2025年电子行业海外存储原厂Q3总结：供需趋紧带动价格上涨，原厂营收与利润持续向上

一、25Q3 海外存储原厂营收与需求

海外存储原厂25Q3营收&利润环比向上。根据各公司CY25Q3业绩会transcript，（1） 美光：25Q3实现收入113亿美元，yoy+46%，qoq+22%，毛利率46%，yoy +10pcts， qoq+7pcts；（2）三星电子：25Q3实现收入621亿美金，yoy+9%，qoq+16%；毛利 率39%，yoy+1pcts，qoq+5pcts；（3）海力士：25Q3实现收入176亿美元，yoy +39%， qoq+10%，毛利率57%，yoy+5pcts，qoq +3pcts；（4）闪迪：25Q3实现收入23亿 美元，yoy +21%，qoq +23%，毛利率30%，yoy -9pcts，qoq +4pcts；（5）铠侠： 25Q3实现收入30亿美元，qoq+31%，yoy-7%，25Q3毛利率为32%（含JV调整后毛 利率），qoq+5pcts，yoy-13pcts；（6）西部数据：25Q3实现收入28亿美元，yoy+27%， qoq+8%，毛利率44%，yoy+7pcts，qoq+3pcts；（7）希捷：25Q3实现收入26亿美 元，yoy +21%，qoq +8%，毛利率40%，yoy+7pcts，qoq+2pcts。

从库存水平看：美光、三星、海力士、闪迪、铠侠库存周转天数呈现下降趋势，西 部数据、希捷库存周转天数呈现上升趋势。根据公司CY25Q3业绩会transcript，截 至最新报告期末，7家存储厂商库存周转天数分别为121天、88天、116天、106天、 100天、76天和92天。具体来看：（1）美光：受DRAM bit出货量环比强劲增长拉动， 25Q3库存下降至83.55亿美元，库存周转天数下降至121天，环比下降16天，预计下 一季度库存水平会继续改善；（2）三星：25Q3的DRAM和NAND bit出货量均超出 公司预期，25Q3库存下降至358.47亿美元，库存周转天数下降至88天，环比-7天， 预计客户2026年的需求仍将超过公司供应；（3）海力士：在强劲需求推动下，25Q3 库存下降至93.70亿美元，库存周转天数下降至116天，环比-3天；（4）闪迪：公司 库存水平处于低位，25Q3库存下降至19.07亿美元，库存周转天数下降至106天，环 比-27天；（5）铠侠：25Q3库存下降至24.48亿美元，库存周转天数下降至100天， 环比-23天，由于需求强劲，且持续超过供应水平，公司预计库存天数将保持当前水 平；（6）西部数据：25Q3库存为13.93亿美元，库存周转天数为86天，环比+10天； （7）希捷，25Q3库存为14.96亿美元，库存周转天数为92天，环比+6天。

终端需求指引方面：AI存储需求持续爆发，供需紧张驱动存储价格提升。根据公司 CY25Q3业绩会transcript，DRAM方面，美光预计FY26年（25.09-26.08）行业DRAM 供应进一步趋紧。海力士预计FY25年（25.01-25.12）DRAM需求增速为10%+，FY26 年预计同比增长超过20%；三大原厂DRAM价格均环比增长；HBM方面，三大原厂 均表示即将开始进入HBM4阶段，海力士预计公司的HBM供需紧张将持续至27年； NAND方面，各大原厂均表示NAND市场将持续走强，闪迪预计FY25\26年(24.07- 25.06/25.07-26.06)行业供给增长约 8%、17%；需求端26年受限需求约14%（供应 限制），非受限需求约25%。供应紧张态势预计持续至FY26年底及以后；在供需紧 张态势下，除铠侠因产品结构调整价格环比下降，其余NAND原厂价格均环比提升， 其中闪迪CY25Q3价格环比增长15%，预期CY25Q4价格环比增长中双位数；HDD方 面，希捷表示HDD供需差逐季度扩大，西部数据预计HDD将继续承担80%数据中心 存储，在CSP CAPEX占比从较低个位数，提升至4-5%。

二、25Q3 海外存储公司财报总结

（一）美光：25Q4 毛利率指引超预期，DRAM&NAND 周期持续上行

1.公司整体情况：根据公司CY25Q3业绩会transcript，FY25年收入374亿美金 （yoy+50%），毛利率+17pct至41%。其中，HBM、高容量DIMM和LPDDR营收100 亿美元，同比增长5倍。数据中心SSD创下营收和市占率新高。分领域来看，数据中 心收入占比达56%，毛利率52%。FY25Q4收入113亿美元（环比+22%，同比+46%， 创纪录）。毛利率为45.7%，环比+670个基点。

2.DRAM：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司FY 25Q4 DRAM收入90亿美元 （占比79%，同比+69%），价格环比上涨低双位数。FY25Q4HBM收入近20亿美元。 几乎所有客户签订FY26年HBM3E价格协议，HBM4正在洽谈，HBM4将在26Q2开始 量产，H2加速放量。

3.NAND：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司FY25Q4 NAND营收23亿美金（占 比20%，同比-5%，环比+5%），价格环比上涨高个位数。公司成功量产G9 NAND （TLC与QLC），并完成企业级存储的G9 QLC验证。NAND库存天数改善。

4.25Q4指引：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司预计营收125亿美元 ±3亿美 元。毛利率51.5% ±1%。FY26Q1 capex约45亿美金，FY26全年capex 180亿美金 （FY25年 capex138亿美金）。FY26Q1将以DRAM为主，受价格、产品组合和成本 下降推动，毛利率环比扩大580个基点。

5.市场需求：根据公司CY25Q3业绩会transcript，DRAM方面，FY26年公司预计行 业DRAM供应进一步趋紧。NAND方面，公司预计FY2025年行业NAND需求增速高 于先前预测，目前预计在10-15%（in the low to mid-teens percentage range.）。 FY26年NAND市场继续走强。短期内公司预计数据中心存储市场将持续增长，HDD 供应短缺将改善NAND需求并推动更健康的供需环境。中期来看公司预计DRAM和 NAND的行业需求cagr达15%。

（二）三星电子：HBM 和 eSSD 强劲推动下，内存业务实现季度新高

1.业绩：根据公司CY25Q3业绩会transcript，25Q3公司实现收入621亿美金，yoy+9%， qoq+16%；毛利率38.9%，yoy+1pcts，qoq+5pcts。 2.分业务来看：根据公司CY25Q3业绩会transcript，DS（设备解决方案）：营收33.1 万亿韩元，yoy+13%，qoq+19%；营业利润7万亿韩元，yoy+79%，qoq+1650%， 其中Memory 25Q3营收26.7万亿韩元，yoy+20%，qoq+26%，在HBM3e和服务器 SSD的强劲增长推动下，内存业务实现季度新高。DX（数字体验）：营收48.4万亿 韩元，yoy+8%，qoq+11%。SDC（显示）：营收8.1万亿韩元，yoy+1%，qoq+27%。 Harman（消费电子相关）：营收4万亿韩元，yoy+12%，qoq+3%。 3.市场需求：根据公司CY25Q3业绩会transcript，NAND方面，公司预计FY26年 （26.01-26.12）随着行业库存水平急剧下降以及采用 SSD 替代供应短缺的近线 HDD，供应限制将加剧；HBM方面，整体销售组合现已完全过渡到HBM3E，FY25Q3 HBM bit 出货环比+80%，HBM4样品已提供给所有客户。

（三）海力士：25Q3 业绩强劲增长，26 年指引存储需求增速提升

1.业绩情况：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司25Q3实现营收24.45万亿韩元， yoy+39%，qoq+10%，主要是DRAM、NAND价格不断提升，以及需求爆发带动的 DRAM出货量不断提升；毛利率为47%，同比+7pcts，环比+5pcts。 2.DRAM：根据公司CY25Q3业绩会transcript，DRAM 25Q3营收占比78%，DRAM bit环比增长高个位数百分比，ASP环比增长中个位数百分比；公司预计25Q4 DRAM bit环比增长低个位数百分比；HBM方面，公司将于FY25Q4开始出货HBM4，HBM4 26年定价水平可维持当前盈利能力；公司暂不计划因短期盈利能力变化调整HBM与 传统DRAM的产能配比，因HBM需与客户协商长期供应量以保障稳定供应。公司的 HBM供需紧张将持续至27年。 3.NAND：根据公司CY25Q3业绩会transcript，NAND 25Q3营收占比20%，NAND bit环比下降中个位数百分比，ASP环比增长Low-Teen；公司预计25Q4 NAND bit环 比增长低个位数百分比； 4.市场需求：根据公司CY25Q3业绩会transcript，DRAM方面，FY25年（25.01-25.12） DRAM需求增速为10%+，FY26年公司预计同比增长超过20%；NAND方面，FY25 年NAND增长中双位数，FY26年公司预计同比增长高双位数；

（四）闪迪：25Q4 毛利率指引环比+12pcts，数据中心将成为 NAND 最 大细分市场

1.业绩情况：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司25Q3实现营收23.1亿美元， qoq+23%，yoy+21%，ASP qoq+15%，所有终端市场的环比需求都非常强劲。25Q3 毛利率为29.9%，qoq+3.5pcts； 2.25Q4指引：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司指引25Q4营收在25.5-26.5亿 美金，中值qoq+12.7%，公司预计到2026年末市场对公司产品的需求将超过供应。 25Q4毛利率为42%，qoq+12.1pcts； 3.市场需求：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司预计FY25\26年(24.07- 25.06/25.07-26.06)行业供给增长约 8%\17%；需求端26年受限需求约14%（供应限 制），非受限需求约25%。供应紧张态势预计持续至FY26年底及以后；FY26数据中 心EB增速从20%上调至45%；数据中心市场预计2026年成为NAND最大细分市场。

（五）铠侠：受产品结构影响，公司 NAND ASP 环比略有下降

1.业绩情况：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司25Q3实现营收30.4亿美元， qoq+31%，yoy-7%，25Q3毛利率为32%（含JV调整后毛利率），qoq+5pcts，yoy13pcts，其中公司25Q3 memory业务实现营收15.8亿美金，qoq+12.5%，yoy-10.8%。 公司25Q3 ASP环比减少小个位数，排除结构/口径变化，环比减少中个位数；bit 出 货量环比增长30%+，主要为25Q3智能设备业务收入约为Q2的两倍。由于产品结构 的影响， ASP出现下降。这是因为SSD的ASP相对更高，而智能设备的ASP较低。 2.市场需求：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司预计 NAND 需求将超过供给； CY25行业bit出货量预计同比增长中双位数；CY26在供给受限的情况下，行业bit出 货量增速有望提升至高双位数。

（六）西部数据：HDD 价值占比不断提升，承担 80%数据中心存储

1.业绩情况：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司25Q3实现收入28亿美元， yoy+27%，qoq+8%，毛利率43.9%，yoy+6.6pcts，qoq+2.6pcts。 2.25Q4指引：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司指引25Q4实现收入29亿美元， yoy+20%，qoq+3%，毛利率44.5%，yoy+8.6pcts，qoq+0.6pcts。 3.未来展望：根据公司CY25Q3业绩会transcript，FY26（25.07-26.06）公司预计全 球云EB增长从15%上调至23%。HDD将继续承担80%数据中心存储，在csp CAPEX 占比从较低个位数，提升至4-5%；公司与7大客户提供涵盖26H1的订单，其中5家覆 盖26全年；最大客户签署至27年全年协议。HAMR 26年底前扩展至最多3家客户。

（七）希捷：HDD 供需差逐季度扩大，HDD 周期持续上行

1.业绩情况：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司FY26Q1（CY25Q3）实现收 入26亿美元，yoy+21%，qoq+8%，毛利率40.1%，yoy+6.8pcts，qoq+2.2pcts。 2.25Q4指引：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司指引25Q4实现收入27亿美元， yoy+16%，qoq+2.7%。 3.未来展望：根据公司CY25Q3业绩会transcript，公司预计HDD供需差每个季度都 在扩大。公司高容量近线机械硬盘合同持续至FY26年；目前全球8家CSP中已有5家 完成了初代HAMR HDD的认证工作，另外3家CSP将于26H1完成认证。

编辑：火腿肠