2025年电子行业2026年度策略：掘金AI创新周期

1. 市场回顾：年初至 2025 年 12 月 5 日 A 股电子板块上涨 44.67%，2025Q3 基 金持仓集中于数字芯片方向

年初至 2025 年 12 月 5 日，电子行业指数（中信）跑赢沪深 300 指数。我们分析认为年初受 DeepSeek 引 领的开源模型创新浪潮驱动国内 AI 大模型产业价值重估，叠加终端侧 AI 应用的持续迭代升级，算力产业链 表现相对强劲。后续 AI 技术引领的产业链创新与终端应用复苏持续推动电子行业上行，同时 2H25 开始存储 板块在供需差下开启涨价周期。2025 年初至 2025 年 12 月 5 日，电子行业指数（中信）上涨 44.67%，沪 深 300 指数上涨 20.00%，创业板指数上涨 50.9%。

2025 年初至 2025 年 12 月 5 日，电子板块指数涨幅在全行业指数（中信）中居前。

2025 年第三季度电子板块基金持仓占比降低至 5.07%。据 2025 年基金三季报披露的信息，2025 年 Q3 基 金持有电子行业总市值为 9370.88 亿元，占流通 A 股市值比重为 5.07%，仍维持较高水平，AI 产业周期 叠加业绩释放期，电子板块持续受到机构投资者青睐。

2025Q3 电子板块基金持仓市值前十的公司分别为：寒武纪、中芯国际、立讯精密、澜起科技、海光信息、 工业富联、中微公司、北方华创、兆易创新、沪电股份、胜宏科技，AI 赛道维持高景气，数字芯片设计的标 的占比达 40%。

2025 年 Q3 电子板块基金持仓市值/流通市值占比前十的公司分别为：茂莱光学、澜起科技、源杰科技、中 科飞测、晶晨股份、中芯国际、中微公司、兆易创新、芯源微、思特威。这些公司持续深耕于半导体核心赛 道，AI 创新周期与国产替代产业周期共振，机构持仓占比较高。

同时，电子板块基金持仓在申万一级行业中排名第二。根据基金 2025 年三季报数据，2025Q3 基金持仓电 子行业总市值为 9370.88 亿元，持仓占比为 5.07%，在申万一级行业中排名第二。

2. 2026 年度投资展望：掘金 AI 创新周期

目前，我们看到 AI 逻辑正在不断强化： ① 算力需求快速增长，在生成式人工智能蓬勃发展的推动下，算力行业维持高景气。根据 IDC 数据，2025 年中国智能算力规模将达到 1,037.3 EFLOPS（百亿亿次/秒），较 2023 年实现大幅跨越。预计到 2028 年，这一规模将进一步增至 2,781.9 EFLOPS，2023-2028 年复合增长率高达 46.2%。智能算力的激增 主要得益于大模型训练、自动驾驶、智能制造等 AI 应用场景的规模化落地，单一场景的算力需求已从传 统的 PFLOPS（千万亿次/秒）级别跃升至 EFLOPS 级别。 ② AI 芯片崛起，端侧 AI 领域百花齐放。随着中国 AI 下游应用市场的迅速扩张，AI 计算加速芯片的市场 需求呈现爆炸式增长，吸引各类芯片制造商的加入。目前，GPU 依然是 AI 市场的主导芯片。不过，以 ASIC 和 FPGA 为代表的其他类型芯片也已实现商业化，并在市场中占据一定比例。根据弗若斯特沙利 文预测，到 2029 年，中国的 AI 芯片市场规模将从 2024 年的 1,425.37 亿元激增至 13,367.92 亿元， 2025 年至 2029 年期间年均复合增长率为 53.7%。同时，从 AI 手机到 AI 穿戴设备，再到 AI 家居产 品，近期在 AI 端侧市场，海内外头部科技企业的创新产品层出不穷。AI 端侧产品创新不仅重构用户与 智能设备的交互方式，更带动全产业链升级，激活万亿元级市场。根据沙利文预测，2025 年至 2029 年， 全球 AI 端侧市场将实现跨越式增长，规模预计从 3219 亿元跃升至 1.22 万亿元，年复合增长率达 40%。 ③ 另一方面，AI 工作负载的指数级增长正在增加数据中心的功率需求。传统的 54 V 机架内配电专为千瓦 （KW）-scale 机架设计，无法支持即将进入现代 AI 工厂的兆瓦（MW）-scale 机架。从 2027 年开 始，NVIDIA 正在率先向 800 V HVDC 数据中心电力基础设施过渡，以支持 1 MW 及以上的 IT 机架。

2.1 存储行业迎来上行周期，服务器存储需求爆发有望刺激产品价格进一步上涨

AI 高景气带领市场加速，存储迎来新上行周期。AI 浪潮正加速存储行业供需失衡，行业或将迎来持续数年 的“超级周期”，预计到 2027 年全球存储市场规模将逼近 3000 亿美元。存储芯片作为周期性最强的半导体 细分领域，过去 13 年已历经三轮周期，目前正步入第四轮新周期。回顾前三轮：2012-2015 年由智能机换 机潮驱动，后因扩产供过于求下行；2016-2019 年受益 3D NAND 产能转移、DDR4 迭代及手机游戏需求， DRAM 等产品价格涨幅超 100%，后续受 PC /服务器需求疲软调整；2020-2023 年疫情催生远程办公与数据 中心需求，存储先涨后因需求疲软、产能过剩下跌超 50%。2024 年以来，AI 算力基建与 HBM 技术突破成为 新引擎，带动 DDR5、HBM 及企业级 SSD 需求爆发，周期逻辑被重塑。

受三大原厂产能分配和 AI 需求，存储价格有望继续上涨。当前 NAND、DRAM 的库存已快速消耗，原厂将 进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括 DRAM、NAND 产品在内的整体供应增长有限。原厂 展现出强势大幅拉涨价格的态度，覆盖服务器、手机及 PC 等各应用市场的 DRAM 与 NAND 产品价格最低 涨幅 20%，甚至部分报价涨幅超过 40%。此轮涨价的核心驱动力源自服务器存储需求的爆发，原厂产能结 构性转移至服务器市场，mobile、PC 及现货市场供应已然受到影响，消费类 NAND、DRAM 强势涨价已然 跳脱需求因素，在未来一段时间内，现货市场 DRAM、NAND 供应趋紧、价格上涨的市况或成为常态。

根据 TrendForce 预计，2025 年第四季整体 DRAM 价格上涨，涨幅从先前的 8-13%，上修至 18-23%，并且 很有可能再度上修。同时预估 NAND Flash 第四季各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达 5-10%。

需求端：AI 成为核心驱动力

AI 时代数据总量爆炸式增长带来巨大的存储需求。IDC 预测，受生成式 AI 等前沿技术驱动，2028 年全球的 数据量将会膨胀到 394ZB，中国数据生产量将达到 100ZB。目前单台 AI 服务器的 DRAM 用量达到普通服务 器的 8 倍，NAND 用量约为 3 倍。2025 年，AI 对存储的需求占比已高达 40%，且未来份额还将持续提升。 OpenAI 等大模型厂商的订单已占据全球高端 DRAM 产能的相当大部分，对行业格局产生深远影响。对于传 统服务器/数据中心，企业数字化、云计算进程持续推进，2026 年数据中心有望首次取代移动设备，成为 NAND 闪存最大的应用市场。

冷数据变温趋势明晰, AI 推理增加冷数据和温数据需求。随着大模型训练与推理对数据访问需求的爆发式增 长，大量曾被视为“冷数据”的资源正被重新激活。这些数据因频繁参与模型迭代与实时推理，逐渐转变为 “温数据”，甚至因持续调用而成为“热数据”。根据华为《智能世界 2035》预测，到 2035 年，温数据的 占比有望超过 70%，传统的数据三层结构将逐渐演变为“热温 - 温冷”两层结构，比例趋于 3:7。这一转 变不仅显著提升数据利用效率，更意味着企业和社会能够从历史数据中挖掘出前所未有的价值，推动数据资 源从“被动存储”走向“主动赋能”。 在传统数据中心储存分层架构中，HDD 凭借每单位储存容量(GB)的极低成本优势，稳居冷数据(Cold Data) 主流储存方案。SSD 则以其高速的读写性能，主要负责需频繁存取的热数据(Hot Data)和温数据(Warm Data)。

受限于 HDD 供给限制，SSD 需求将进一步上升。北美 CSP 早已规划于温数据应用扩大采用 SSD，但因为 这波 HDD 缺口严峻，CSP 开始考虑于冷数据采用 SSD。 QLC SSD 凭借其高密度、低成本及大容量优势， 正加速替代传统 HDD，成为数据中心和 AI 场景的核心存储解决方案。TrendForce 预计，QLC 技术正以前 所未有的速度被应用于 AI 的温/冷数据储存层。

供给端：资本聚焦高端，产能增长受限

DRAM 和 NAND Flash 产业的投资重心逐渐转变，从扩充产能转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合 以及 HBM 等高附加价值产品。DRAM 产业的资本支出在 2025 年预计将达到 537 亿美元，预计在 2026 年 进一步成长至 613 亿美元，年增率达 14%。NAND Flash 部分，资本支出在 2025 年预计为 211 亿美元，2026 年预计小幅增长至 222 亿美元，年增约 5%。在 DRAM 各供应商中，美光是最积极的厂商，其 2026 年资本 支出预计达 135 亿美元，年增 23%，主要专注于 1 gamma 制程渗透和 TSV 设备建置。SK 海力士的增幅也 十分显著，2026 年预计为 205 亿美元，年增 17%，以应对 M15x 的 HBM4 产能扩张。Samsung（三星）预 计投入 200 亿美元，年增 11%，用于 HBM 的 1C 制程渗透及小幅增加 P4L 晶圆产能。

DRAM 2026 年供应商产能增长空间有限。DRAM 原厂目前新建的产能相对比较有限，在 AI 旺盛的需求和高 毛利率的驱动下，预计也将优先满足 HBM 供应。从目前已经公布的新的产能建设计划来看，2026 年能够供 给市场的新增的产能比较有限，大多数都是要等到 2027 年底才能开出。三星与 SK hynix 仍有小幅扩大产线 的机会，而美光则需要等待其美国 ID1 新厂落成，最快 2027 年才能有产出。南亚科技在中国台湾新建的 5A 晶圆厂于去年破土动工，新工厂的建设计划于 2026 年完工，预计将于 2027 年量产，整个工厂的产能计划为 4.5 万片。

AI 算力需求持续驱动下，高带宽内存（HBM）已成为半导体产业的核心赛道。与传统内存技术（如 GDDR） 相比，HBM 有超高带宽、卓越能效、空间尺寸、低延迟特性的显著优势。在 AI 推理上能解决其内存瓶颈等 问、能效问题和实时性高要求场景的延迟问题。据 Mordor Intelligence 数据显示，随着 AI 大模型的兴起， 海量算力需求催生了对芯片内存容量和传输带宽的更高要求，预计到 2029 年，HBM 市场规模将增长至 79.5 亿美元，年复合增长率为 25.86%。

2.2 半导体测试机：受益于 AI 芯片国产化，测试设备有望迎来放量

半导体测试机为集成电路产业的核心检测设备。测试机通过高精度的电参数和系统级测试，在芯片的整个生 命周期中筛选出缺陷产品，为设计评估、良率提升和终端产品稳定性提供了关键支撑。在半导体制造流程中， 测试机主要应用于设计验证、晶圆测试（CP）和成品测试（FT）三个核心环节：在设计阶段提供质量控制 与验证，而且在封装前的 CP 环节对晶圆上的裸芯片进行性能检测以降低后续封装成本，以及在封装后的 FT 环节验证最终芯片的功能实现和系统稳定性。

测试机目前正围绕系统级芯片（SoC）和存储器两大主流方向发展。全球半导体测试机市场需求高度集中， 其中根据 SEMI 数据显示，复杂度最高的系统级芯片（SoC）测试机占据约 60%的市场份额，存储器测试机 则占据约 21%的市场份额。

半导体测试机的未来前景同样强劲地受益于人工智能（AI）所引发的算力需求指数级增长。AI 作为推动科技 进步的核心力量，其对算力需求爆炸式增长。根据 IDC 数据，2024 年至 2026 年，中国智能算力规模的复合 年增长率达 41.9%，凸显了市场对高性能计算需求的迫切性。 高性能计算需求暴增转化为对两类关键高性能芯片的巨量需求：一是 AI 芯片，它们要求测试机具备更高通 道数、更快速度和混合信号处理能力的极其复杂的高端 SoC，测试难度空前提升；二是伴随大模型参数量增 长而需配套的高性能存储芯片（如 HBM），这直接拉动了存储器测试机在高速度、高并行度方面的测试需求， 以确保海量数据传输的可靠性。因此，AI 对芯片设计复杂度提出的更高要求，使得测试成为保障 AI 芯片良 率和可靠性的关键环节，从而强力支撑了高端半导体测试设备的市场需求。

技术的深层次变革与跃迁，正加速高端测试设备的迭代历程。3nm 制程的放量、GAA 架构的普及以及 Chiplet 异构集成这三大技术趋势，从根本上大幅推升了芯片设计的复杂度，并倒逼高精度测试设备需求集中释放。 以三星成功实现 3 纳米 GAA 架构制程技术芯片的生产为例，芯片内部器件密度极高，要求测试机必须拥有 极高的信号纯净度和微安级的精密测量能力，以确保新架构下的芯片性能可靠。同时，设计转向 Chiplet 异 构集成，意味着测试任务不再是简单的单芯片功能验证，而是转变为系统级、多芯片同步、跨接口通信的复 杂验证。这要求测试机必须升级为高通道数、高带宽的平台，模拟并验证多个小芯片间高速连接的稳定性和 互操作性。这些技术跃迁使得高端 SoC 测试机必须持续在测试精度、并行度和信号处理能力上进行深度迭代， 才能满足新一代复杂芯片的质量控制需求。

存储器测试机领域，NAND Flash 测试机需求受存储技术迭代拉动，技术壁垒较高。QLC/PLC 高密度存储、 232 层以上 3D 堆叠技术普及，使测试时间与复杂度倍增；同时，AI 训练催生高速 SSD 需求（如 PCIe 5.0 接口带宽达 32GT/s），测试设备需匹配超高吞吐量与信号完整性检测能力。

根据 SEMI 预测，全球半导体测试设备市场将迎来高速增长。预计 2025 年测试设备销售额将大幅增长 23.2%， 达 93 亿美元，并在 2026 年继续攀升至 97.7 亿美元，显示出极大的市场规模和强劲的增长势头。这种增长 主要受设备架构复杂性显著提升，以及人工智能和高带宽存储器（HBM）半导体对高性能的强劲需求推动， 这为测试设备带来了巨大的订单窗口和增长驱动力。

全球半导体测试机市场呈现出高度集中的竞争格局，爱德万等国际巨头占据了市场的主要份额，但随着国产 AI 芯片加速突破，国产半导体测试设备有望突围。由爱德万官网数据显示，爱德万的市场份额在 2024 年进 一步提升至了 58%。这种高集中度源于测试机行业极高的技术壁垒：检测设备的功能模块多、工艺难度大、 集成化程度高，产品研发涉及电子电路设计、精密光学、精密机械设计与自动化控制，以及软件算法等多个 技术领域。爱德万市场份额持续提升，核心得益于 AI 产业爆发带动 SOC 测试机等高端设备需求激增。随 着华为昇腾、寒武纪等国产 AI 芯片企业加速突破，其对测试设备的本土化服务、快速迭代需求强烈，这为 长川科技、华峰测控等企业提供了替代契机。

当前，以华峰测控、长川科技、精智达为代表的国产厂商，正在共同引领国内半导体测试行业。长川科技作 为国内半导体测试设备的“平台型”龙头，公司凭借深厚的技术积累，其数字测试机 D9000 已实现量产，性能 对齐外资主流 SoC 测试机。华峰测控是模拟与功率半导体测试领域的隐形冠军，专注于模拟、数模混合及功 率器件（GaN、SiC、IGBT）赛道。公司于 2023 年成功推出了面向 SoC 及高端数字芯片测试的全新一代 平台 STS8600，该系统在测试通道数、频率及并行处理能力上实现了关键性突破。精智达在半导体存储器件 检测领域技术积累深厚，实现了对存储器后道测试工艺的全覆盖产品布局，能够提供系统化解决方案。公司 首台高速测试机成功交付；算力芯片测试业务中，公司已具备 SoC 测试机的长期战略技术储备。

2.3 拥抱 AI 能源革命：从英伟达 800V 架构到磁性元件

服务器机柜功率的跃迁式提升，效率驱动的供电架构革新，供电系统是决定 AI 数据中心可靠性、经济性与 环境效益的核心战略环节。电力是制约 AI 算力规模与效率的命脉。CPU/GPU 芯片功耗随着算力提高大幅提 升，过去 5 年 CPU 功耗从 130W 提升至 500W，GPU 功耗从 250W 提升至 1200W，进而导致单机柜功率 持续大幅提升。AI 数据中心单机柜功率正从传统的几千瓦向几十至上百千瓦跃升，目前英伟达搭载高算力芯 片的服务器机柜功率已经超过 100kW。国内数据中心供电架构目前主流方案与国外一致，是 UPS 交流供电 系统为主。 供电系统的效率直接关乎运营成本与环境可持续性，机柜功率大幅提升对传统数据中心的供电架构带来巨大 挑战： （1）空间承载力不足：为支撑高功率需求，需配置体积庞大的铜母线排和大量的电源模块，电源设备将占 用大部分机柜空间，计算单元的部署空间被严重挤压。（2）铜材消耗与散热挑战：铜材消耗呈指数级增长，由此引发的材料成本飙升、热密度失控及散热系统复 杂度呈几何级增长。 （3）能源效率挑战：传统 UPS 交流供电需经过“交流-直流-交流”至少两级变换，每级变换都会产生能量 损耗，让电网输送的电力在“最后一公里”大幅折损。

英伟达为代表的头部企业已提出 800VHVDC 供电架构。数据中心供电发展方向主要为 UPS→HVDC→巴拿 马电源→SST 直流架构。英伟达所提出的 800VHVDC 架构核心实现路径就是 SST 直流架构，通过功率半导 体器件替代传统铁芯和绕组，实现 13.8kV 交流电到 800V 直流电的高效转换，SST 是该方案实现高功率密 度、高转换效率（超 98.5%）和空间优化的核心支撑，也是英伟达规划的 2027 年全面落地的“终极供电方 案”的核心器件。 SST（固态变压器）匹配智算中心供电需求。传统硅钢变压器存在“体积大、损耗高、响应慢” 三大痛点， 已无法适配算力中心 “高密度、低 PUE” 的需求，固态变压器采用“电力电子变换 + 高频磁元件” 架构， 效率提升至 98%，较传统方案高出 4-6 个百分点，并能有效缩小体积，实现毫秒级功率调节，匹配智算中心 “高效、紧凑、灵活” 的供电需求。

磁性元件是实现电能和磁能相互转换的电子元器件，有望跟随 SST 方案落地迎来放量。磁性元件是指以法 拉第电磁感应定律为原理，由磁芯、导线、基座等组件构成，实现电能和磁能相互转换的电子元器件，固态 变压器采用“电力电子变换 + 高频磁元件” 架构，其中磁性元件的优化设计方法（如磁芯选型、绕组设计） 是提升 SST 性能的关键。 据国际能源署与行业机构测算，2025 年固态变压器出货量约 1GW，其中磁元件成本占比约 15%-20%。作 为能大幅提升电能转换效率的关键设备，固态变压器正成为算力中心等场景的优选方案，2026 年更将迎来 规模化发展的 “元年”，未来五年有望实现高速增长，进一步拉动算力领域磁元件需求扩容。

除固态变压器配套需求外，算力网拉动磁元件规模增长，高效算力倒逼磁元件高端化。AI 服务器自身的高功 率、高频化需求推动传统磁元件技术持续升级。算力高效供给要求服务器向高功率、高密度转型，倒逼磁元 件从 “通用型” 向 “定制化高端型” 升级。2024 年全球人工智能服务器市场规模为 1251 亿美元，2025 年将增至 1587 亿美元，2028 年有望达到 2227 亿美元。其中，生成式人工智能服务器占比将从 2025 年的 29.6%提升至 2028 年的 37.7%。服务器的性能升级与数量扩张，直接推动磁元件用量翻倍。

磁性元件市场规模有望持续扩大。近年来，新能源汽车电动化使磁性元件单车价值量显著提升，800V 电压 平台普及后，需求及性能要求进一步提高。此外，充电桩采用模块式组合功率，高电压平台快充需并联更多 充电模块，带动磁性元件需求增长。另外，光伏储能领域，随着光伏装机量持续向好，磁性元件市场需求也 不断扩大，庞大的市场需求带动我国磁性元件行业市场规模不断扩大。据统计，2024 年我国磁性元件行业市 场规模达 71.9 亿美元，占全球磁性元件市场整体规模的比例高达 31.90%。

编辑：火腿肠