2026年拓荆科技公司深度报告：深耕薄膜沉积技术护城河，打造混合键合第二增长极

国内薄膜沉积设备龙头，业绩增长动力充沛

1.1.公司战略路径清晰，产品矩阵日趋完善

（1）公司自 2010 年成立以来，持续聚焦于高端半导体设备领域，在薄膜沉积设备和三 维集成设备（键合及配套量检测设备）方向深耕发展。公司在薄膜沉积方面已形成覆盖 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉 积）、HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及 Flowable CVD（流动性化学气相沉积） 等系列产品，可以支撑逻辑芯片、存储芯片中所需的全部介质薄膜材料的约 100 多种工艺应 用。自 2011 年公司首台 PECVD 向中芯国际出货验证，2013 年通过测试，逐步成为国内集 成电路薄膜沉积设备领域的龙头企业。2023 年，公司成功推出首台通过验证的晶圆对晶圆 （W2W）混合键合设备，并在三维集成设备领域进一步拓展产品矩阵，包括 W2W 熔融键 合设备、芯片对晶圆(D2W)混合键合设备及相关量检测设备，已获得重复订单并实现产业化 应用。目前，公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯等国内主流 晶圆厂生产线。

（2）公司主营产品覆盖薄膜沉积设备和三维集成设备两大领域。薄膜沉积设备方面， 公司提供包括 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 等全系列产品。其中， PECVD 设备作为核心产品，涵盖全系列薄膜材料，在国内集成电路制造产线中获得广泛应 用；公司是集成电路领域国产 ALD 设备薄膜工艺覆盖率第一的设备厂商，ALD 产品在存储 芯片、逻辑芯片制造领域量产规模快速攀升；SACVD 系列持续保持竞争优势，已形成稳定 订单，其等离子体增强 SAF 薄膜工艺设备在客户端验证顺利，关键技术指标达到要求； HDPCVD 产品订单持续增长，USG、FSG、STI 等工艺设备均已实现产业化并不断扩大量 产规模；自主研发的 FlowableCVD 设备也已完成多台客户验证并实现产业化应用。在三维 集成设备领域，公司晶圆对晶圆混合键合设备已获得重复订单，同时新一代高速高精度混合 键合产品已发往客户端验证。公司致力于为三维集成领域提供全面的技术解决方案，产品已 出货至先进存储、逻辑、图像传感器等各类客户产线。

1.2.股权结构均衡，专业化运营高效协同

（1）公司股权结构相对分散，无控股股东及实际控制人。截至 2025 年第三季度，国家 集成电路产业投资基金股份有限公司为公司第一大股东，持股比例为 19.57%；国投上海和 中微公司分别持股 13.48%和 7.30%为公司第二、三大股东。公司下设多家控股子公司，分 工明确，拓荆创益、拓荆上海、拓荆北京、拓荆青岛分别负责沈阳、上海、北京、青岛四地 的半导体薄膜沉积设备研发、生产、销售及技术服务；拓荆键科专注于混合键合设备业务； 岩泉科技为公司 2023 年新设的投资平台，围绕公司主业开展对外投资布局。

（2）公司管理团队兼具深厚的产业背景、国际化视野和扎实的专业能力。董事长吕光 泉博士毕业于美国加州大学圣地亚哥分校，1994 年 8 月至 2014 年 8 月,先后任职于美国科 学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国 SSTS 部；2014 年 9 月 至今就职于公司，成功领导完成 PECVD、ALD、SACVD 等设备研发并产业化应用。管理团 队覆盖半导体工艺研发、设备制造、运营管理等关键领域，多位成员拥有全球领先半导体企 业多年任职经历和国内外顶尖院校科研背景，在薄膜沉积设备等核心技术方向积累了丰富的 研发与产业化经验。整体而言，公司团队技术底蕴深厚、管理能力突出，为公司在高端半导 体设备领域的持续创新与业务拓展提供有力支撑。

1.3.营收增势延续，利润有望逐步兑现

（1）公司营业收入保持高速增长态势，主要得益于新产品开发验证进展顺利以及产品 竞争力不断提升。2020 年至 2024 年，公司营收复合增长率达到 75.19%。2025 年前三季 度，营业收入达到 42.20 亿元，同比激增 85.27%。分产品方面，公司主营产品薄膜沉积设 备持续保持竞争优势。2024 年，该业务实现销售收入 38.63 亿元，同比增长 50.29%。其 中，作为核心产品的 PECVD 系列不断扩大量产规模，销售收入创下历史新高。同时，公司 在三维集成设备领域取得显著进展，该系列产品收入于 2024 年达到 0.96 亿元，同比增长 48.78%，反映出公司新产品开发和产业化落地成效显著。

（2）公司规模效应逐步释放，推动净利润进入高速增长阶段。自 2021 年扭亏为盈以 来，公司归母净利润持续攀升。2025 年前三季度，归母净利润达 5.57 亿元，同比大幅增长 105.14%。公司毛利率为 33.28%，同比下降 10.31 个百分点，自 2024 年起，公司毛利率 在同行业公司中处于偏低水平，主要由于公司新产品及新工艺在收入中占比显著提升，而其 在客户验证阶段的成本相对较高所致，后续伴随新设备进入规模量产，毛利率有望逐步改善 提升。

（3）公司持续优化费用结构，显著提升经营、研发效率。在销售和管理费用方面，2024 年公司销售费用率和管理费用率分别为 7.06%和 5.12%，较 2020 年分别降低 8.17 个百分 点和 1.29 个百分点，体现出费用管控能力的显著增强。2025 年前三季度，公司销售费用率、 管理费用率和财务费用率分别为 6.23%、4.94%和 1.63%。研发方面，公司持续加强研发投 入，不断丰富产品种类并拓展工艺应用。截至 2025 年半年报，公司累计申请专利 1,783 项 （含 PCT），获授权专利 581 项，其中发明专利 294 项。在业务布局方面，公司已成功完成 PECVD、ALD、沟槽填充工艺及三维集成系列设备的产业化，并持续推进半导体关键部件的 研发与验证。2025 年前三季度，研发费用达 4.85 亿元，同比增长 0.93%。随着研发成果逐 步实现收入转化，营业收入持续快速增长，研发费用率近年来呈现下降趋势，体现出研发效 益与运营效率的协同提升。

（4）公司在手订单充裕，为后续业绩增长提供有力支撑。公司持续优化客户结构，在 巩固与国内龙头晶圆厂合作的基础上，成功拓展新客户，市场渗透率显著提升。随着产品及 工艺覆盖度不断提高，公司在客户认可度增强的同时，销售订单实现大幅增长，2024 年， 公司在手订单金额约 94 亿元，同比增长约 46%。此外，公司存货规模持续扩大，其中发出 商品占比超过五成，也体现了公司在手订单的饱满，并为后续的订单交付奠定了扎实基础。

把握市场高速扩张机遇，深化薄膜设备平台布局

2.1.薄膜沉积是集成电路制造的核心工艺之一

（1）薄膜沉积在集成电路制造中承担构建多层电路结构、提升器件性能等核心作用。 薄膜沉积是一种在基底材料表面制备一层薄而均匀的固态材料膜的先进制造工艺。在集成电 路制造中，通过不同的薄膜材料交替堆叠的三维结构，从而构成晶体管和电路的基本功能单 元。根据工作原理不同，薄膜沉积主要可以分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

i. 物理气相沉积（PVD）技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体） 表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体或等离子体，在 基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD 技术生长机理相对简单，沉 积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备。PVD 镀膜技术主要分为三类：真空 蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。

ii. 化学气相沉积（CVD）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种 能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应 形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在基体表面沉积薄膜的 工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。CVD 技术的重复性和 台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并 且难以精确控制薄膜厚度。 常压化学气相沉积（APCVD）作为最早的 CVD 设备，结构简单、沉积速率高，至 今仍在工业中广泛应用。在其基础上发展出的低压化学气相沉积（LPCVD），因工 作压力大幅降低，薄膜均匀性和沟槽覆盖填充能力得到改善，应用更为广泛。等离 子体增强化学气相沉积（PECVD）在 90nm 及更早期的 IC 制造中至关重要，等离 子体的引入显著降低了反应温度，同时提高了薄膜纯度和致密度，且不损伤已有电 路。而专门用于高深宽比沟槽填充的次常压化学气相沉积（SACVD），其特有的高 温（400-550℃）、高压（30-600Torr）工艺环境，可实现快速的沟槽填孔。

iii. 原子层沉积（ALD）是 CVD 的一种特殊形式，是以单原子膜形式一层一层的镀在 基底表面的方法。将不同的气态前驱体交替、脉冲式地通入反应室，每种前驱体与 基底表面发生饱和的化学吸附或反应，每次只沉积一个单原子层，通过循环次数可 以精确控制薄膜厚度。相对于传统的沉积工艺，ALD 拥有非常精准的膜厚控制和 优越的台阶覆盖率，适合深槽结构薄膜生长，在先进芯片制造中不可或缺。

（2）公司覆盖的 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD 及 Flowable CVD 设备均属于 CVD 细分领域产品。各类设备基于差异化的技术原理，实现多种薄膜材料的高质量沉积， 具备不同的物理与电学性能，可精准适配芯片制造中从介电层、隔离层到间隙填充等多样化 工艺环节的需求。

2.2. 国际龙头主导市场，国产替代空间广阔

（1）薄膜沉积设备市场持续增长，PECVD 占据主导地位；随着中国半导体产业快速发 展，本土市场需求不断扩大，中国市场在全球薄膜沉积领域的重要性显著提升。薄膜沉积设 备是集成电路制造的关键工艺装备之一，所制备的功能薄膜是构成芯片微纳结构的核心材料 层，其质量直接决定了芯片的电学性能与可靠性。由于不同芯片结构对薄膜材料、工艺参数 及性能要求的多样性，薄膜沉积工序在芯片制造流程中应用广泛且需求持续增长，形成了规 模庞大的专业设备市场。根据公司公告，2025 年全球晶圆制造设备销售额约为 1108 亿美 元，占半导体设备整体市场的 90%左右。薄膜沉积设备作为晶圆制造的关键环节，历来在全 球晶圆制造设备市场中占据约 22%的份额。据此推算，2025 年全球薄膜沉积设备市场规模 已达到约 244 亿美元，显示出该环节在半导体产业链中持续且关键的地位。中国大陆半导体 设备销售额约占全球的 42%。由此推断，2025 年中国薄膜沉积设备市场规模约为 102 亿美 元。从设备结构来看，PECVD 在薄膜沉积设备中占比最高，达到 33%；管式 CVD 和非管 式 LPCVD 分别占比 12%和 11%；ALD 设备占比 11%。PVD 设备中，溅射 PVD 与电镀 ECD 合计占据整体薄膜沉积市场份额的 23%。

（2）薄膜沉积设备国产化率整体较低，市场长期由三大国际巨头主导。全球半导体薄 膜沉积设备市场呈现显著垄断格局，其中应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）与东京电 子（TEL）三大厂商合计占据约 75%的市场份额。细分领域中，PVD 设备市场由应用材料 主导，长期维持超过 80%的份额；CVD 设备市场则主要由美日企业控制，前三大厂商占比 约 70%；ALD 设备市场中，东京电子与先晶半导体分别以 31%和 29%的份额形成双强格局。 整体而言，该市场技术壁垒高、头部集中度强，竞争结构趋于稳固。我国 PVD 设备在成熟 制程的国产化率为 15-20%，先进制程国产化率低于 10%；CVD 和 ALD 的国产化率均仅为 5%-10%。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）