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拓荆科技研究报告：半导体薄膜设备领军者，混合键合开启第二成长曲线。

深耕半导体薄膜设备领域，产品矩阵持续丰富

拓荆科技股份有限公司成立于 2010 年 4 月，主要从事高端半导体专 用设备的研发、生产、销售与技术服务。自成立以来，公司始终坚持 自主研发、自主创新，目前已形成 PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、 Flowable CVD 等薄膜设备产品，产品主要应用于集成电路晶圆制造、 先进存储和先进封装、HBM、MEMS、Micro-LED 和 Micro-OLED 显示等高端技术领域。公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长 江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。 受益半导体设备行业国产化及自身竞争力持续增强，2020-2024 年 公司营收及归母净利润持续扩张。公司营业总收入由 2020 年的 4.4 亿增至 2024 年的 41.0 亿，4 年 CAGR 达 75%；归母净利润 2021 年实现扭亏后连续三年保持增长态势，2024 年归母净利润达 6.9 亿。 公司在手订单数保持高速增长，2024 年在手订单金额约 94 亿元， 同比增长约 46%。

半导体薄膜沉积设备：国产替代持续演进，公司产品矩阵持续丰富

薄膜沉积设备通常用于在基底上沉积导体、绝缘体或者半导体等材料 膜层，是制造的核心设备，决定了芯片制造工艺的先进程度。薄膜沉 积设备按照工艺原理的不同可分为物理气相沉积（PVD）设备、化学 气相沉积（CVD）设备和原子层沉积（ALD）设备。AI 浪潮下先进制 程需求持续增长，拉动半导体薄膜沉积设备需求高增。根据拓荆科技 测算，2024 年全球薄膜沉积设备市场规模约为 230 亿美元。 当前，全球薄膜沉积设备市场基本上由 AMAT、LAM、TEL 等美、日 厂商垄断：在 PVD 设备领域，AMAT 处于领先地位，份额占比达 85% 左右；在 CVD 领域，AMAT、LAM、TELCR3 占比合计超 80%；在 ALD 设备领域，TEL 和 ASM 两家合计占比约 60%。而我国半导体 薄膜沉积设备发展起步较晚，设备自给率不足 20%。公司作为国内 半导体薄膜沉积设备领军者，持续拓展 PECVD（等离子体增强化学 气相沉积）、ALD（原子层沉积）、SACVD（次常压化学气相沉积）、 HDPCVD（高密度等离子体化学气相沉积）及 Flowable CVD（流动 性化学气相沉积）薄膜设备系列产品，新品产业化进程顺利，有望凭 借自身技术优势高速放量。

混合键合设备：先进封装对混合键合技术需求高增，公司前瞻性布 局该赛道开启第二成长曲线

混合键合通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球互连，从 而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装。按工艺区分， 混合键合技术可分为晶圆对晶圆（W2W）或芯片对晶圆（D2W）两种。先进封装持续演进，混合键合技术已应用于台积电的 SoIC 技术、 英特尔的 Foveros 等先进封装技术方案。根据 Yole 预测，全球混合 键合机市场规模有望由 2020 年的 2.7 亿美元增至 2027 年的 7.4 亿 美元，7 年复合增长率约 16%。 当前，全球混合键合设备市场主要由企业主导，BESI 一家占据 67% 的市场份额。近年来，我国混合键合设备市场逐步崛起，公司前瞻性 布局混合键合设备赛道，近年来持续研发投入，强化先进键合设备和 配套的量检测设备等系列产品的关键核心技术，不断拓宽公司产品布 局，其 W2W/D2W 混合键合前表面预处理及键合产品均获得重复订 单。随着混合键合设备新品放量，公司第二成长曲线未来成长可期。