2025年电子行业AI产业系列深度报告：AI技术创新与供需格局变化，共同驱动存储景气周期

1 存储市场规模较大，有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期

1.1 存储芯片以 DRAM 和 NAND Flash 等产品为主

存储芯片主要用于计算机系统中的数据存储。存储芯片，又称“半导体存储器”，是 指集成电路中用来存储数据的一种数字芯片，用于临时或永久地存储数据和指令，以 便在需要时能够快速访问和处理。存储芯片可分为随机存取存储器（RAM）和只读存 储器（ROM）两种，RAM为易失性存储器，ROM为非易失性存储器。其中，易失性存储 芯片可随时进行数据读写且速度较快，断电后保存数据会丢失，通常用作操作系统或 者其他运行中程序的临时数据存储，可分为静态随机存储器和动态随机存储器；而非 易失性存储芯片断电后也能保存数据，但只能读取事先所存数据的存储，可分为 OTPROM、Flash Memory等，其中Flash Memory包括NOR Flash和NAND Flash。

DRAM和NAND Flash占据存储市场大部分份额。从2025年Q3来看，据CFM闪存市场数据， 2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比 增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美 元，创造季度历史新高。其中，DRAM市场占比68.5%，NAND Flash占比31.5%，二者占 据存储市场大部分份额，其他类型如Nor Flash则占比较低。

DRAM、NAND Flash与NOR在技术与应用场景中有所互补。 Flash 当前半导体存储市场 的主流产品包括DRAM、NAND Flash与NOR Flash三类，其中DRAM具备集成度高、价格 较低、功耗较低的优势，但存取速度相对缓慢；Flash存储器进一步分为NOR Flash和NAND Flash两大品类，其中NOR Flash则在读取速度、可靠性及擦除速度上表现相对 较好，其应用以编码功能为主，多与运算相关，主要适配移动端、车机端等终端的系 统场景，而NAND Flash的核心功能聚焦于资料存储，大容量、单位容量成本低为其核 心特征，广泛应用于嵌入式系统所采用的芯片级磁盘（DOC）及闪盘等设备，相较于 NAND Flash，NOR Flash的核心竞争优势集中于读取速度更优。

1.2 存储芯片产业链上游为设备及材料，下游应用广泛

存储行业产业链上游为设备及材料，中游为存储芯片的设计、制造、封测和模组集成， 下游包括人工智能、消费电子等广泛应用领域。存储芯片产业链的上游为设计工具、 半导体设备和材料，设计工具包括IP核、EDA等，半导体设备包括光刻机、刻蚀设备、 薄膜沉积设备、清洗设备、涂胶显影设备、封装测试设备等，半导体材料包括半导体 硅片、光刻机、靶材、电子特气、封装材料、CMP抛光材料等；中游主要是存储芯片 产品的设计、制造和封测环节,以及存储模组产品集成；下游包括人工智能、消费电 子、云计算与数据中心、工业控制与汽车电子等。1）消费电子，智能手机（主要搭 载LPDDR内存和NAND闪存）、个人电脑（主流DDR5内存+SSD）、平板电脑等为核心场景； 2）人工智能，在云计算与数据中心领域，需部署PB级存储集群，采用DDR4/DDR5内存 服务器+SSD存储阵列，其中AI服务器需搭配高带宽内存（HBM）以提升算力效率；大 模型训练需要高带宽、大容量存储，3D NAND用于训练数据归档，HBM内存用于模型参 数缓存，直接影响AI算力释放效率。3）工业控制与汽车电子，工业场景依赖MRAM、 NOR闪存等高可靠性存储；4）汽车电子，自动驾驶系统需采用TB级NAND存储传感器数 据。

1.3 存储市场规模较大，有望迎来以 AI 驱动的新一轮景气周期

存储芯片市场规模较大。据世界半导体贸易统计组织，2024年全球存储芯片市场规模 为1670.53亿美元，同比增长81%，2022年至2023年的库存出清阶段已结束，存储芯片 市场重回上行周期；2025年全球存储芯片市场规模有望达到1894.07亿美元，同比增 长13%。 近十年存储行业经历三轮周期，前两轮主要由产品迭代和下游消费终端需求驱动。 2016年后的上行周期，主要是DDR4内存的加速渗透与产品换代，和以手机游戏为代表 的高性能应用的普及，拉动了存储芯片需求；2020年后的上升周期，主要是远程办公、在线教育等广泛普及，拉动了笔记本电脑等终端设备需求，进而推动存储芯片需求提 升。 当前存储芯片有望迎来以AI驱动的新一轮景气周期。本轮存储行业的上行周期，主要 由AI需求拉动、存储技术迭代进一步加速、供给端产能调控策略升级等因素共同驱动， 持续性或更强。一是需求拉动力更强，历史周期以手机、电脑等消费终端为核心驱动 力，消费终端疲弱将削弱上游存储需求，而本轮周期则由AI需求拉动，尽管同期传统 消费终端出货疲弱,但AI终端设备加速渗透，需求持续旺盛。二是存储技术迭代进一 步加速，匹配AI算力的HBM产品由DRAM技术升级迭代而来，并迅速迭代至HBM3E、HBM4 等，技术代差导致高端产品溢价持续扩大，存储厂商调控产能优先满足高端产品需求 的意愿更强。三是供给端产能调控策略升级，历史周期主要由供给端厂商减产去库存 以推动供需平衡，本轮周期中供给端产能调控策略升级，存储厂商主动调控产能至高 端领域，导致中低端产品供应缺口加大。由于AI发展浪潮持续推进，需求端景气高企， 而短期内供给端新增产能有限，供需缺口有望维持，因此本轮存储行业涨价持续性或 更强。

2 存储需求持续扩容，供给端调控与技术创新共同驱动增长

2.1 云厂商资本开支加速，服务器存储需求旺盛

全球云服务厂商资本开支或加速，有望推动服务器及上游部件需求增长。全球八大核 心云端服务提供商（CSPs）涵盖美系Google、AWS（亚马逊云科技）、Meta、Microsoft （微软）、Oracle（甲骨文）与中系Tencent（腾讯）、Alibaba（阿里巴巴）、Baidu（百 度），2025年以来均加大资本支出投入以响应AI数据中心与云端运算的爆发式需求。 根据TrendForce集邦咨询统计，Google上调2025年资本支出至910-930亿美元，Meta 上修至700-720亿美元且2026年将持续大幅增长，Amazon调升开支预估至1250亿美元， Microsoft虽未披露完整年度数据但预期2026财年支出将高于2025年。根据 TrendForce集邦咨询预测，2025年全球八大CSPs资本支出总额年增率预计为65%，并 预期2026年行业仍将维持积极投资节奏，合计资本支出将突破6000亿美元，年增率达 40%。资本支出的持续扩张有望全面带动AI服务器需求升温，进而拉动GPU/ASIC、存 储器、封装材料等上游供应链，以及液冷散热模块、电源供应、ODM组装等下游系统 环节同步扩张，推动AI硬件生态链进入新一轮结构性成长周期。

服务器出货稳步增长，AI服务器出货有望维持较高增速。科技企业依托丰富的AI模型 生态，有效提升了服务器资源利用率与云服务客户黏性，对云计算的发展及应用形成 正反馈，而AI服务器也已成为驱动全球存储市场增长的重要引擎之一。据CFM数据， 2024年全球服务器市场规模增长3.2%至1290万台，其中通用服务器台数为1150万台、 同比基本持平，AI服务器规模约140万台、同比增长56%；预计2025年全球服务器市场 出货量将达1340万台，同比增长约3.9%，通用服务器台数预计为1160万台、与2024年 基本持平，AI服务器台数则有望达到180万台、同比增长29%。

服务器存储占比有望进一步提升。大型云服务商积极投资AI基础设施以部署存算力 资源。NAND领域，算力中心积极应用超高容量eSSD提升性能、降低能耗，互联网企业 对PCIe5.0 eSSD需求有望增加，32TB及以上QLC eSSD在服务器市场的渗透率持续提 升，带动服务器存储位元需求大幅攀升，2024年全球存储应用市场中服务器NAND应用 占比达30%（2023年为16%），预计2025年将维持30%。DRAM方面，随着支持DDR5的处理 器平台渗透率提升、搭载AI加速芯片的 AI服务器出货放量，服务器DDR5及HBM需求快 速增长，2024年服务器DRAM应用占比达34%（2023年为32%），预计2025年将升至36%， 在64GB及以上DDR5及HBM3e出货增长带动下，2025年服务器存储位元需求同比增长将 超20%；而2024-2025年全球手机及PC出货量持稳，端侧单机容量增长是消费端存储需求增长的有效动力，高端化趋势下终端均价提升也给相关厂商带来新机遇。总体来看， 近两年服务器存储需求增幅领涨各下游应用市场，存储原厂将新增产能和资本支出 向高性能eSSD、DDR5及HBM倾斜，AI需求推动存储技术和产品迭代，2025年NAND和DRAM 容量需求预计分别增长12%和15%。

AI服务器单机存储容量提升。AI服务器的单机存储容量呈现提升的态势，以英伟达 H100 AI服务器为例，其所需的HBM容量可达640GB，DDR5容量为2TB-4TB，NAND容量则 为32TB-132TB。目前AI服务器市场的需求增长具备较强确定性，在AI大模型训练与推 理的应用场景中，智能终端对存储产品的容量、性能及稳定性提出了更高要求，进一 步带动了存储技术的迭代与产品应用的升级。

2.2 人工智能+消费终端加速渗透，端侧存储有望持续扩容

AI手机加速渗透，智能手机存储容量持续提升。AI手机正逐步成为更智能的私人助 手，其功能愈发丰富，除AI制图、撰写、生成视频等工具外，还能模拟点咖啡、订票 等操作，同时支持一键问屏、一圈即搜、AI回邮件等功能；集成AI大模型的手机助手 已是智能手机中不可或缺的重要组成，其依托语音识别、自然语言处理与机器学习技 术，无需第三方应用支持即可自主理解用户意图、处理复杂指令并完成复杂任务，还 能在健康管理、高效办公、生活支持等场景提供个性化服务，并根据用户习惯与反馈 自我迭代以变化体验。根据CFM闪存市场数据，2025年全球AI手机渗透率预计将达30%， 2026年有望升至50%。2024年以来手机厂商纷纷开发端侧大模型，但将大模型内置手 机面临算力、内存、存储容量、电池密度等多重挑战，庞大的参数模型会占用较多手 机内存，目前多数手机厂商新一代旗舰机已全员配备12GB内存，未来有望加速向16GB 靠拢，NAND也有望从256GB向512GB、1TB加速渗透，根据CFM闪存市场数据，预计2025 年智能手机单机NAND容量有望超220GB，DRAM有望超8GB。

AIPC算力更强，对存储容量要求较高。2024年以来，微软推出了Copilot+PC，高通、 AMD、英特尔等的新一代处理器也陆续发布，推动联想、惠普、苹果、华为等各大PC 厂商加速布局全新的AIPC形态，据CFM闪存市场数据，预计2025年全球AIPC的渗透率 将达到35%。相较于传统PC，AIPC采用CPU+GPU+NPU的异构方案，新增的NPU存储容量 逐渐提升，对功耗和散热的要求更严苛；微软为Copilot+PC设定的最低配置要求包括 骁龙X Plus/X Elite、AMD RyzenAI300系列等特定处理器，需配备运算能力达40万亿 次每秒以上的NPU，内存至少为16GB DDR5或LPDDR5X，存储容量最低为256GB SSD或 UFS存储，更高的存储容量与带宽是AI模型本地化运行的硬件基础。而近期推出的AIPC 新品中，除苹果MacBookPro 14英寸配备Apple M4芯片外，联想YOGA Air14s骁龙AI元 启、惠普EliteBook Ultra14等机型普遍搭载新一代处理器，内存配置为32GB LPDDR5X、 存储容量1TB起步。

AI眼镜行业快速发展，有望为存储带来增量市场。在Ray-Ban Meta的带动下，AI眼镜 行业快速发展并形成两条清晰技术路线，一是对传统眼镜升级，增加拍摄、语音、AI 助手等功能，通过VUI（语音交互界面）以语音、TTS文本转语音及指示灯反馈交互； 二是添加显示屏推进AR功能迭代，通过GUI（图像交互界面）以显示、触控、语音及 TTS交互，各大厂商均在这两条路线有所布局。如今AI眼镜已融合实时翻译、AR导航、 AI大模型等功能，甚至可搭配键盘实现轻办公，它不同于传统电子产品，以轻量化方 式增强了人们对现实世界的掌控感，构建出全新生活方式。在配置方面，AI/AR眼镜 常搭载高通骁龙AR1、紫光展锐W517芯片，而高通2022年已发布性能更强的骁龙AR2， 预计未来会有更多厂商选择搭载；软件系统除自研方案外（如StarV View内置魅族 Flyme XR 2.0空间操作系统），谷歌也在2024年12月推出Android XR系统，为VR、AR 设备（含眼镜）提供统一操作支持；存储方面目前多数采用2GB+32GB的ePOP方案，为 适配大模型运行与AI应用，128GB/256GB的超薄定制化ePOP方案也将迎来发展。

2.3 HBM、DDR5 引领高端 DRAM 市场，QLC NAND 技术逐步成熟

AI工作负载对存储技术要求进一步提高。随着模型复杂度提升与训练数据集的扩大， AI工作负载对存储的需求持续提升，AI训练阶段需要存储系统具备高速读写能力与 超大容量，推理阶段虽数据读取频率高于写入，但也需高效的数据访问速度来支撑实 时决策。为保障模型训练精度，所需数据量不断增长且覆盖文本、音频、图像等多模 态类型，同时AI大模型训练与部署中常用的Checkpoint检查点环节，其体积通常极大 （如GPT-175B的Checkpoint可达数百GB甚至数TB），且训练中常并发多个Checkpoint， 需要存储设备将大量数据快速传输至内存或计算单元；而训练负载以随机读取为主， Checkpoint写入会中断这一过程，因此存储需满足密集随机访问需求，AI服务器也对 存储的性能、容量与可扩展性提出了更高要求。

AI驱动HBM需求高增，HBM市场规模持续增长。传统冯诺依曼计算架构下的“存储墙” 瓶颈已阻碍服务器性能提升，为此各大厂商推出了非易失性存储、存算一体、CXL、 GDDR等方案，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）也是其中之一。HBM具备 高带宽、多I/O数量、低功耗等特性，随着AI技术发展与应用对存力和算力的要求提 升，HBM市场自2024年起进入爆发增长阶段。据闪存市场数据，2024年全球HBM市场规 模达到160亿美元，同比增长256%，约占整体DRAM市场的16%；预计2025年HBM市场规 模有望达到300亿美元，约占全球DRAM市场的28%。

HBM技术持续迭代，存储容量与带宽不断提升。HBM技术自2013年被纳入JEDEC标准后， 已历经多个版本的迭代，芯片堆叠层数、存储容量与带宽也在持续提升。截至目前， JEDEC已陆续公布了HBM4的多项核心参数，HBM4内存采用4Hi、8Hi、12Hi及16Hi的堆 叠配置，支持24Gb与32Gb的DRAM Die，最高容量可达64GB；数据传输速率方面，JEDEC 规定其速率为6.4GT/s，同时预留了最高10GT/s的支持空间，使得每个HBM4内存堆叠 的带宽达到2.56TB/s，且配备2048位的内存接口。

主流AI加速卡多数采用HBM配置方案。当前AI芯片市场中，GPU、ASIC与FPGA三大技术路线虽仍存在博弈，但在高带宽内存的选择上，HBM几乎是各技术路线的一致选项。 据CFM统计，HBM3/2E是目前主流AI芯片采用的型号。随着英伟达GB300、AMD MI325X 的相继推出，再加上其他市场参与者的平台迭代，HBM3E的市场份额有望得到提升。

DDR5在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。据CFM数据，截至2024年二 季度末，全球服务器市场的DRAM出货量中，DDR5占比已超过一半；预计到2025年末， 该市场DRAM出货量中约80%为DDR5，其中单die容量为16Gb的DDR5仍是主力应用，24Gb 与32Gb规格的DDR5出货占比也有望大幅提升。目前三大存储原厂均已推出32Gb DDR5 产品，并积极推进在企业级与数据中心客户中的验证及推广；相较于16Gb DDR5，32Gb DDR5的单die容量实现翻倍，无需采用TSV工艺即可量产128GB DDR5内存条，这大幅削 减了高容量DDR5内存条的生产与采购成本，也为更高容量DDR5内存产品的研发和量产 开拓了道路。

NAND市场方面，QLC NAND技术逐步成熟，渗透率有望提升。存储原厂持续改进QLC NAND 的存储密度与读写性能，使其更适配AI、机器学习及在线分析处理等应用对高带宽、 低延迟与读取优化的性能需求，尤其契合算力中心温热数据的读取密集型操作场景， 还能帮助企业提升存储性能、降低成本。在NAND Flash的结构中，每个Plane包含多 个Block、每个Block包含多个Page，以Block为最小擦除单元、Page为最小读写单元， 擦除Block前需迁移Page中的有效数据，会触发垃圾回收与写放大；NAND的擦写循环 次数（P/E Cycles）随存储单元电荷容量增加而降低，SLC到QLC呈衰减趋势，但容量 与使用成本更优，且技术升级后，QLC的耐用性已有所提升，例如长江存储X3-6070 QLC NAND的P/E Cycles可达4000次，媲美TLC。2024年起，兼顾大容量、低功耗、高性能 的QLC SSD成为企业级存储新星，推动SSD进入100TB级超高容量时代，Solidigm推出 122TB SSD并逐步开始供应，三星量产16TB、32TB QLC SSD且规划后续更高容量产品， 西部数据也在推进超大容量QLC SSD布局。此外，QLC SSD兼具HDD的大容量特性，还 以高存储密度、低功耗的特性，优化算力中心的服务器空间与电力成本，在AI大模型 训练场景中契合系统厂商关注的效率、性能需求，也符合绿色环保的AI应用趋势。

2.4 供给端调控产能致 DDR4 等供不应求，产品价格攀升

存储大厂调整产能规划至HBM等高端环节，优化DRAM及NAND部分环节供需格局。DRAM 市场方面，2024年底，SK海力士宣布计划将DDR4 DRAM产量削减至DRAM总产量的20%； 2025年4月美光宣布停止为服务器提供传统DDR4内存模块，将DDR4产能转向DDR5和HBM 市场，以满足AI服务器和高性能计算的需求；三星宣布将开始逐步停止生产DDR4内存 颗粒。大厂减产DDR4 DRAM，主要为补充DDR5和HBM产能，同时减少DDR4产品的竞争压 力。NAND市场方面，美光、三星、海力士、铠侠均计划减产以调控供给量，推动闪存 市场库存去化，以稳定产品价格，其中SK海力士正在进行技术迁移，以量产最新的238 层和321层NAND产品。

DRAM方面，DRAM原厂停供DDR4使相关产品价格大幅上扬。为调整更多产能至具有更高 利润空间的DDR5和HBM产品中，DRAM原厂自2024年第三季度以来相继宣布减产/转产 LPDDR4X，2025年4月初原厂部分停产DDR4，使得现货市场相应LPDDR4X产品出现供应 趋紧现象,存储现货市场服务器DDR4、行业内存条、渠道内存条报价均大幅上扬，甚 至部分DDR4现货价已在6月超过DDR5。自9月初至今，DDR4 1Gx8和DDR5 2Gx8等颗粒现 货价均有不同程度的上涨。

NAND Flash方面，原厂减产或停产亦推升NAND Flash产品价格。NAND供应端层面，受 益于部分原厂MLC停产，自去年年底起MLC NAND资源价格呈爆发式增长，截至目前不 同容量的MLC NAND Flash普遍价格大幅上涨，而256Gb TLC NAND Wafer也因多数主 流产品已经或即将处于停产状态，其现货价格也被强势拉涨，或将带动相应的低容量 eMMC成品价格上扬。

存储景气周期有望推动资本开支提升，但或聚焦高端产品的产能扩充，传统产品价格 短期仍有一定支撑。根据TrendForce集邦咨询，随着存储器行业平均售价持续回升， 供应商盈利能力同步改善，预计DRAM与NAND Flash领域的资本支出规模将同步扩大， 其中，DRAM产业的资本支出在2025年预计将达到537亿美元，预计在2026年进一步成 长至613亿美元，年增率达14%。NAND Flash部分，资本支出在2025年预计为211亿美 元，2026年预计小幅增长至222亿美元，年增约5%。但我们认为目前资本支出对存储 产出增长的拉动作用相对有限，当前DRAM与NAND Flash产业的投资重心正从传统的 产能扩张，逐步转向制程技术迭代、高层数堆栈工艺升级、混合键合技术应用及HBM 等高附加值产品研发与量产，故短期内存储厂商或聚焦高端产品的产能扩充，传统产 品价格短期仍有一定支撑。根据 Counterpoint Research预测，内存价格有望在2025 年Q4继续上涨30%，并可能在明年初再上升约20%。

3 国产存储技术创新突破，存储产业链迎来发展机遇

3.1 存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量

存储市场头部集中度较高，竞争格局较为稳定。1）DRAM市场方面，2025年Q3，三星凭借HBM出货量环比大增85%，叠加传统DRAM受益于涨价效应，整体DRAM业务收入创下 历史新高，并重夺全球DRAM市场份额第一。具体来看，三星第三季度DRAM销售收入达 139.42亿美元，环比增长29.6%，市场份额34.8%；SK 海力士以137.9亿美元的销售收 入、12.4%的环比增速及34.4%的市场份额位列第二；美光（2025年6月-8月季度）DRAM 销售收入89.84亿美元，环比增长27.1%，市场份额22.4%，排名第三；南亚科技三季 度DRAM销售收入6.3亿美元，环比大幅增长83.7%，市场份额1.6%；华邦电子同期销售 收入2.22亿美元，环比增长21.5%，市场份额0.6%。2）NAND Flash市场方面，2025年 Q3，三星以53.66亿美元的销售收入、20.7%的环比增速及29.1%的市场份额位居第一； SK海力士紧随其后，三季度销售收入35.36亿美元，环比增长5.8%，市场份额19.2%， 排名第二；铠侠三季度销售收入达30.46亿美元，环比增长28.1%，以16.5%的市场份 额位列第三；西部数据实现23.08亿美元销售收入，环比增长21.4%，市场份额12.5%， 排名第四；美光在2025年6月-8月的三季度内，NAND Flash销售收入为22.52亿美元， 环比增长4.5%，市场份额12.2%，排名第五。

国产DRAM龙头厂商长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应。1）DDR5产 品方面，目前长鑫存储的DDR5颗粒最高速率突破8000Mbps，颗粒容量覆盖16Gb/24Gb， 产品功耗较DDR4降低20%。DDR5内存芯片加入片内错误检查与自纠错机制以及更强的 抗干扰设计，确保工作稳定性与数据完整性。长鑫存储基于DDR5芯片推出多种形态的 模组产品，满足服务器、高性能电脑、平板电脑等各应用需求，为数字时代提供核心 存储动力。2）LPDDR5产品方面，通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最 高速率达到10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼 容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强 性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈。

国内DRAM龙头厂商出货量有望逐步攀升。据Counterpoint预测，长鑫存储今年DRAM出 货量将同比增长50%，其在整体DRAM市场的出货份额预计将从第一季度的6%增至第四 季度的8%。长鑫存储2025年的产能有望从DDR4/LPDDR4加速向DDR5/LPDDR5过渡，反映 到出货量上，即DDR5/LPDDR5的市场份额有望从一季度的1%左右分别提升到7%和9%。

国产NAND Flash龙头厂商长江存储已实现QLC、TLC等多款产品的技术突破。长江存 储目前已可提供基于晶栈®Xtacking® 4.0技术的第五代QLC、TLC等多款闪存颗粒产 品，具备行业优异的存储密度、I/O传输速度及更优化的产品功耗，可广泛应用于企 业级、消费级等存储产品中，以满足云计算、大数据、移动设备、个人消费终端等多 场景下的存储需求。2025年2月，据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子近期已与长 江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”技术的专利许可协议， 以便从其第10代NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造，此为我 国存储业史上第一次对外许可专利技术。

国内存储厂商有望充分受益于存储景气周期。随着科研积累的不断加深和研发团队 水平的提升，我国存储芯片企业在技术创新和自主研发方面取得了一定进展，越来越 多的本土企业开始具备自主设计和生产高端存储芯片的能力，有望突破海外技术的 垄断。海外大厂减产或停供背景下，存储竞争格局转好，供需格局或将持续偏紧，国 内存储厂商有望充分受益于新一轮存储景气周期。

3.2 存储原厂资本开支有望扩张，上游半导体设备有望受益

存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支。DRAM市场方面，根据TrendForce集邦 咨询，2026年，美光资本支出较为积极，计划投入135亿美元，年增23%，聚焦1 gamma 制程渗透与TSV设备建置；SK海力士支出预计为205亿美元，年增17%，用于HBM4产能 扩张；三星则投入200亿美元，年增11%，推进HBM的1C制程渗透并小幅增加P4L晶圆产 能。NAND Flash领域，无DRAM业务的铠侠/闪迪扩产最积极，计划投45亿美元，年增 41%；美光拟小幅增加NAND产能，专注G9制程与企业级SSD业务，资本支出年增63%； 三星、SK海力士等则缩减或限制NAND支出，优先将投资转向HBM与DRAM领域。

半导体设备有望受益于存储资本开支扩张。根据SEMI数据，存储领域相关资本支出预 计于2025年实现增长，并在2026年延续增长态势，主要得益于3D NAND堆叠技术的持 续迭代与产能扩张的双重驱动，NAND设备市场在2023年经历大幅下滑后逐步复苏， 2024年实现4.1%的小幅增长，2025年预计将迎来42.5%的增幅，市场规模有望达到137 亿美元，2026年进一步增长9.7%至150亿美元；同时，DRAM设备市场表现强劲，2024 年已同比增长40.2%至195亿美元，为支撑人工智能部署对高带宽存储器（ HBM）的投 资需求，2025年和2026年预计将分别实现6.4%和12.1%的稳步增长。

3.3 国内存储模组厂商加大备货力度，有望受益于产品涨价景气周期

国内模组厂商毛利率回升，同时备货力度加大，有望受益于存储景气周期。2025年第 三季度，国内存储模组厂商毛利率有所回升，同时备货力度持续加大，以江波龙、德 明利、佰维存储为例，三家公司2025Q3存货合计为202亿元，同比增长34%，环比增长 18%。在存储芯片涨价的景气周期下，存储模组价格有望跟随上涨，叠加下游消费终 端产品需求平稳复苏，国内模组厂商盈利能力有望进一步改善。

编辑：火腿肠