀设备厂商提供新的增长点。刻蚀是国内率先 打破海外垄断的半导体核心设备,在技术产品力方面具备强大的竞争力,且已经进入了海外市场,长期看,随着全球半导体产业的持续 扩张,国内刻蚀设备厂有望受益其中。
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