拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备领军者，技术创新步伐加快.pdf

拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备领军者，技术创新步伐加快。国内薄膜沉积设备领军者，业绩持续稳定增长。拓荆科技成立于2010年，公司凭借多年的自主研发经验和技术积 累，现已拥有多项具有国际先进水平的核心技术，形成了以PECVD、 ALD、SACVD及HDPCVD为主的薄膜设备系列产品，在集成电路逻 辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用。2023年公司业绩持续稳 定增长，营业收入达27.05亿元，同比增长58.60%，归母净利润达6.6 亿，销售毛利率达51.01%，同时公司在手订单充足，23年在手订单量 超过64亿元。

半导体设备行业景气度有望回升，未来前景广阔

全球半导体设备规模随5G、AI等新兴技术的崛起不断扩大，2023 年受下游芯片周期疲软和终端库存过高的影响市场规模有所下降，预 计2024年需求回暖，市场规模同比增长4%。中国大陆半导体市场不 断扩大，在终端市场的拉动下，伴随着我国对半导体产业政策扶持， 中国大陆半导体产业发展迅速，在半导体技术迭代创新、产业生态等 方面均形成良好效果。

公司大力投入研发，持续丰富产品线

拓荆科技持续保持高强度研发投入，目前PECVD产品可以实现全系列 PECVD薄膜材料覆盖，包括通用介质薄膜（SiO2、SiN、TEOS、SiON、 SiOC、FSG、BPSG、PSG等）及先进介质薄膜（LoKI、LoKII、ACHM、 ADCI、HTN、a-Si、ONO等）；公司研制的PE-ALD设备已经实现量 产，可以沉积SiO₂、SiN等介质薄膜材料；Thermal-ALD设备已经出 货至不同客户端进行验证，可以沉积AL₂ O₃等金属及金属化合物薄 膜。公司持续扩大PECVD、ALD等产品的工艺覆盖面，并根据客户 需求持续创新、提升性能指标，公司薄膜设备产品已获得客户的大量 订单。