2025年存储行业专题报告：主流存储迎来全面涨价，企业级产品需求持续向好

存储行业：主流存储迎来全面涨价，高端产品需求持续向好

DRAM和NAND Flash共同主导存储芯片市场

半导体存储也称为存储芯片，根据数据存储原理的不同，半导体存储器可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。 RAM是与CPU直接交换数据的内部存储器，可随时进行数据读写且速度较快，断电后保存数据会丢失，是易失性存储器，通 常用作操作系统或者其他运行中程序的临时数据存储介质；ROM是一种只能读取事先所存数据的存储器，断电后也能保存数 据，是非易失性存储器，常用于存储各种固定程序和数据。根据中商产业研究院数据，当前存储芯片市场主要以DRAM和 NAND Flash两大类产品为主。

AI驱动HBM需求高增，DRAM市场表现更优

受益于HBM强劲需求，DRAM市场表现相较NAND Flash更优。根据CFM闪存市场数据，2024年全球DRAM市场规模达973.7 亿美元，同比+91%，主要得益于AI持续拉动HBM等高价值产品的需求增长，2024年NAND Flash全球市场规模则同比+75% 至696亿美元。分季度来看，DRAM自23Q1起实现了连续八个季度的环比增长，24Q4 DRAM市场规模达293.5亿美元，NAND Flash整体市场表现逐步回暖。

CSP加码AI基础设施投入，服务器存储需求增幅领先

服务器位元需求增幅领先其他应用领域。根据CFM闪存市场数据，整体来看，由于大型CSP将投资重心转移至AI基础设施， 存储原厂相继将产能及资本开支向高端产品倾斜，推动近几年服务器存储位元需求稳定增长，需求增幅领先于其他应用领域。 其中，DRAM方面，2024年占比最大的应用下游由手机转向服务器，预计到2025年服务器在DRAM占比将由2023年的32%增 加至36%，而HBM占比将增加至9%。NAND Flash方面，预计2025年手机依旧是NAND Flash最大应用占比，但服务器需求占 比由2023年的16%提升至2025年的30%。

SK海力士稳居DRAM首位，NAND Flash市占率同步提升

根据TrendForce数据，在HBM和一般型DRAM合约价上涨及出货量增长共同推动下，25Q2 DRAM整体营收环比 +17.1%至316.3亿美元，其中，SK海力士以38.7%位列全球市场首位，对应营收达122.29亿美元，其次是三星和美光， 市场份额分别达32.7%和22%。NAND Flash方面，预计25Q2产业营收将环比+22%至146.7亿美元，其中，三星以 32.9%市场份额位列全球首位，其次是SK集团（SK海力士+Solidigm），市占率达21.1%，而铠侠得益于AI服务器需 求旺盛以及PC、智能手机客户库存去化顺利，市场份额超越美光提升至全球第三。

主流存储价格逐季上涨，HBM持续支撑DRAM价格

主流存储价格逐季上涨，DRAM涨幅更为突出。根据TrendForce数据，整体来看，主流存储产品价格自25Q2起开始迎 来全面涨价，且呈现逐季环比增加的态势。具体而言，由于HBM需求强劲且价值量较高，持续支撑DRAM整体价格， 预计25Q4 DRAM整体合约价将环比上涨13%-18%。而NAND Flash价格在原厂控产及库存去化背景下迎来回暖，且 eSSD需求向好，共同推动合约价格上涨。

原厂产能转向高端，旧世代DRAM供应偏紧持续涨价

三大DRAM原厂产能向高端倾斜，旧时代DRAM产品供不应求推动价格持续上涨。根据TrendForce数据，由于HBM等高端 产品 需求持续上 扬，海外 DRAM存 储原 厂陆续将产 能转向高端 产品，并 相继宣布 PC/服务器 /手机等领 域的 DDR4/LPDDR4X将进入产品生命周期末端，推动市场积极备货，预计2025年下半年DDR4/LPDDR4仍将供不应求， 导致相关存储产品价格持续走高。其中，在25Q2合约价上涨的基础上，预计25Q3 PC/Server/Consumer DDR4合约价 将分别环比+38-43%/+28-33%/+85-90%，另外，25Q3手机LPDDR4X合约价预计将环比+38-43%。

HDD供应紧缺，eSSD渗透加速

AI快速发展催生海量存储需求，HDD供应不足驱动SSD渗透加速。在传统数据中心，HDD凭借极低的成本优势稳居冷 数据主流存储方案，但由于全球核心HDD制造商近年未扩大产能，无法及时满足AI带来的爆发性巨量存储需求，导致 NL HDD交期由原有数周延长至52周。北美CSP此前已将SSD用于温数据存储，由于HDD供应缺口过大，CSP开始考 虑将SSD应用至冷数据存储，推动SSD应用渗透加速。基于此，NAND Flash原厂出于业绩盈利需求，且高容量SSD 产品产能有限，预计将推动25Q4企业级SSD合约价环比+5-10%。

AI高景气叠加行业供需改善，原厂业绩有望进入增长新阶段

AI存储需求强劲，海外原厂业绩有望进入新一轮增长阶段。从原厂业绩角度来看，一方面，AI高景气持续推动HBM、 eSSD等企业级存储产品需求增长，另一方面，原厂逐步将产能转移至高端领域，且出于业绩盈利需求，对传统存储产 品进行控产，原厂营业利润率自23H2起逐步修复。结合未来AI算力对配套存储需求的积极推动作用，在25Q2主流存 储产品开始新一轮涨价后，25Q3起海外原厂业绩有望进入新一轮增长阶段。

DRAM：HBM延续高景气，DDR5逐步成为主流

内存带宽成为限制AI加速器提升算力性能的关键瓶颈之一

当前诸如GPT-3等AI大模型所要求的算力日益提升，伴随着的是参数数量呈现指数级增长，为了计算及处理如此庞大规模的数据量，数 据中心和边缘设备需要配套持续提升计算性能和降低功耗，随着对GPU/CPU 高负载工作频率需求不断增长，传统的内存带宽限制了硬 件以及系统的最大性能，为了释放AI加速器最佳的硬件性能，市场急需更高带宽的内存解决方案。从DRAM主流细分产品的带宽发展来 看，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）自身的内存带宽以及带宽提升速度均大幅领先于其他DRAM产品，有望成为AI时代中 最重要的内存技术之一。

HBM是当前高性能计算首选的内存技术

AI时代下高性能存储需求激增，HBM技术正步入快速发展阶段。HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）采用硅 通孔（TSV）技术将多个DRAM芯片进行堆叠，并与GPU一同进行封装，形成大容量、高位宽的DDR组合阵列，从而克服 单一封装内的带宽限制。相较于传统DDR内存，HBM具有高带宽、低功耗、低延时等优势，已成为当前高性能计算、 人工智能等领域的首选内存技术。以英伟达H100 SXM5为例，其集成了6颗HBM3，总容量达到80GB，内存带宽超3TB/s。

当前HBM产品已发展至第五代HBM3e

当前HBM产品已经发展至第五代，HBM4最早有望于2026年提前发布。第一代HBM产品由SK海力士于2014年发布，此 后每一代HBM的升级更迭，在内存带宽、I/O速率等方面都迎来明显提升，当前HBM已发展至第五代（HBM3e），容量 最高可达36GB，内存带宽已提升至1.2TB/s。SK海力士作为HBM行业领先者，于2014年率先推出第一代HBM，并于2025 年率先送样HBM3E 16Hi样品，技术和市场份额均处于行业领先位置。

Micro Bump仍是主流堆叠技术，HBM5确定采用Hybrid Bonding

根据TrendForce数据，三大存储原厂已确定将继续在HBM3E 12hi和HBM4 12hi世代延续此前的Advanced MR-MUF （SK海力士）及TC-NCF（三星和美光）堆叠架构。相较于主流的Micro Bump堆叠技术，Hybrid Bonding可容纳更多 的堆叠层数和更厚的晶粒厚度，能够较好的改善翘曲问题，三大原厂决定将在HBM5世代中全面采用，但是在HBM4 16hi和HBM4E 16hi世代中，由于Hybrid Bonding的优势并非特别突出，因此原厂仍在研发观察中。

NAND Flash：QLC迎来推广，eSSD渗透加速

2029年全球NAND位元需求有望达2236EB

预计到2029年全球NAND位元需求将达2236EB。在2005-2022年期间，NAND Flash主要由智能手机、PC等消费电子产品所 驱动，期间诞生了如eSSD、3D NAND等产品技术，NAND位元需求持续增长。随后大模型的面市开启了AI时代，从AI训练到 AI推理，持续拉升NAND需求，根据闪迪数据，预计2029年NAND Flash位元需求将在AI推动下增长至2236EB，2025-2029年 CAGR达21.5%。

AI兴起拉升NAND需求，影响全面覆盖核心下游

AI推动NAND需求增长，影响全面覆盖主流下游。当前NAND Flash最主要的下游主要包括手机、PC和服务器，AI兴 起叠加产品迭代不断提升下游终端单机NAND Flash需求，预计2025年手机/PC的单机NAND Flash容量分别为 265GB/657GB，预计到2029年将分别增长至474GB/1083GB，而服务器作为当前最核心的增量下游，预计NAND需求 将由253EB增长至668EB，25-29年CAGR达27%。

HDD可替代空间广阔，eSSD长期发展潜力大

在传统通用服务器中，大容量数据存储主要以HDD为主，AI生成的巨大数据持续推动HDD出货增长，根据西部数据预测， 2024年全球Nearline HDD位元出货量达1052EB，预计到2028年将增长至2385EB。而对于AI服务器来说，考虑到需要运行 超过上万亿参数大模型，对存储的要求不局限于数据存储的作用，还需要考虑到读写速度、电力消耗等，且由于HDD 厂商近几年未扩张产能，导致HDD供应无法及时满足因为AI而激增的存储需求，相较HDD，eSSD具有性能、功耗等优势， 且随着容量提升和QLC的应用，两者成本差距逐步缩小，未来eSSD有望逐步替代HDD成为AI服务器中的主流存储技术。

QLC兼具性能和能耗优势，下游渗透率稳步提升

QLC兼具性能和能耗优势，渗透率迎来持续提升。根据存储方式的不同，NAND Flash又可分为SLC、MLC、TLC和QLC，对应存储单 元分别可存放1、2、3和4bit的数据，存储密度越大，其寿命越短且速度越慢，但容量越大成本越低。QLC除了具有NAND性能外，兼 具能耗优势，根据Solidgim数据，当基础设施存储配置由1PB扩展至10PB时，QLC能效优势逐级放大，尤其是跟HDD相比提升更为明 显，优势幅度由1PB配置的33%提升至10PB配置的79.5%。当前北美CSP厂商已开始在AI推理服务器中大量采用QLC eSSD，根据 TrendForce预测，2024年QLC将贡献NAND Flash位元出货量20%，2025年占比将进一步提升，叠加手机端逐步采用QLC UFS方案， QLC渗透率有望保持稳定提升态势。

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编辑：火腿肠