2022年国博电子研究报告 国博电子有源相控阵T/R组件技术能力突出

1.国博电子：军用有源相控阵 T/R 组件龙头厂商

1.1.军用有源相控阵 T/R 组件国内领先，产品布局逐步 延伸

国博电子设立于 2000 年，总部位于南京，专注于有源相控阵 T/R 组件和射频集成 电路相关产品的研发、生产和销售。2000-2013 年，公司无线通信射频芯片产品定位于 进口产品替代，生产的 2G 移动通信用射频芯片开始进入相关设备商供应链。2014-2017 年，公司对射频集成电路相关产品的设计进行了全面布局，3G、4G 移动通信产品与国 际一流企业竞争，取得市场份额，改变了以往移动通信基站中射频集成电路依赖进口的 状况。2018 年至今，公司 4G、5G 移动通信应用射频放大类芯片、射频控制类芯片、 射频模块等产品达到国际先进水平，成为国内主流通信设备商主要供应商。 整合微系统事业部，具备整体方案解决能力。2019 年，公司整合中国电科五十五所 微系统事业部。微系统事业部一直以有源相控阵 T/R 组件的设计、生产、销售为主营业 务。通过此次整合，国博电子夯实了从芯片到组件的完整设计平台，搭建了高频高密度 有源相控阵 T/R 组件研发制造平台，具备了为精确制导、雷达探测、5G 通信以及其他 相关垂直应用提供成套解决方案的能力，并发展成为国内能够批量提供有源相控阵 T/R 组件和系列化射频集成电路产品的领先企业。

深耕两大产品线，覆盖军用民用两大领域。公司主要有两大产品：有源相控阵 T/R 组件、砷化镓基站射频集成电路。其中，有源相控阵 T/R 组件是指在雷达或通信系统中 用于接收、发射一定频率的电磁波信号，并在工作带宽内进行幅度相位控制的功能模块，是有源相控阵雷达实现波束电控扫描、信号收发放大的核心组件。砷化镓基站射频集成 电路可分为射频模块与射频芯片，射频模块主要包括大功率控制模块和大功率放大模块， 产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站等领域；射频芯片主要包括射频放大类芯 片、射频控制类芯片，广泛应用于移动通信基站等通信系统。公司的两大产品线覆盖军 用与民用领域，是目前国内能够批量提供有源相控阵 T/R 组件及系列化射频集成电路产 品的领先企业。

有源相控阵 T/R 组件技术能力突出，销量国内领先。公司设计、制造工艺技术一直 处于射频微波组件制造行业领先水平，现有工艺技术可实现 360 通道的有源相控阵 T/R 阵列集成制造。有源相控阵 T/R 组件领域多次获得国家科技进步奖、国防科技进步奖、 中国电科科技进步奖等奖项。基于高密度、高可靠的有源相控阵 T/R 组件工艺研发及制 造平台，公司成功研制了小体积、高集成度、高可靠性的有源相控阵 T/R 组件产品，广 泛应用于弹载、机载等领域。除整机用户内部配套外，公司是国内面向各军工集团销量 最大的有源相控阵 T/R 组件研发生产平台。

1.2.经营状况良好，多业务布局发展

公司经营状况平稳向好。2018-2021 年，公司分别实现营业收入 17.24、22.25、 22.12、25.09 亿元，2018-2021 年 CAGR 为 13.32%。2018 年至 2021 年，公司有源 相控阵 T/R 组件收入持续增长，有源相控阵 T/R 组件业务 2020 年独立运行后缴纳增值 税，导致收入增速较 2019 年下降。近两年受益于国防支出稳步提升，且在有源相控阵 T/R 组件业务方面公司历史发展底蕴雄厚，技术、产品积累丰富，公司营收已恢复增长 状态，经营状况向好。

营收结构不断优化，民用领域布局成效初现。公司主营业务收入主要来源于有源相 控阵 T/R 组件、射频模组和射频芯片，有源相控阵 T/R 组件应用领域主要为军用，射频 模组和射频芯片主要为民用。2019 年-2021 年，公司产品营收结构持续优化，军用业务 营收占比由 78.73%下降至 71.42%，民用业务的营收占比由 21.27%上升至 28.58%， 上述业务结构的变化体现了公司下游应用领域的不断延伸，民用领域布局成果逐渐显现。

未来，公司将继续根据下游应用领域的不同发展阶段的特点，继续深耕 T/R 组件和 射频集成电路业务，发展毫米波有源相控阵 T/R 组件技术，满足日益增加的军用与民用 需求；加强移动通信基站和终端用射频芯片，以及微波毫米波芯片的设计研发，形成批 产测试平台和批量交付能力。

1.3.股权结构较为集中，大股东带来产业协同优势

公司实际控制人为中国电科，实力雄厚带来产业协同优势。截至 2022 年 6 月 3 日，中国电科通过国基南方、中国电科五十五所、中电科投资三所全资子公司分别持有公司 39.81%、18.49%、3.32%的股权，持股比例超六成，为公司实际控制人。中国电科作为 我国电子信息行业的国有大型企业集团，通过下属单位分别部署了我国重要的电子信息 行业细分领域，同时根据各单位的业务特点，持续推进业务整合和布局。依托其产业资 源和技术能力，公司有望得到产业协同发展优势。（报告来源：未来智库）

2.集成电路行业快速增长，军用、民用需求稳健提升

2.1.集成电路市场空间广阔

全球集成电路行业保持高速增长。伴随全球信息化、网络化和智能化的迅速发展以 及下游应用领域的不断拓展，近年来全球集成电路销售额保持稳定增长。根据世界半导 体贸易统计组织（WSTS）数据，全球集成电路销售额由 2010 年的 2983 亿美元增长至 2021 年的 5558 亿美元，年均复合增长率达 6.53%，预测 2022、2023 年将分别达到 6464、6796 亿美元，分别同比增长 16.3%、5.1%。 国内市场集成电路需求旺盛，增速超过全球市场。从供给方面来看，受到国内持续 增长的需求刺激，国际著名芯片制造业厂商如英特尔、三星、台积电等，纷纷在大陆投 资建厂和扩张生产线，而与此同时，国内的相关企业也蓬勃发展。根据公司招股书引用 的中国产业信息网数据显示，国内集成电路销售额由 2009 年的 1109 亿元增长到 2020 年的 8848 亿元，年均复合增长率约 20.78%。

2.2.军用领域：中国军费稳步增长，军工电子充分受益

中国军费规模全球第二，预计未来将保持增长态势。2020 年，我国国防预算约为 1.27 万亿元，同比增长 6.6%，过去十年年均复合增速约为 9.1%。从绝对额上来看， 2020 年中国军费规模已居世界第二位，但仍不足美国军费支出的 1/3，且占 GDP 的比 重仅为 1.3%左右，远低于美国的 3.5%和俄罗斯的 3.3%，预计未来我国国防支出将会 保持稳定增长的态势。

军工电子行业是我国国防科技工业中至关重要的一环。我国的国防科技工业主要涵 盖航空、航天、兵器、核工业、船舶和军工电子六大产业集群。其中，军工电子不仅独立作为一个产业集群，也为其他产业集群提供信息化建设的技术支持。随着现代化建设 加速，我军正在国防战略转型下进行“补偿式”发展，军工电子作为国防的重要领域，发 展前景广阔。国博电子军工电子产品主要为 T/R 组件，处于军工电子产业链中游，主要 应用于精确制导、雷达探测等领域。

2.3.民用领域：模拟芯片市场规模预计十年翻番，5G 驱 动通信基站建设加速

全球模拟集成电路市场规模增长迅速。根据 WSTS 数据，全球模拟集成电路市场 规模由 2013 年的 401 亿美元预计将增长至 2023 年的 933 亿美元，年均复合增长率达 8.8%。中国模拟芯片市场占全球比重较大，根据 Frost & Sullivan 数据，中国市场规模 由 2016 年的 1995 亿元预计将增长至 2025 年的 3340 亿元，年均复合增长率达 5.9%。 模拟集成电路的下游市场广泛，产品分散，因此受行业波动的影响相对较小。公司主营 的 T/R 组件产品和射频集成电路产品属于模拟集成电路。

基站可分为宏基站和微基站。宏基站适用于室外场景，需要单独的机房和铁塔，设 备、电源柜、传输柜和空调等分开部署，体积较大；微基站信号发射覆盖半径较小，适 合小范围精确覆盖，而且部署较容易，是宏基站信号的有效延伸。

5G 技术推动宏基站、微基站建设数量上升。相较于 4G，5G 使用了更高的频率， 而信号的频率越高，波长就越短，单个基站的覆盖半径也就越小，因此，5G 的普及将 会带来宏基站数量的提升。此外，由于使用了更高的频率，5G 通信信号的传输损耗和 穿透损耗也会加大，因此宏基站的信号难以通过室外覆盖室内，也会使得对室内微基站 数量的需求大大提升。 高度集成化、模块化成为射频器件发展趋势。5G 技术使得单个宏基站的覆盖范围 变小、信号穿透力变弱，因此，微基站的大规模应用成为必然趋势。微基站的体积较小， 一般不超过 10L，多以抱杆、挂墙、吸顶等方式安装。受体积和载体限制，微基站对集 成电路集成化程度的要求也更高。 我国 5G 基站数量有望突破 800 万。根据公司招股书引用的工信部数据，2019 年年底，我国共有 4G 基站 544 万个。4G 频段在 2.3GHz，主流 5G 频段在 3-5GHz 区 间，频段越高波长越短，即覆盖半径越小。根据观研天下数据，预计 2025 年我国 5G 基 站有望达到 800 万座。

3.国博电子：军用市场 T/R 组件领军者，转向民用未来可期

3.1.有源相控阵 T/R 组件国内龙头，军工业务营收稳定

国内最早从事有源相控阵 T/R 组件研制的企业，设计生产能力突出。公司是我国最 早从事有源相控阵 T/R 组件研制的单位之一，已构建起覆盖 X 波段、Ku 波段、Ka 波段 的设计平台、高密度集成及互连工艺平台以及全自动制造及通用测试平台，具备100GHz 以下有源相控阵 T/R 组件设计、开发、批产能力，并建设完成国内首条 Ka 波段全自动 有源相控阵 T/R 组件装配生产线，极大提高了有源相控阵 T/R 组件产能，是国内有源相 控阵 T/R 组件的核心供应商。 公司 T/R 组件具备小体积、高集成度、高可靠性特点，销量国内领先。基于高密度、 高可靠的有源相控阵 T/R 组件工艺研发及制造平台，国博电子成功研制了小体积、高集 成度、高可靠性的有源相控阵 T/R 组件系列产品，广泛应用于弹载、机载等领域。随着 有源相控阵雷达体制的广泛应用，公司为各大军工集团研制开发了数百款有源相控阵 T/R 组件，数十款进入稳定技术状态或定型状态。除整机用户内部配套外，国博电子产 品市场占有率国内领先，是国内面向各军工集团销量最大的有源相控阵 T/R 组件研发生 产平台。

军工供应链稳定性高，营收稳定。进入军工企业的供应链具有较高的壁垒，需要经 历较长的验证周期和稳定性测试。一旦供应企业进入供应体系，则可获得“长期饭票”， 营收和利润具有较高的稳定性，若产品性能与行业不发生较大变动，军工客户缺少替换 供应商的动机。公司的军工业务营收、利润稳定，抗风险能力强。

3.2.掌握射频芯片核心技术，有利于提高整体毛利率

射频模块领域，公司产品主要指标达到国际先进水平。国博电子相关产品主要包括 大功率控制模块和大功率放大模块，产品覆盖多个频段，主要应用于移动通信基站等领 域。大功率控制模块通常位于通信系统的最前端，用于实现信号收发间的切换；大功率 放大模块的功能是实现基站发射链路的信号功率放大，与功率控制模块共同组成了基站 发射链路射频的最前端。公司的大功率控制模块、大功率放大模块的关键技术指标均处 于国际先进水平。

公司在射频芯片领域掌握具有自主知识产权的核心技术。基于自主核心技术，公司 形成了系列化砷化镓化合物半导体产品，公司射频芯片主要应用于移动通信基站等领域， 主要包含：1）射频放大类产品，其中低噪声放大器、功率放大器方面等主要性能指标处 于国际先进水平；2）射频控制类芯片产品具有高集成度、高成品率、高性能等特点，主 要电性能指标处于国际先进水平。在基站领域，目前公司系列射频开关、数控衰减器产 品广泛应用于 4G、5G 移动通信基站中；在终端领域，多个信号切换射频开关也已经被 主要客户引入。 射频芯片毛利率稳步提升，有利于提高公司整体毛利率。2018 年公司射频放大类 芯片以技术、工艺相对较为成熟的产品为主，毛利率相对较低。2019 年，受中美贸易摩 擦影响，公司前期研发的基站射频集成电路获得主要客户及其关联方大批量订单，主流 产品如射频放大类芯片开始放量，规模效应显现，毛利率上升。2021 年公司战略性调整 射频芯片产品结构，减少技术、工艺相对较为成熟的射频芯片产品进而推动毛利率上升。

国博电子历来重视新产品、新技术的研发，报告期内陆续有射频集成电路新品导入 主要客户，随着新产品逐步量产并不断替代老款产品，未来毛利率将趋于稳定。（报告来源：未来智库）

3.3.坚持高强度研发投入，厚积薄发迎接机遇

着眼中长期发展，坚持高强度研发投入。2018-2021 年，公司研发投入分别为 0.92 亿元、1.62 亿元、2.07 亿元、2.44 亿元，同比增速均在 15%以上，高于营收增速。在 有源相控阵 T/R 组件领域，公司亟须通过新项目的扩建提升研发生产能力、丰富产品数 量，满足市场快速增长的需求；在射频集成电路领域，公司在国际上的认可度仍存在很 大的提升空间、产品覆盖面和产品种类较国外大型公司尚有差距。公司研发费用率不断 提高，彰显公司长期发展的决心。 研发费用率稳步提高，处于同比公司中上游。2018-2021 年，公司研发费用占营业收入比例分别为 5.34%、7.31%、9.38%、9.73%，稳步提升。研发费用率从 2018 年至 2021 年稳健提升，体现出公司未来具备充足的发展潜力。

公司研发方面成果显著，各项技术指标均位于中上游。截至 2020 年底，公司专利数 量 60 个，研发人员数量 194 人，研发人员数量占比 18.41%，研发投入 2.07 亿，研发 费用率 9.38%。各项指标均处于中上游，综合来看公司在技术领域具有较强竞争力。

公司自主创新能力强，积极布局新发展方向。通过自主研发积累形成了 T/R 组件 和射频模块、射频芯片两大核心平台。在此基础上，公司投入大量资金、人力资源积极 进行产品和技术创新。在保持现有产品竞争优势的同时，公司正向新一代通信的新材料、 新器件、高密度集成和智能制造等方向布局，力争在有源相控阵 T/R 组件及射频集成电路领域做到国际领先。

编辑：999感冒灵