2026年第33周全球产业趋势：创新药出海与半导体设备破局

创新药出海交易与业绩双重超预期

2026年上半年，中国创新药出海交易延续高增长态势。数据显示，上半年我国创新药出海共完成多笔交易，首付款合计金额同比增长显著，交易总金额亦实现大幅攀升。交易数量、首付款及总金额均达到上一年度全年的较高比例，出海对外授权首付款和订单的持续落地，为创新药公司业绩超预期提供了直接支撑。

在业绩层面，多家龙头企业发布半年报或季度报，营业收入与净利润均实现两位数增长，并全面上调全年业绩指引。这表明过去在研发条线上的投入，正通过产品销售与订单兑现逐步反馈至利润表。与此同时，产业层面的全球合作也同步推进，多家国内药企与国际巨头签署协议，深化战略合作伙伴关系，共同建设生产基地或开发创新药物。

此轮创新药板块的行情由两条逻辑共同支撑。首先，超预期业绩是政策托底与出海BD落地的双重作用结果，分层定价规则在政策层面形成托底，行业在经历产能出清后，企业优质条线接连完成License out出海授权兑现，确认了反转拐点。其次，本轮行情的启动源于基本面良好的CXO龙头形成溢价和估值修复，市场形成“创新药对外授权CXO属于高门槛的技术密集型标的”的共识，为溢价提供了充分支撑。

国产半导体设备迈向平台化发展新阶段

半导体设备是半导体产业链中技术壁垒最高、战略属性最强、国产替代空间最清晰的核心环节之一。外部技术限制和供应链安全诉求正在推动国内晶圆厂加快本土设备验证，国产设备厂商也从单点突破进入品类扩张、客户导入和平台化发展的新阶段。

从产业链上游看，半导体设备零部件的性能、质量和精度直接决定着设备的可靠性和稳定性。虽然机械类零部件是国产替代最先兑现的方向，但高端腔体、陶瓷件、硅部件等仍由海外主导。电气类和光学类零部件壁垒更高，尤其是光刻物镜、反射镜等核心光学部件长期由海外厂商深度绑定供应链控制，国产化难度极高。

在中游整机制造环节，前道晶圆制造设备价值量最高、技术壁垒最强。光刻设备是战略地位最高、国产替代难度最大的环节，目前高度集中由海外厂商主导。刻蚀设备则是前道设备中市场空间大、国产替代确定性较强的核心方向，国内头部企业已在多种刻蚀场景中持续导入，国产化率稳步提升。薄膜沉积设备正处于从单点突破走向平台化扩品类的阶段，PVD设备在成熟制程的国产化率相对较高，而CVD和ALD国产化率仍有较大提升空间。

下游应用方面，晶圆代工厂是半导体设备最核心的下游方向，对前道设备需求最集中。存储厂是设备需求中周期弹性最强的方向，HBM扩产进一步拉动相关设备需求。先进封装产线是未来设备需求中弹性最突出的后道方向，主要驱动因素包括Chiplet、异构集成和高带宽互连。

存储需求从DRAM向NAND扩散

过去NAND周期更多受手机、PC和消费电子库存波动影响，行业价格弹性强但持续性往往较弱。而本轮周期的核心变量转向AI数据中心，企业级SSD、QLC高容量方案共同推动NAND从终端存储器件，逐步转变为AI基础设施中的关键存储资产。

最新财报显示，存储行业景气度正在快速提升，单季度收入增长主要来自价格提升和产品结构优化。其中，数据中心业务成为最大亮点，收入同比大幅增长，占公司总收入比例显著提升。这主要得益于AI基础设施建设带来的企业级SSD需求增长，尤其是云服务商和大型科技企业对于高容量、高性能存储解决方案的需求提升。

长期供应协议模式成为提升盈利稳定性的重要亮点。头部存储厂商通过签署长期供应协议，锁定未来多年存储需求，有助于降低传统NAND行业的周期波动。随着AI系统瓶颈从算力、带宽进一步扩散到容量、数据调度和长期存储，NAND将成为下一代AI架构的核心结构组件。数据中心正在取代手机和PC，成为NAND需求的核心驱动力，其占比预计在未来几年将大幅提升。

具体产品来看，企业级SSD将成为承接AI数据中心需求的核心产品形态。存储供需紧张直接传导至企业级SSD价格，并带动TLC与QLC产品同步进入更高价格区间。未来NAND升级将沿着更高密度、更高带宽、更低成本三个方向展开，QLC将成为高容量企业级SSD的重要路线，NAND正从传统冷存储升级为承接推理缓存、向量数据库和大规模数据调用的活跃存储层。