2026年第5周电子行业周观点：AI闭环逐步形成，海外业绩印证存力景气周期

存储海外业绩大超预期，重视存力大时代投资机遇

1.1 SK 海力士：25Q4 业绩超预期，服务器成为公司发展主要动力

2025 年营收和利润创新高。SK 海力士 2025 年营收达 97.1 万亿韩元，同比增长 47%； 营业利润为 47.2 万亿韩元，同比增长 101%，两项指标都为历史最高，并且远超 2024 年水平。2025Q4 表现特别突出，营收 32.83 万亿韩元，同比增长 66%，环比增长 34%， 创单季度营收新高，这主要是因为 DRAM 和 NAND 价格与出货量同时增长。其中 DRAM 出货量环比增长低个位数，ASP 环比上涨中 20%；NAND 出货量环比增长约 10%，ASP 环比上涨近 30%。2025Q4 的营业利润是 19.17 万亿韩元，同比增长 137%，环比增长 68%，营业利润率 58%，净利润 15.25 万亿韩元，净利润率 46%，毛利率 69%。25Q4 的非经营性净亏损 1.52 万亿韩元，其中包括投资资产估值收益 6.6 万亿韩元，以及可转 换债券兑换权相关衍生工具亏损 8.4 万亿韩元。

AI 广泛应用，促进三大业务技术迭代与市场拓展。2025 年，受人工智能广泛应用的驱 动，内存需求结构发生根本性变革。内存市场已不再局限于单纯的存储容量提升，转而 开始重视产品具备的多维度性能，因此 SK 海力士重点推进 HBM、DRAM 和 NAND 三大 业务的技术迭代与市场拓展。 在 HBM 方面，SK 海力士实现了全球技术和量产双重领先。2025 年 3 月，公司全球首次 推出 HBM4 样品，9 月又成为行业内首个完成 HBM4 量产准备的企业；2025 年公司 HBM 营收同比翻倍，成为 DRAM 业务中重要板块。目前公司可以稳定供应 HBM3E 与 HBM4 两款产品，HBM4 量产也正在按客户约定进度推进。同时，为了满足下一代 AI 服务器对 内存性能的更高需求，SK 海力士还联合客户与合作伙伴开发 Custom HBM。 在 DRAM 领域，SK 海力士量产 1cnm DDR5，这款产品兼具行业领先的性能与成本优势。 同时还会继续开发基于 1bnm 32Gb 的 256GB DDR5 RDIMM；这是目前业界密度最高的 服务器内存模块，能使服务器 DRAM 出货量中高密产品占比环比提升约 50%。对于传统 的 DRAM 产品而言，公司计划增加高附加值产品的生产投入，加快向新型制造工艺的转 型，这其中包括高密度 SV DRAM。同时公司也会加快向 1cnm 工艺的过渡，丰富 AI 存 储产品的产品线，SoCAMM2 及 GDDR7 等产品就在其中。 在 NAND 业务上，SK 海力士技术竞争力明显增强，成功开发了 321L QLC 产品。因为 eSSD 需求复苏，NAND 年收入创下历史新高。未来，公司将继续通过应用 321L 技术增 加产品竞争力；利用 Solidigm 的 QLC eSSD 技术拓展人工智能存储功能；并计划通过研 发下一代 245TB 容量产品，抢占超高密度人工智能存储市场的领先地位。

供需失衡下，合作转向 LTA，服务器成为公司业务主要动力来源。受全球 AI 基础设施 投资加剧推动，内存产品需求依旧旺盛，服务器内存需求大幅增长；但是因为行业供应 增速跟不上需求节奏，供需关系持续紧张。2025 Q4 客户库存普遍处于低位，服务器客 户更是“内存即产即销”，无法满足全部订单需求。未来，公司将会和客户协商，推动更 多合作转向 LTA，新 LTA 会约定供应量与长合作周期，进一步强化双方合作的稳定性。 在应用领域，服务器已经成为公司营收和利润增长的主要的动力来源。DRAM 中服务器 相关营收占比较大；NAND 中企业级 SSD 营收占比提升。不过 PC 与移动端因为组件成 本上涨、消费意愿偏弱，内存需求增速低于整体市场；但设备端存在高端产品的换机需 求，所以长期来看 AI 功能会成为默认配置，存储容量仍将保持增长。

2026 年，AI 有望会带动内存需求大增，公司扩产响应客户需求。2026 Q1 内存需求将 持续增高，不同领域的需求分化会十分明显。DRAM 2026 年需求同比增长超 20%，主 要因为 AI 服务器和通用服务器的规格升级，其中服务器 DRAM 需求增速预计达 15%- 20%，远超 PC 与移动端。NAND 2026 年需求同比增长 15%-20%。随着 AI 推理需求普 及，AI 模型正快速转向以推理为核心，计算负载从高性能服务器转向分布式架构；系统 效率的关键不再只看计算性能，而是更多关注数据移动与存储，这让内存的需求和重要 性持续提升，因此，HBM 这类高性能内存、服务器 DRAM 以及 NAND 的需求都会不断扩 大。在产能方面，DRAM 出货量计划和 2025 Q4 保持持平，NAND 出货量因为 2025 年 四季度的基数较高，预计环比会有小幅下降。公司的中长期目标是快速扩大龙仁一期工 厂的生产规模，同时推进韩国清州 P&T7 工厂和美国印第安纳州先进封装工厂的建设， 强化全球一体化制造能力，以便更灵活地响应客户需求。

1.2 三星：25Q4 业绩表现强劲，AI 需求拉动存储景气上行

三星 25Q4 营收创纪录，业绩表现强劲。25Q4 三星实现有史以来最高的季度收入，营 收达到 93.8 万亿韩元，qoq+9%，yoy+23.7%；DS 部门表现强劲，季度销售额环比增 长 33%，主要受 HBM 及高附加值产品销售放量与价格上行带动，存储业务收入再创单 季历史新高；相比之下 DX 部门受智能手机发布效应减弱及家电需求疲软影响，收入环 比下降 8%；毛利润达 44.3 万亿韩元，qoq+32.2%，yoy+55.4%；营业利润创下季度新 高，达 20.1 万亿韩元，营业利润率也有所上升，qoq+7.3 pcts，达到 21.4%，DS 部门 在内存盈利能力显著改善带动下，环比表现强劲，整体上对冲并超过了 DX 部门的利润 降幅；稀释后每股收益为 2909 韩元，qoq+61.4%，yoy+161%。

展望 2026 年，公司依托 AI 需求扩张与差异化布局持续强化整体竞争优势。公司预计 全球贸易壁垒与地缘政治不确定性仍将延续。DS 部门将依托逻辑、存储、代工及先进封 装的一站式能力，持续巩固 AI 半导体领域竞争力，其中存储业务聚焦重建技术领先优 势，Foundry 业务将先进制程成熟度带来的订单机会转化为实际业绩，System LSI 强化 核心竞争力推动业务转型；公司将通过应用针对半导体优化的 AI 解决方案推动创新，并 以更具客户导向的产品把握新机遇；DX 部门将扩展 AI 驱动产品，并持续将 AI 技术整合 至各类设备功能及服务生态系统，以提升客户体验。公司将依托差异化产品、供应链多 元化及全球运营优化，应对成本与关税风险，巩固竞争优势。 2026 年第一季度，公司预计在 AI 及服务器需求带动下，行业结构性增长延续，同时将 关注关税等宏观不确定性并坚持盈利导向。DS 部门方面，存储业务受 AI 需求及供给约 束支撑，重点聚焦服务器 DRAM 与 eSSD 等高附加值产品；Foundry 业务虽受季节性因 素影响短期承压，但将通过提升制程成熟度及获取核心客户订单维持增长；System LSI 则在成本压力下提升新品与高附加值产品占比。DX 部门方面，MS 业务将借助新机型发 布巩固 AI 智能手机竞争力，并通过优化供应与资源效率保障盈利；VD 及家电业务则依 托 AI 技术提升产品差异化，持续拓展高端市场份额。

资本支出方面，2025 年第四季度环比增加至 20.4 万亿韩元，其中 DS 部门占 19 万亿韩 元；全年资本支出为 52.7 万亿韩元，同比小幅下降，整体维持审慎投资节奏。内存业务 受先进制程及 HBM 等高附加值产品扩产带动投资增加，代工业务资本支出环比上升，主 要源于美国泰勒晶圆厂投入，而显示业务在 8.6 代产线建成后资本支出回落。展望 2026 年，公司预计内存资本支出将随市场需求改善而增长。 AI 驱动与高附加值产品占比提升支撑下，公司存储业务增长动能有望延续。第四季度， 受超大规模企业加大资本开支、加快布局 AI 市场带动，服务器需求持续增长；移动及 PC 端供需仍处于偏紧状态，叠加季节性因素，整体库存维持低位。在此背景下，公司扩大 HBM 出货，并重点聚焦高密度 DDR5、LPDDR5X 及服务器 SSD 等高附加值产品以提升 盈利能力，DRAM 与 NAND 销售整体符合既定比特增长指引，叠加市场价格上行，季度 业绩实现环比改善。展望 2026 年第一季度，AI 应用预计延续增长动能，公司将持续优 化产品结构，重点布局高附加值 AI 相关产品；受库存水平偏低影响，DRAM 比特出货环 比增幅预计维持低个位数，NAND 受上季度低基数影响，出货量预计实现中个位数增长。 2026 年公司预计 AI 需求仍将保持强劲，高性能 HBM4 及服务器高密度 DRAM 需求有望 持续扩张，PCIe 第六代 SSD 推广亦将带动高性能 NAND 需求增长；同时需关注移动及PC 端受终端价格上行及 BOM 成本压力带来的潜在需求波动。在产品布局方面，DRAM 将围绕新一代 GPU 及 ASIC 平台需求，及时扩大 HBM4 供应，并提升高密度 DDR5、 SOCAMM2 及 GDDR7 等 AI 相关产品占比；NAND 方面，公司将重点拓展基于 TLC 的第 五代高密度 SSD 需求，同时把握 AI 关键价值 SSD 的增长机会。随着新 GPU 平台推出， 公司预计 PCIe 第六代服务器市场将在下半年快速扩张，并计划依托基于 V9 的高性能产 品在早期阶段取得领先地位。

三星 S.LSI 与 Foundry 业务 25Q4 复苏节奏分化。S.LSI 25Q4 受主要客户季节性需求 波动及新品发布节奏调整影响，整体业绩环比回落，但图像传感器业务表现相对稳健， 受益于 2 亿像素及 5000 万像素产品放量，公司凭借 0.5 微米像素 2 亿像素传感器进一 步巩固技术优势。展望第一季度，中低端智能手机需求预计承压，但高端机型发布有望 支撑高价值零部件需求，公司将通过提升新一代 SoC 供给及扩展高像素传感器产品线优 化盈利结构。2026 年，增长机会预计继续集中于高端市场，SoC 业务将依托差异化性能 扩大销售，图像传感器业务则通过精细像素及 Nanoprism 技术强化竞争力。Foundry 方 面，25Q4 在 AI 与 HPC 需求带动下先进制程延续增长，公司已启动第一代 2 纳米量产并 开始出货 4 纳米 HBM 相关产品，收入环比提升但盈利改善受拨备计提制约。展望第一 季度，收入或受季节性因素小幅回落，但公司将通过推进 2 纳米工艺成熟度及拓展特色 制程维持增长动能。2026 年，随着 3 纳米与 2 纳米全面量产，先进制程需求有望保持强 劲，公司计划围绕先进节点拓展客户基础、实现收入双位数增长，并按计划推进美国 Taylor 工厂建设以强化长期竞争力。

SDC 业务 2025 年第四季度表现稳健，主要受高端智能手机销售增长及稳定供货能力支 撑，IT 及汽车业绩环比提升促进盈利增长；大尺寸业务在年末旺季需求及产品结构优化 推动下实现收入环比增长。展望 2026 年第一季度，移动显示需求受季节性及内存价格 因素影响预计偏弱，公司将通过配合主要客户新旗舰机型供货带动销售，大尺寸显示整 体需求或有所回落，但 QD-OLED 有望保持相对稳定并支持销售扩展。2026 年，受内存 供给及价格波动影响，非存储器件价格压力预计加大，公司计划通过提升高附加值产品 占比及依托差异化技术维持盈利，同时随着 8.6 代 IT OLED 产线量产及非智能手机产品 销售扩大推动收入增长，并在高端电视及显示器市场持续强化竞争优势。

MX 与 NW 业务：2025 年第四季度，受年末旺季带动，全球智能手机需求环比回升，高 端产品表现相对更优，MX 业务实现智能手机出货 6,000 万台、平板出货 600 万台，ASP 为 244 美元；受新机发布效应减弱及旗舰机销量回落影响，收入与利润环比下降，但同 比来看销量增长带动收入提升，全年在旗舰机、折叠屏及生态产品支撑下实现双位数盈 利。展望 2026 年第一季度，整体需求或受季节性因素回落，但随着新机发布，智能手机 出货及 ASP 有望改善，公司将依托 Galaxy S26 系列强化 AI 体验与产品竞争力，并通过 供应链协同与效率优化应对成本压力。2026 年整体来看，智能手机市场收入预计温和增长、销量基本持平，生态产品中 AI PC 及可穿戴设备需求有望扩张，公司将以 AI 驱动的 旗舰产品及多形态创新拓展用户基础，并通过成本优化保障盈利能力。

VD、DA 与 Harman 业务 2025 年第四季度业绩表现差异化明显，2025 年第四季度， 受年末旺季带动，电视市场需求环比回升，但全球电视市场持续停滞导致同比需求仍小 幅下滑，公司依托 Neo QLED 与 OLED 等高端产品销售增长及 75 英寸以上大尺寸产品 布局，实现业绩环比改善。展望 2026 年第一季度，电视市场整体需求预计保持平稳，超 大尺寸、QLED 及 OLED 等高附加值产品有望延续增长，公司将通过强化 AI 电视差异化 优势、推广 Vision AI Companion，并依托包括 Micro RGB 与 OLED 在内的新产品线把握 2026 上半年体育赛事带动的换机需求，同时持续拓展基于操作系统优势的广告服务业 务，以提升增长动能与盈利能力。家电（DA）业务短期受季节性及关税因素影响盈利承 压，后续有望随需求恢复改善；Harman 业务受益于新品推出及品牌优化实现增长，未来 将持续拓展汽车电子与消费音频市场。

AI 需求持续强化背景下，三星通过优化产品结构与供应策略，推动存储业务 ASP 提升。 管理层表示，第四季度在 AI 需求持续强化背景下，来自超大规模客户的订单增长明显，Agentic AI 推动推理负载扩张，带动 AI 及传统服务器需求同步提升，HBM、高密度 DDR5 及 LPDDR5X 成为 DRAM 主要增长动力，公司优先保障高附加值产品供应，比特出货创 历史新高，DRAM ASP 环比增长约 40%。NAND 方面，受三季度高基数、库存偏低及制 程迁移带来的比特损失影响，季度比特出货环比回落但整体符合指引，在产能约束下公 司持续提升高利润服务器 SSD 销售占比，服务器销售占比环比提升约 10 个百分点，叠 加产品结构优化及市场价格上行，整体 ASP 环比增长中 20%区间。 HBM 产品量产推进，需求高景气有望持续支撑业绩增长。公司表示，HBM4 在开发初期 即设定高于 JEDEC 标准的性能目标，目前已进入最终客户认证阶段并获得积极反馈，产 品按计划启动量产，11.7Gb 高性能版本将于 2 月开始出货。HBM4E 方面，公司计划年 中启动标准产品送样，下半年推进定制化产品开发，以满足客户导入节奏。在先进封装 方面，公司已具备基于 TC-NCF 的 16 层 HBM 量产准备能力，但鉴于当前需求有限，暂 不推进 HBM3E 及 HBM4 16 层产品大规模商业化；下一代 HCB 混合铜键合技术已完成 HBM4 样品交付并进入技术讨论阶段，部分产品将在 HBM4E 阶段实现初步商业化。展望 2026 年，HBM 产能已被客户订单全面锁定，销售额预计同比增长超过三倍，但整体需 求仍高于供给，短期内公司将优先扩充 HBM3E 产能并加大 1c 纳米制程投入，以支撑后 续供应能力提升。

1.3 闪迪：FY26Q2 业绩超预期，2026 年数据中心成最大下游

闪迪 FY26Q2 业绩表现强劲，Non-GAAP 下，公司实现季度营收 30.25 亿美元，qoq+31%， yoy+61%；毛利润率 51.1%，qoq+21.2 pcts，yoy+18.6 pcts，主要得益于高定价；经 营收入 11.33 亿美元，qoq+362%，yoy+386%；稀释后每股收益为 6.20 美元，qoq+408%， yoy+404%。人工智能持续推动需求结构性跃升，数据中心与边缘端工作负载扩展带动 存储容量与复杂度提升，叠加审慎的商业策略与产能配置优化，共同支撑公司经营表现 改善。