光刻胶原料国产替代加速,北交所标的佳先股份受益分析

  • 来源:东吴证券
  • 发布时间:2026/08/17
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北交所专题报告:光刻胶原料国产替代加速推进,建议关注北交所相关标的佳先股份.pdf

光刻胶作为芯片光刻工艺的核心耗材,其分辨率、灵敏度等性能指标直接决定芯片良率与制程能力。2022年全球半导体材料市场中,光刻胶及辅助材料占比约13%。按照曝光光源波长,半导体光刻胶分为G/I线、KrF、ArF及EUV等类型,随着制程向先进节点延伸,技术难度同步提升。当前,半导体光刻胶上游原料中,电子级溶剂已基本实现本土供应,但高端树脂、PAC及PAG等感光组分仍依赖进口,纯度与批次稳定性是主要瓶颈。成品端方面,G/I线产品已基本实现国产替代,KrF部分型号量产,ArF处于验证阶段,EUV仍处研发期。在政策支持与供应链安全需求驱动下,晶圆厂加速构建国产备份体系。2021-2024年中国集成电路晶...

光刻胶在半导体制造中的核心地位与市场规模

光刻胶作为芯片光刻工艺的核心耗材,通过曝光、显影将掩模版上的电路图形精准转移至晶圆表面,其分辨率、灵敏度、抗刻蚀性及附着力直接影响芯片良率与制程能力。按照曝光光源波长,半导体光刻胶可分为G/I线、KrF、ArF及EUV光刻胶,曝光波长逐步缩短,适配制程不断向先进节点延伸,产品配方、纯度控制与工艺适配难度同步提升。在全球半导体材料市场中,光刻胶及其辅助材料占据重要份额,2022年其市场规模占比约为13%,是仅次于硅片、气体和光掩模的关键材料品类。

产业链壁垒分层与国产替代现状

半导体光刻胶产业链呈现上游原料与成品制造双重壁垒并存的特征。在上游原料环节,电子级溶剂和部分配套试剂已基本实现本土供应,但高端树脂、PAC及PAG等感光组分仍较依赖进口,原料纯度、批次稳定性及深度提纯能力构成主要瓶颈。在成品制造端,光刻胶企业同时面临配方设计、洁净生产和客户认证三大壁垒,认证周期通常可达2至5年。目前,国内PCB及G/I线产品已基本实现国产替代,KrF光刻胶部分型号进入量产供货阶段,ArF光刻胶总体处于送样验证及少量导入阶段,EUV光刻胶仍以研发储备为主。全球市场高度集中,海外龙头企业在ArF及EUV高端领域占据绝对主导地位。

晶圆扩产与政策驱动下的成长空间

随着国家产业基金、关键材料攻关及新材料政策的持续支持,光刻胶研发、扩产与验证获得有力保障。同时,海外供应集中及区域供应扰动推动晶圆厂加快建立国产备份体系。2021年至2024年,中国集成电路晶圆制造用光刻胶市场规模显著增长。随着成熟制程产能扩张和先进工艺升级,G/I线与KrF需求保持增长,ArF干式及浸没式产品有望成为后续市场扩容的重要增量。国产企业正由研发送样逐步迈向稳定供货和规模化供应,中高端光刻胶打开成长空间。

北交所标的佳先股份的业务布局与机遇

在北交所光刻胶相关标的中,佳先股份值得关注。公司以PVC环保热稳定剂及助剂业务为基础,通过子公司英特美布局光刻胶单体领域。英特美生产的光刻胶单体“对乙酰氧基苯乙烯”是光刻胶用量最大的一种单体,可用于合成作为光刻胶主要成分的聚对羟基苯乙烯。聚对羟基苯乙烯系列的化学增幅型光致抗蚀剂是国际上主流的光致抗蚀剂产品,是用于处理光蚀刻集成电路、制造芯片的关键技术之一。目前,英特美现有年产500吨光刻胶单体对乙酰氧基苯乙烯产能,年产1000吨电子材料中间体二期项目已于2026年3月开工,将进一步增强公司在光刻胶上游关键原料领域的供应能力。

编辑:流星雨
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