2024年半导体行业存储板块跟踪报告：周期复苏叠加AI拉动，存储模组行情有望渐行渐盛

1、 存储模组厂：锚定细分赛道，国产替代破风前行

1.1、 存储芯片：半导体产业重要分支，产品以 DRAM 和 NAND 为主

存储芯片市场：半导体产业的重要分支。存储芯片，是以半导体电路作为存储 媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，是集成电路产业的重要分支， 2022 年全球销售额为 1297.7 亿美元，约占集成电路全年销售额的 27.4%。常见的 存储芯片包括 DRAM、NAND 闪存芯片和 NOR 闪存芯片等，主要应用在消费电子、 信息通信、汽车电子等多个领域。 存储芯片：大致分为易失性存储器和非易失性存储器。依据功能和数据存储的 原理，存储芯片可大致分为易失性存储器和非易失存储器两类。易失性存储芯片在 所在电路断电后，将无法保存数据，代表性产品有 DRAM 和 SRAM。非易失性存 储芯片在所在电路断电后，仍能保有数据，代表性产品为 NAND FLASH 和 NOR FLASH。

DRAM：易失性存储器的主流产品。易失性存储器（RAM）通常是作为操作 系统或其它程序的临时存储介质，主要分为 DRAM（动态随机存取内存）和 SRAM （静态随机存取存储器）两类产品，其中 DRAM 是绝对主流，SRAM 虽然读写速 度较快，但因为集成度较低，价格相对昂贵，因此多用于 CPU 的一、二级缓存。

NAND FLASH：非易失性存储器的主流选择。FLASH memory（快闪存储器） 是非易失性存储器（ROM）的主流产品，在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用 和数据等。在 PC 系统中，则主要应用在固态硬盘以及主板 BIOS 中。根据硬件上 存储原理的不同，FLASH 主要可以分为 NOR Flash 和 NAND FLASH 两类。相比之 下，NAND FLASH 写入与擦除的速度更快，在大容量下成本较低，体积也更小， 为当前主流选择。

产品占比：DRAM 和 NAND 占全球存储芯片市场 96%。据 Yole 数据统计，在 2021 年全球存储芯片市场中，DRAM 和 NAND FLASH 分别占据 56%和 40%的市场 份额，两者合计占比约为 96%，是存储市场的最主要构成。市场占比排名第三的产 品是 NOR FLASH，市场份额仅为 2%，与前两者差距较大。

1.2、 模组厂：满足多样客制化需求，国产品牌崛起正当时

产业模式：IDM 模式为主，后端环节辅助产品落地。与逻辑芯片产业不同， 存储芯片产业由于布图设计与晶圆制造的技术结合更为紧密，半导体存储主要晶圆 厂仍采用 IDM 模式经营。同时，半导体存储器核心功能即为数据存储，存储晶圆 标准化程度高，应用场景所需的功能则在主控芯片设计、固件开发以及 SiP 封装等 产业链后端环节实现。因此存储原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实 现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。 存储原厂：面向主流市场头部客户，专注创新设计与制程提升。存储原厂主要 指采取 IDM 经营模式进行存储晶圆设计与制造的企业，主要包括三星电子、美光 科技、SK 海力士等。该类厂商的竞争重心在于创新晶圆 IC 设计与提升晶圆制程， 在产品应用领域，囿于产品化成本等要素限制，原厂仅能聚焦具有大宗需求的客户 （如智能手机、PC 及服务器行业的头部客户）。存储原厂的目标市场之外，仍存 在极为广泛的应用场景和市场需求，包括细分行业存储需求（如工业控制、商用设 备、汽车电子、网络通信设备、家用电器等）以及主流应用市场中小客户的需求。 存储模组厂：面向细分赛道，满足多样的客制化需求。为满足下游细分行业客 户存在的客制化需求，存储模组厂通过晶圆分析、主控芯片选型与定制、固件开发、 封装设计等环节，将标准化存储晶圆转化为存储产品，扩展了存储器的应用场景， 提升了产品在各类场景中的适用性，是产业链承上启下的重要环节。领先的模组厂 商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动存储产品企业塑造自身的品牌形 象，进而巩固其市场地位并改善利润空间，推动其增加研发投入，形成良性循环。

闪存（NAND Flash）模组分类：主要分为固态硬盘、嵌入式存储和移动存储。 （1）固态硬盘（SSD）：是按照 JEDEC 有关接口标准制造的 NAND Flash 存 储器，一般应用于大容量存储场景； （2）嵌入式存储：通常指固定内嵌于电子产品主系统内、具有嵌入式接口的 半导体存储器，主要应用于电子移动终端低功耗场景； （3）移动存储：指 USB 闪存盘（“U 盘”）、存储卡及便携式移动固态硬盘 等便携式移动存储器，主要应用于安防监控、车载应用、高清摄影、智能终端等领 域。

闪存模组构成：主要由主控芯片、NAND Flash 颗粒和 DRAM 颗粒构成。 （1）主控芯片：一方面合理调配数据在各个闪存颗粒的负荷，另一方面承担 整体数据中转，连接闪存芯片和外部 SATA 接口。此外，主控还负责纠错、耗损平 衡、坏块映射、读写缓存、垃圾回收以及加密等一系列功能算法。 （2）NAND Flash 颗粒：起数据存储与读写作用，按照密度差异可以分为 SLC、 MLC、TLC、QLC、PLC，从前至后读写速度、存储稳定性、使用寿命依次递减， 存储密度、价格性价比依次递增。 （3）DRAM 颗粒（主要存在于中高端 SSD）：可提高输入/输出性能和耐用性， 用于临时保存从闪存读取的数据、要写入闪存的数据或地址映射表。目前，中低端 的 SSD 为节省成本选择不配备 DRAM 颗粒，采用 HMB（Host Memory Buffer，主 机内存缓冲技术）技术和主机共享内存，也可满足使用要求。

SSD 市场：市场增速可观，国产替代空间广阔。Yole 数据，全球 SSD 市场规 模预计将从 2022 年的 290 亿美元增长到 2028 年的 670 亿美元，CAGR（2022-2028） 约为 15%，增速可观；出货量方面，SSD 则有望从 2022 年的 3.52 亿台，增长至 2028 年的 4.72 亿台，CAGR（2022-2028）约为 5%。市场份额方面，按 2021 年出 货量测算，市场前五大品牌分别是三星（25%）、西部数据（16%）、铠侠 （15%）、SK 海力士（13%）和金士顿（9%），CR5 达 78%，海外大厂占据主要 份额，国产替代空间广阔。

内存（DRAM）模组分类：主要分为 RDIMM、LRDIMM、UDIMM 和 SODIMM。 （1）UDIMM：Unbuffered DIMM（无缓冲双列直插内存模组），是最常见的 内存类型。UDIMM 内存不使用缓冲，因此具有较低的延迟和更高的内存带宽，一 般用于低端服务器和桌面计算机。 （2）RDIMM：Registered DIMM（寄存式双列直插内存模组）可以在大内存 容量环境下提供更好的稳定性。与 UDIMM 不同，RDIMM 使用内置缓冲处理信号 传输，这可以减少电信号反弹和延迟，一般用于服务器。（3）LRDIMM：Load Reduced DIMM（减载双列直插内存模组）使用缓冲器 减少信号传输的工作负载，可以允许更多的存储单元和更低的时钟速率，一般用于 服务器。 （4）SODIMM：Small Outline DIMM（小型双列直插内存模组）的体积更小， 大约是常规 DIMM 的一半，一般用于笔记本电脑。

内存模组构成：主要由 DRAM 颗粒、SPD、PMIC 和接口芯片等部分构成 （1）DRAM 颗粒：起数据存储和读写的作用，占据内存条成本的绝大部分。 （2）SPD Hub（串行检测集线器）：用于存储内存模组的相关信息和参数配 置，管理对外部控制器的访问，并将内部总线的内存负载与外部分离。 （3）PMIC（电源管理芯片）：起电源转化和管理的作用，为其他芯片提供电 源支持。DDR5 内存条将 PMIC 集成在内存模组上（前几代将 PMIC 放在主板端）， 从而降低主板的复杂性，带来更高的兼容性和信号完整度，并减少噪音。此外在服 务器（企业级）内存条上还需要增加内存接口芯片（RCD 寄存时钟驱动器+DB 数 据缓冲器）、TS（温度传感器，DDR5 新增）。 （4）接口芯片（RCD+DB）：RCD 用来缓冲来自内存控制器的地址、命令及 控制信号，DB 用来缓冲来自内存控制器或内存颗粒的数据信号。其主要作用是提 升内存数据访问的速度及稳定性，以匹配 CPU 日益提高的运行速度及性能。 （5）TS（温度传感器）：对内存条温度监控，从而更精细地控制系统散热。

内存模组市场：出货量有望稳健增长，DDR5 为主要发展方向。据 Yole 数据显 示，DRAM 模组全球出货量有望从 2022 年的 5.1 亿条增长至 2028 年的 6.5 亿条， CAGR（2022-2028）有望达 4%，增长稳健，主要受服务器板块的成长带动；在 DDR 世代中，DDR5 是未来最被看好的方向，至 2028 年市场规模有望增长至 40 亿 美元，CAGR（2022-2028）约为 28%，出货量则有望从 2022 年的 0.11 亿条增长至 2022 年的 6.42 亿条，CAGR（2022-2028）高达 97%。

内存模组格局：金士顿为模组厂龙头，国内厂商迅速崛起。目前原厂仍然占据 内存模组市场主导地位，模组厂主要面向 OEM、超大规模生产商和渠道分销商等 下游客户，约占领 10%左右份额。在第三方模组厂中，金士顿的市场份额份额排名 第一，占比约 78.1%，为该领域的绝对龙头。近年来，随着国内厂商在技术、产品 上的持续攻坚突围，从存储颗粒、主控芯片到模组产品、封装测试等不同层面的国 产化推进不断深入。尤其是模组厂商，产品不断向高端市场拓展，市场份额持续扩 大。据 TrendForce 统计，中国大陆在 2022 年全球 DRAM 模组 TOP10 厂商中占据 三席，分别是排名第二的记忆科技、第四的嘉合劲威以及第五的金泰克。

2、 行业现状：AI 带动需求复苏，产品价格全年看涨

2.1、 需求端：存量市场有望逐步回暖，AI 赋能终端贡献全新增量

存储市场下游三大应用领域：智能手机、服务器和 PC。从下游来看，DRAM 和 NAND 应用领域大致相同，主要面向消费电子市场。据华经产业研究院，智能手 机、服务器和 PC 是 DRAM 下游三大应用领域，占比分别为 39%、34%和 13%； NAND 方面，据 Yole 数据显示，前三大应用领域依次是服务器、PC 和智能手机， 占比分别为 30%、26%和 24%。

传统下游：终端需求低点已过，2024 年反弹在即。

（1）服务器：2024 年全球出货量有望实现反弹，YoY+2%。TrendForce 预计， 2024 年服务器出货动能仍以美系 CSP（Cloud Service Provider，云端服务业者）为 主，但受限于通货膨胀高，企业融资成本居高不下，压缩资本支出，整体需求尚未 恢复至疫情前成长幅度，预估 2024 年全球服务器整机出货量约 1365.4 万台，年增 约 2.05%。同时，市场聚焦部署 AI 服务器，AI 服务器出货占比约 12.1%。除已知 的 AI 服务器订单需求畅旺外，近期更受惠于招标项目所驱动，以及 AI 所牵引的储 存服务器(storage server)需求助力，推升第二季出货表现，动能将延续至第三季，预 估第三季增长约 4-5%。

（2）手机：2024 年智能手机出货量有望迎来反弹，单机搭载容量有望持续增 长。数据显示，全球智能手机市场自 2022 年以来持续低迷，出货量连续多季承压， 但该趋势于 2023Q3 起出现扭转：2023Q3-2024Q1 全球单季度智能手机出货连续三 季同比实现增长，为 2021 年以来首次。展望 2024 全年，TechInsights 无线智能手机 战略高级总监表示，全球市场预计将实现温和反弹，出货量年增长率预计将达 3%。 单机搭载容量方面，TrendForce 预测，2023 年连续数个季度存储器价格的下滑，开 启了品牌在硬件上的竞赛，2024 年单机搭载容量有望成长 7.9%。

（3）PC：市场有望强势反弹，DDR5 持续渗透带动搭载容量提升。 据 TechInsight 预测，全球笔电市场将于 2024 年迎来反弹，出货量同比增长 11%。2025 年，在 Window 系统升级周期等因素推动下，全球笔记本电脑出货量有 望达到约 2.4 亿台，同比增长 11%的新高度。搭载容量方面，搭载 Intel 新 CPU Meteor Lake 的机种目前处于生产爬坡阶段，预计在 2024 年内实现量产，由于该平 台仅支持 DDR5 与 LPDDR5，这将加速 DDR5 超越 DDR4 成为市场主流，促进 PC 平均搭载容量持续提升。集邦咨询预测，2024 年 PC DRAM 平均搭载容量年成长 率有望达 12.4%。

新增量方向：AI 赋能终端增长，汽车智能化大势所趋

（1）AI 服务器：AI 模型日渐复杂，出货量+搭载容量有望双增。TrendForce 预计至 2026 年 AI 服务器出货量有望达 22.5 万台，CAGR（2022-2026）有望达 11.6%，增速可观。未来随着 AI 服务器出货量的持续增长，存储器需求有望高增。 以现阶段而言，Server DRAM 普遍配置约为 500~600 GB 左右，而 AI 服务器在单 条模组上则多采 64~128 GB，平均容量可达 1.2~1.7 TB，且该容量未来有望持续增 长，达到 2.2~2.7 TB，按中值计算的增长率达 68.97%。Enterprise SSD 方面，未来 AI 服务器所需的平均容量有望实现翻倍，增长至 8TB 左右。HBM 用量方面，而相 较于一般服务器而言，AI 服务器增加了 GPGPU 的使用，以配置 4 或 8 张 NVIDIA A100 80GB 计算，HBM 用量将达到 320~640GB。未来在 AI 模型逐渐复杂化的趋势 下，将刺激产生更多的存储器用量，并同步带动 Server DRAM、SSD 以及 HBM 的 需求成长。

（2）AI 手机：AI 手机元年已至，出货量有望高速提升。Counterpoint 表示 2024 年是生成式 AI 智能手机元年，2024 全年出货量将达到 1 亿部以上。到 2027 年， 预计生成式 AI 智能手机出货量将达到 5.2 亿部，占据 40%的市场份额，出货量 CAGR（2023-2027）有望达 83%。容量方面，芯智讯表示，支持终端侧 AI 大模型 功能的智能手机将需要比以前更大容量的内存。即便采用先进的内存压缩技术，要 流程的运行 130 亿参数的 AI 大模型，智能手机也需要至少 16GB 的内存容量，如要 运行更大规模的 330 亿参数的 AI 大模型，内存容量就需要进一步提升到 20GB 以上。 随着出货量与搭载容量的持续提升，AI 手机有望成为存储芯片市场的重要增量。

（3）AI PC：AI PC 渗透率有望提升，内存市场有望充分受益。IDC 预测， 2024 年 AI PC 快速登陆市场后，随着应用场景的不断拓宽，AI PC 将拉动 PC 市场 进入新一轮增长，AI PC 在中国新机中的装配比例将在未来几年中快速攀升，占比 有望从 2023 年的 8.1%提升至 2027 年的 84.6%，迅速普及。据微软数据显示，新 的 Windows PC 将需要至少 40 TOPS 的算力，才能达到 AI PC 的门槛。此外，因为 AI 加速对内存高度敏感，而 LLM 需要大量、快速且频繁地访问内存，对内存容量 的要求很高。微软目前已将 16GB 设定为最低的容量标准，不仅用于本机加速，还 用于基于云端的 Copilot AI 功能。预计 2024 年的 PC 将以 16GB 为基本内存规格， 商用 PC 要求可能会提高至 32GB 甚至 64GB，内存市场有望充分受益。

（4）智能汽车：汽车智能化大势所趋，带动存储市场高速增长。近年来，自 动驾驶技术正逐渐兴起，L2 辅助驾驶功能已成为当下智能汽车的主流配置，未来将 向 L4、L5 逐步迈进，而存储芯片作为数据存储的核心设备，将迎来良好发展机会。 以 NAND Flash 为例，其主要用于 ADAS 系统、IVI 系统（In-Vehicle Infotainment， 车载信息娱乐系统）、汽车中控等，主要作用在于存储连续数据。随着自动驾驶等 级提升，ADAS 系统中 NAND 容量需求增长显著，L1/L2 级 ADAS 一般只需主流 的 8GB e-MMC，L3 级则提升至 128/256GB，L5 级最高可能超过 2TB。未来，高 级自动驾驶汽车的数据生产、传输和记录将需要非常大的密度和高速性，可能进一 步采用 PCIe SSD。市场规模方面，Yole 预测，全球汽车存储整体市场规模有望从 2021 年的 45 亿美元大幅增长至 2027 年的 125 亿美元，增速可观，2021-2027 年 CAGR 有望达 20%，远高于其所在行业增速。

2.2、 供给端：HBM 和 DDR5 为原厂主要投资方向

存储行业集中度高，供给端变化主要关注龙头厂商。存储产品标准化程度高， 具有大宗商品属性，行业规模效应明显，市场份额多被龙头占据。从 2024Q1 行业 的竞争格局来看，DRAM 市场 CR3 达 94.0%，NAND 市场 CR5 达 93.0%，供给侧 市场份额高度集中。在这种情况下，观察存储市场供给情况则需重点关注几家龙头 的边际变动。

资本开支变化与半导体市场增速呈现强相关性。半导体周期波动明显，各大厂 商一般会在繁荣年份加大资本支出投入、扩充产能，而在萧条时期减少资本开支、 缩减产能，改善供需结构。据 Gartner、IC insight 和 WSTS 数据显示，资本开支增 速与半导体市场的变化具有很强的相关性。当资本开支显著上升时，行业往往即将 进入下行周期；而当资本开支同比下滑时，行业往往临近周期反转。因此，我们认 为资本开支在一定程度上能够反应供给侧产能的未来走势，可以作为重点指标来预 测半导体产业的周期变化。

复盘：2022 年底-2023 年底，大厂明显减少资本支出，开启减产计划。 不同于 2020 年、2021 年的“高光时刻”，存储行业从 2022 年年初开始步入下 行周期，消费电子等需求疲软引发了客户砍单、存储芯片库存过剩、价格下跌一系 列连锁反应。深究其背后原因可大致归结为三：（1）消费电子需求骤降；（2）存 储踏浪新兴产业厂商在市况大好时囤货致使库存积压；（3）存储厂商在缺芯时大 幅扩产，后续导致供大于求。为防止产品价格过度下跌，各大原厂在 2022 年底至 2023 年底期间纷纷启动减产计划，降低 2023 年资本开支，行业供给端出现明显收 缩，尤其是产能占比较大的成熟制程产品。

复盘：2023 年底至今，HBM 和 DDR5 为主要投资方向

随着原厂集体加大减产力度并收缩供应，2023H2 市场预期和信心逐渐回暖， 备货节奏加快，景气度明显回升，产品价格迅速走出底部。叠加 2023Q4 以来，手 机及 PC 需求转佳，AI 系列产品陆续上市，带动对存储需求上升，库存逐渐去化。 为扩大市占率，三大原厂于 2024 年初集体调升稼动率，且将资本支出和产出聚焦 于利润较佳产品如高频宽存储（HBM）和 DDR5，加注 AI 浪潮发展与行业复苏。

2.3、 价格端：产品价格触底反弹，新一轮景气周期渐行渐盛

复盘与展望：产品价格触底反弹，新一轮景气周期渐行渐盛。复盘本轮周期产 品价格走势，2022 年底以来随着原厂供给端明显收缩，以及下游需求逐步回暖，存 储市场的供需结构自 2023H2 以来正稳步改善。根据闪存市场指数显示， DRAM/NAND 价格指数于 2023 年中跌至谷底，而后复苏态势明显，反弹力度可观。 2024Q2 开始进入需求淡季，指数开始小幅下降，等待低价库存消耗结束以及第 3 季传统需求回暖，存储行情有望在下半重回成长轨道。未来展望方面，TrendForce 预计，DRAM/NAND 价格 有 望 继 续上 涨 ，Q2、Q3 季 涨 幅 中 值有 望 分别 达 15.5%/10.5%和 17.5%/7.5%，反弹趋势有望全年延续。

聚焦 2024Q3：淡季不淡，下游需求回暖带动存储价格持续上涨

（1）DRAM 方面：据 TrendForce 数据，由于通用型服务器(general server)需求 复苏，加上 DRAM 供应商 HBM 生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度， 2024 年 Q3 DRAM 均价将持续上扬，PC/Server/Mobile/Graphics/Consumer DRAM 季 度 涨 幅 中 值 预 计 分 别 为 5.5%/10.5%/5.5%/5.5%/5.5%（DDR3）+5.5%（DDR4） /5.5%，幅度可观，其中 Server DRAM 涨势最佳，主要受惠于旺季备货需求。

（2）NAND Flash 方面：据 TrendForce 数据，2024 年 Q3 除了企业端持续投资 服务器建设，尤其 Enterprise SSD 受惠 AI 扩大采用，继续受到订单推动，消费性电 子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅度趋于积极，第三季 NAND Flash 供过于 求比例(Sufficiency Ratio)上升至 2.3%，NAND Flash 均价(Blended Price)涨幅收敛至 季增 5-10%。其中 Enterprise SSD 由于 AI 服务器建设扩张，下游需求旺盛，涨势良 好，2024Q3 合约价季涨幅预计约为 15-20%。

DXI 与美光股价走势一致，价格复苏有望带动板块景气度持续上行。DXI 指数 是集邦咨询创建的反映主流 DRAM 价格的指数。从 2013 年以来 DXI 指数与美光科 技股价的走势可以看出，二者具备很高的相关性。美光作为存储行业的龙头之一， 具有一定的定价权，其往往既是价格的制定者之一，也是价格变动所来周期的主要 承受者。从图中我们可以发现存储产品价格和板块公司股价二者之间的走势高度相 关，随着当前供需结构逐步改善带动价格的全面上涨，板块或将迎来新一轮景气周 期。

3、 未来看点：战略备货助力业绩增长，产业延伸优化长期发 展

3.1、 短期：战略备货充足，业绩增长潜力可观

存储模组厂商一般通过采购上游存储晶圆，将其与闪存主控芯片等部件进行封 装、测试后形成存储模组，然后再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道分 销商从而赚取差额利润。该类商业模式能够深入参与主流存储产品产业链分工，受 益于本轮行业复苏与价格反弹。 战略性储备低价库存，模组厂业绩增长动能充足。回顾本轮周期，数据显示， 随着产品价格逐渐下滑，国内存储模组厂自 2023Q1 起加速战略备货、囤积低价芯 片库存。基于对后续需求复苏和产品价格的乐观预期，本轮模组厂的囤货节奏连续 五季度保持较高增速有，2023Q1-2024Q1 五季度库存水位季均增长 15.7 亿元，季均 同比增速 15.4%，增长速率远超前几季度水平，战略性备货规模充足。未来随着行 业供需格局改善带动价格的持续回暖，模组厂在本轮周期中囤积的低价库存有望转 化为可观收益，业绩增长潜力可观。

从最新数据来看，模组厂增长逻辑正逐步兑现

从台厂高频月度营收数据来看：景气度持续修复，2024Q2 有望淡季不淡。从 中国台湾模组厂来看，随着产品价格的触底回暖，2023H2 以来，威刚等多家中国 台湾模组厂月度营收整体呈复苏趋势。聚焦 2024M6，以威刚、十铨为首的模组厂 月营收均实现同比高增，威刚月营收 yoy+29.4%/mom-8.5%、 十 铨 月 营 收 yoy+49.1%/mom+6.0%，表现亮眼，反映价格上涨、下游客户补货意愿较强。尽管 Q2 是消费电子传统淡季，模组厂延续强势复苏趋势，淡季不淡。

从最新季报来看：2024Q1 国内模组厂营收大幅增长，战略储备成果逐渐显现。 2024Q1 江波龙、佰维存储和德明利营收均实现大幅增长，单季度分别实现营收 44.5 亿元（yoy+200.5%/qoq+25.6%）、17.3 亿元（yoy+305.8%/qoq+17.6%）、8.1 亿元（yoy+168.5%/qoq+1.4%），成长逻辑逐步兑现。江波龙表示，目前原厂供应 向企业级产品倾斜，整体存储晶圆的供应依然偏紧；其次，在价格上，原厂拉涨价 格的态度目前较为坚决，2024 年内晶圆价格有望延续温和上涨的趋势。鉴于国内模 组厂此轮战略备货充足，以及未来产品涨价预期良好，我们认为国内模组厂未来仍 有充足的业绩增长潜力。

3.2、 中长期：国产替代势在必行，上下游延伸盈利能力逐步增强

成长空间广阔，国产替代势在必行。中国存储芯片市场规模庞大，但自给率较 低，目前仍有较大的提升空间。为解决我国关键领域的数据存储安全问题，在产业 政策的推动下，国内 NAND Flash 存储晶圆的工艺制程和堆叠层数等技术方面取得 关键突破，以长江存储为代表的存储原厂正加速缩小与国际巨头的技术差距，未来 有望带动整体行业发展，形成产业闭环，存储模组厂商等环节将迎来重要发展机遇。 上下游延伸，模组厂盈利能力有望逐步增强。除了自身业务发展，国内模组厂 还持续致力于寻找产业链上下游布局良机，目前已在封测、主控芯片、存储芯片等 领域取得突破进展，未来有望协同现有业务，进一步提高整体竞争力与盈利水平：

（1）布局封测：提升产品开发效率，规避技术迭代风险。以佰维存储为例， 公司自建封测厂，以满足自身存储芯片及模组的封测需求，并利用富余产能对外承 接存储器与 SiP 封测业务。目前子公司惠州佰维已经掌握 16 层叠 Die、30~40μm 超 薄 Die、多芯片异构集成等先进工艺量产能力，达到国际一流水平。该模式为公司 在产品创新及开发效率、产能及品质保障等方面带来较强的竞争优势，同时规避了 晶圆迭代的技术风险和过重的资本投入。 （2）布局主控芯片：优化产品利用效率，提升盈利能力。德明利通过自主研 发的闪存主控芯片及具有较强产品适配性的固件方案、调试算法等，持续更新匹配 存储原厂的技术方案，优化存储颗粒利用效率，并通过将上述系统化的存储管理应 用方案依托于价值量较高的存储晶圆，以模组销售的方式实现利润变现，最大化体 现公司技术方案的价值，提升公司的盈利水平。截止 2023 年，公司自研的 SD6.0 存储卡主控芯片、SATA SSD 主控芯片已完成回片认证，未来有望不断夯实公司模 组产品的竞争力。 （3）自研上游存储芯片：协同现有业务，提供一体化解决方案。江波龙积极 投入存储芯片设计业务，目前已成功量产 512Mbit-8Gbit 的 SLC NAND，其中，512 Mb SLC NAND 可广泛用于安防、通讯、穿戴等市场，并在部分应用中可替代 NOR Flash，具有良好市场前景，已在多个领域实现了大批量交付。公司自研存储芯片业 务可以与公司既有的产品线形成协同效应，增强公司向客户提供一体化存储方案的 能力。

编辑：火腿肠