长鑫科技深度研究：AI算力驱动DRAM需求与国产替代共振

国产DRAM龙头地位确立，技术迭代加速追赶

长鑫科技作为国内规模最大、技术领先且布局完善的DRAM研发制造一体化企业，已构建起从第一代至第四代工艺平台的量产能力。公司采取“跳代研发”策略，成功实现从18nm级G3工艺向16nm级G4工艺的跨越，核心产品覆盖DDR4、LPDDR4X至DDR5、LPDDR5/5X全系列。依据Omdia数据，按出货量及销售额口径，公司已位居中国第一、全球第四大DRAM厂商，2026年一季度全球市占率约8%。公司在合肥、北京两地布局合计3座12英寸晶圆产线，产能扩张持续推进，为市场份额提升提供坚实支撑。

在技术专利方面，公司布局持续提速，2023年国际专利公开量全球排名第22位，2024年美国专利授权量全球排名第42位，国内企业排名第四。尽管在HBM等高阶产品领域与国际龙头仍存在阶段性差距，但主流存储产品优势持续巩固，DDR5已实现大规模量产并批量商用，LPDDR5/5X最高速率可达10667Mbps，性能跻身全球第一梯队。

AI驱动供需格局重塑，行业上行周期确立

DRAM作为主流易失性半导体存储器，市场规模占全球存储市场近六成。伴随AI产业需求快速爆发，服务器与高性能计算对内存容量、带宽要求持续抬升。2025年下半年起，DRAM供需格局持续优化，合约价格显著回暖，行业上行周期逐步确立。2026年，海外原厂资本开支优先投向HBM，传统DRAM新增产能投放有限，供给结构向高端产品倾斜，持续支撑存储价格景气。

全球行业形成三星、SK海力士、美光三足鼎立格局，三大海外原厂寡头垄断明显。2026年一季度，三者在全球DRAM市场的合计市占率为89%。在此背景下，国产存储厂商迎来难得的发展窗口期。AI推理需求持续放量拉动通用服务器资本开支，存储订单扩张支撑DRAM合约价持续走高。由于部分原厂提早于2026年第二季的报价反映涨幅，加上数家美系云端服务供应商已签署多年期长约，后续仍可能出现各家原厂竞相上修报价的情况。

产品结构优化与产能扩张双击，业绩增长确定性强化

公司产品呈现主流领先、高端追赶格局。随着DDR5产品持续放量，公司收入结构持续优化。2025年DDR系列营收占比提升至31.87%，同比提高18.61个百分点，增长主要受益于服务器等高价值下游需求拉动。服务器领域收入从2022年的1.89亿元快速增长至2025年的159.7亿元，占DDR、LPDDR产品合计收入的比例提升至26.51%。

产能方面，截至2025年底，公司月产能已接近30万片12英寸晶圆。展望2026年，预计年底月产能有望提升至约35万片。产能的持续扩张叠加DDR5等高端产品放量，以及规模效应释放带来的单位成本下降，推动公司盈利能力显著改善。2025年公司首次实现由亏转盈，毛利率实现40.99%，2026年第一季度大幅增长达到79.16%。在高研发投入构筑长期成长动能的同时，费用率随着规模扩大而逐渐下降，规模效应下的费用管控成效显著。