拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备国内领军者，混合键合设备第二成长曲线.pdf

上传者：y****
时间：2025/01/20
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拓荆科技研究报告：薄膜沉积设备国内领军者，混合键合设备第二成长曲线。薄膜沉积设备国产替代龙头，受益于国内晶圆扩产及工艺升级。薄膜沉积设备是芯片制造三大核心设备之一，先进工艺对薄膜沉积不断提出新的要求，我们测算，2023/2024E/2025E全球薄膜沉积设备市场空间为210.3/216.3/248.1亿美元，中国大陆薄膜沉积设备市场空间为72.7/73.5/84.4亿美元。公司是薄膜沉积设备国产替代龙头，核心产品PECVD快速放量，同时持续丰富设备品类，截至2024H1末，公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD及超高深宽比沟槽填充CVD薄膜设备可支持逻辑/存储芯片所需全部介质薄膜材料约100多种工艺应用，行业领先地位显著，有望优先受益于国内晶圆扩产和薄膜沉积设备国产替代。

前瞻布局混合键合设备，开启第二成长曲线。混合键合是无凸点永久键合的高密度互连技术，目前已在CIS、3D NAND等领域实现商业应用，根据Yole预测，HBM4有望开始应用混合键合。公司前瞻布局混合键合设备，晶圆对晶圆键合产品现已实现产业化应用，芯片对晶圆键合表面预处理产品现已通过客户验证。2024年12月2日美国BIS宣布新规，将HBM纳入严格管控，国内HBM有望加速扩产，叠加HBM产品持续迭代，公司混合键合设备成长前景广阔。