2025年电子行业：AI驱动存储周期浪潮

一、 AI存储周期深度分析：缺货涨价持续，2027或有转折点

三大主流存储介质原理及特点：机械硬盘VS DRAM VS 闪存

机械硬盘主要通过磁头和盘片表面磁性物质的相互作用存储0,1的信息。机械硬盘主要由很多的盘片组成，而其存储信息的方式就是通过盘片表面的磁性物质来存储数据， 利用磁极的不同来标记0,1，当磁头扫过盘面，通过感应电流就可以识别出不同状态，即读取数据；增强磁头的磁性，可以改变盘面记录单元的状态，实现写入数据。

DRAM的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来标记二进制比特(bit)的0,1。DRAM的基本单元主要由一个晶体管和一个电容组成，电容中有电荷代表“1”，没有电荷代 表“0”。由于电容中的电荷会随着时间而慢慢泄露，所以需要周期性地进行“充电” 。

Flash的最小存储单元是浮栅晶体管，利用导通特性对应记录不同状态。在存储单元晶体管的栅(Gate)中，注入不同数量的电子，通过改变栅的导电性能，改变晶体管的导 通效果，实现对不同状态的记录和识别。

硬盘仍存储大部分数据，DRAM/NAND FLASH规模均超$600亿

硬盘仍存储全球大部分数据，闪存存储容量迅速上升。从全球存储容量看，根据IDC数据，2022年全球存储年新增总容量约为3.0ZB，预计到2025年全球存储年新增总容量 将达到4.7ZB。2022年，58.0%数据由硬盘存储，而闪存、DRAM、磁带、光学存储器分别为30.5%、1.0%、7.0%、3.5%。根据IDC预测，2023-2028年全球生成数据量将增 长3倍，2028年达到394ZB；但对比2005年的0.425ZB，仅约2%的数据被实际存储，“存储能力滞后于数据生成能力”的缺口显著。

从存储市场规模看，根据IDC数据，2024年机械硬盘市场规模约为180亿美元，占据总体市场的9.89%；根据Trendforce数据，2024年DRAM市场规模约为959亿美元，占 52.59%；根据Trendforce数据，2024年NAND FLASH市场规模约为656亿美元，占36.01%。

历史总结1：机械硬盘的市场规模和竞争格局

根据IDC数据，2024年机械硬盘市场规模整体约180亿美元，占总体存储市场规模约10%，位列数字存储市场规模第三，据IDC数据，2024年HDD年出货量约为不到2亿个。 据Statista数据，机械硬盘出货量1996-2010年稳定增长，从1996年的1.05亿个增长至2010年的6.51亿个，达到历史最高点。随着存储器的更新迭代，尤其是SSD（固态硬盘） 技术的进步，机械硬盘的地位受到挑战，2011年开始出货量整体呈现下降趋势，据IDC数据，截至2024年全球机械硬盘出货量下降至1.24亿个。

2010年以后机械硬盘厂商数量逐渐减少。2008年以前，机械硬盘市场集中度较低，各厂商竞争激烈。而后，市场集中度提升，西部数据、希捷、东芝等厂商成为机械硬盘 龙头，从2012年开始，以上三家占据全球市场超过90%份额。根据IDC数据，2024年，希捷、西部数据、东芝市占率分别为40.0%、40.8%、19.2%，其中希捷、西部数据市 占率合计达80.8%，呈现双寡头垄断格局。

机械硬盘自身瓶颈难以突破，AI浪潮唤醒“冷数据”转“温热数据”，SSD大敌崛起

机械硬盘自身瓶颈难以突破，SSD大敌崛起。受限于物理结构瓶颈，机械硬盘体积难以缩小或成本较高，增长前景显现停滞。固态硬盘(Solid State Drives)由多个闪存颗粒 和主控芯片组成，没有运动结构设计；而机械硬盘有碟盘和读写磁头组成。AI时代背景下，大规模“冷数据”变为“温热数据”，存储介质迎来新机遇。随着大模型训练 与推理对数据访问需求持续增长，数据量在大幅增长的同时，大量先前被视为“冷数据”的资源被重新激活，这些数据因频繁参与模型迭代与实时推理，逐渐转变为“温 数据”，甚至因持续调用而成为“热数据”，这意味着数据利用效率显著提升，同时对存储介质提出了新的要求。相比HDD，SSD不仅拥有更快的读写速度，而且具有低 功耗、防震抗摔性好、发热低等优势。

SSD价格逐渐下降，与HDD价格差距不断缩小。随着技术的发展，SSD平均价格与HDD平均价格差异逐渐缩小，加之SSD各方面的性能优势，硬盘市场逐渐被SSD占领。

数字存储的演进：符合摩尔定律，每18个月存储单位价格下降1/2

存储价格变化符合摩尔定律，每18个月集成度提升1倍，性能提升1倍，单位价格下降1/2。根据NIMBUS数据，1960年代，磁带平均容量仅为2.3MB，而每GB价格却高达 1791英镑，1970年代流行的软盘价格更是高达2-3万英镑/GB。伴随着硬盘技术的发展及普及，存储价格迅速下降，1990年代，单位GB存储价格跌至100英镑以下，CDROM价格仅为6.03英镑/GB。21世纪开始，DRAM、闪存进入人们视野，成为主流存储方式，存储价格进一步下降，单位GB存储价格平均为0.5-0.8英镑。

存储芯片：供需格局紧张，预计25Q4 DRAM/NAND价格均环比提升，有望创历史新高

25Q3存储芯片价格速递：旧制程产品价格激增带动DRAM合约价环比提升10%~15%；HDD供给短缺与过长交期使CSP需求快速转向QLC Enterprise SSD，短期内急单大量涌入，驱动NAND合约价环比提升3%~8%。 从存储合约价看—（1）DRAM：25Q3季度一般型DRAM合约价环比提升10%~15%，若纳入HBM产品，价格环比提升15%~20%；（2）NAND： 25Q3季度NAND合约价环比提升3%~8%。 从存储大厂看—（1）SK海力士：25Q3季度，DRAM ASP环比提升中个位数百分比，NAND ASP环比提升低十位数百分比；（2）美光：FY25Q4季度，DRAM ASP环比提升低十位数百分比，NAND ASP环比提升高个 位数百分比。

25Q4存储芯片价格展望：服务器需求提前发酵、旧制程产品涨幅仍较大，驱动Q4 DRAM合约价环比提升13%~18%；受QLC NAND产品热度的外溢效应驱动，带动Q4 NAND合约价环比提升5%~10%。 （1）DRAM：由于三大DRAM原厂持续优先分配先进制程产能给高阶Server DRAM和HBM，排挤PC、Mobile和Consumer应用的产能，同时受各终端产品需求分化影响，第四季旧制程DRAM价格涨幅依旧可观，新世 代产品涨势相对温和，预计25Q4季度一般型DRAM合约价环比提升8%~13%，若纳入HBM产品，价格环比提升13%~18% 。 （2）NAND：由于Server OEM及CSP业者上半年积极清理库存，加上英伟达新一代Blackwell芯片于25H2进入放量出货阶段，叠加HDD供给吃紧，带动Enterprise SSD需求大幅攀升，预计25Q4季度NAND合约价将环比 提升5%~10%。

存储供需周期(DRAM测算表)

据我们测算，2025年DRAM位元供给/需求增速将 分别达+23%/+26%，供需充足率为-5%，供不应 求状态下，价格有望上涨。 从需求容量来看，2024年为2377亿Gb， 同比+22%，并预计2025年提升至3000亿 Gb，同比+26%。分下游应用来看，HBM及其他DRAM需 求容量2025年分别同比+89%、24%。 据我们测算，2026年DRAM位元供给/需求增速将 分别达+17%/+25%，供需充足率为-9%，供不应 求状态进一步加剧，价格有望上涨。 从需求容量来看，预计2026年分别提升至 3745亿Gb，同比+25%。 分下游应用来看， HBM及其他DRAM需 求容量2026年分别同比+67%、22%。  据我们测算，2027年DRAM位元供给/需求增速将 分别达+20%/+18%，供需充足率为-7%，供不应 求状态下，价格有望上涨。 从需求容量来看，预计2027年提升至4418 亿Gb，同比+18%。 分下游应用来看， HBM及其他DRAM需 求容量2027年分别同比+30%、17%。

存储供需周期(NAND Flash测算表)

据我们测算，2025年NAND Flash位元供给/需求增 速将分别达+12%/+19%，供需充足率为9%，供需 紧平衡状态下，价格有望上涨。需求容量来看，2024为7165亿GB，同比 +13%，并预计2025年提升至8513亿GB， 同比+19%。 分下游应用来看，PC、手机、服务器需 求容量2025年分别同比+17%、+12%、 +55%。 据我们测算，2026年NAND Flash位元供给/需求增 速将分别达+17%/+27%，供需充足率为1%，供需 紧平衡状态进一步收紧，价格有望上涨。需求容量来看，预计2026年提升至10786 亿GB，同比+27%。 分下游应用来看，PC、手机、服务器需 求容量2026年分别同比+15%、+14%、 +69%。 据我们测算，2027年NAND Flash位元供给/需求增 速将分别达+20%/+18%，供需充足率为3%，供需 紧平衡状态有所放松，价格上涨趋势将存在挑战。 需求容量来看，预计2027年提升至12737 亿GB，同比+18%。 分下游应用来看，PC、手机、企业级需 求容量2027年分别同比+9%、+12%、 +35%。

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