2022年半导体材料行业细分市场分析 半导体材料下游应用广泛

半导体是指常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，其下游应用十分广泛，包括集 成电路，通讯系统，光伏发电，人工智能等领域。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等， 其中硅是商业应用上最具有影响力的一种。

中国集成电路芯片市场容量快速扩大，带动半导体材料需求增加。据中国半导体行业协会 （CSIA）统计，2015 年中国集成电路市场为 3610 亿元，2020 年增长至 8848 亿元，年复 合增速达到 19.64%。2020 年我国集成电路芯片产量达到 2339 亿块，同比增长 15.9%。 根据 SEMI 数据，2015 年全球半导体材料市场规模为 432.9 亿美元，2020 年增长至 553.0 亿美元，年复合增速达到 5.02%。

半导体产业链各环节使用的材料差别较大。半导体材料使用主要集中在制造和封装两大环 节，一般来说，半导体材料可分为晶圆制造材料和封装材料。其中，晶圆制造材料包括硅 片、电子特气、光掩模、光刻胶、光刻胶辅助材料、抛光材料等；封装材料包括引线框架、 封装基板、陶瓷基板等。制造环节的材料技术门槛较高，目前主要被欧美、日本和韩国的 材料生产商主导。

1. 前驱体：市场迅速增长，突破国外垄断

前驱体是半导体制造的核心材料之一，主要应用于薄膜沉积工艺。化学性质上半导体前驱 体为携有目标元素，呈气态或易挥发液态，具备化学热稳定性，同时具备相应的反应活性 或物理性能的一类物质。在半导体制造过程中，前驱体主要应用于薄膜沉积环节，以形成 符合半导体制造要求的各类薄膜层，也可用于氧化环节以减少硅衬底消耗及互连环节。

ALD 为未来薄膜乘积主流方法。薄膜沉积三大方法为物理沉积 PVD、化学气相沉积 CVD 和原子气相沉积 ALD。其中 ALD 成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、可以实现低 温沉积(50℃~500℃)，更符合晶圆小尺寸化趋势，是未来主流。

ALD 方法下，High-k、金属前驱体是未来的发展趋势。前驱体按用途可分为 High-k 前驱 体、Low-k 前驱体、氧化硅及氮化硅前驱体、金属及金属氮化物前驱体等：

（1）高介电常数前驱体（High-k）：主要用于 45nm 及以下半导体制造工艺流程，应用于 存储、逻辑芯片的 CVD 和 ALD 沉积成膜技术中，形成集成电路中的电容介质或栅极电介 质，解决器件微缩及漏电问题，可将漏电降至传统工艺的 10 分之一左右，大幅提升良率； 也可应用于柔性 OLEDALD 工艺，保护有机发光材料不受氧气、水汽的影响，提升整体性 能和寿命。

（2）氧化硅及氮化硅前驱体主要用于 20nm 以下存储、逻辑芯片制造光刻工艺中最主流的 微影技术（双重微影技术，DPT），用于侧壁空间层（SpacerLayer）、形成栅极侧壁氧化硅 或氮化硅以保护起到控制作用的栅极，从而延长集成电路使用寿命，还应用于柔性 OLEDALD 工艺。

（3）金属及金属氮化物前驱体主要用于存储、逻辑芯片中的电容电极、栅极过渡层、隔离 材料，有利于制备更小电容器；也可用于相变存储器中的相变材料，可以提高存储数据的 速度。

28nm 工艺节点开始使用 ALD HKMG 技术，其利用 High-k 材料代替传统的 SiO2（或 SiON）作为栅介质层，采用金属栅代替多晶硅栅，由此增加 High-k 和金属前驱体的需求， 决定了未来应用于 ALD 技术前驱体的主流趋势。

从下游应用来看，存储器是集成电路最重要的细分领域之一，DRAM 和 NAND Flash 是最 核心的存储类型。集成电路产业可细分为存储器，微处理器，逻辑电路和模拟电路等应用 领域，其中，存储器占集成电路比重超 30%。DRAM 和 NAND Flash 是最重要的两种存储 产品类型，合计占市场份额超过 95%。2020 年存储器 IC 市场总收入达到约 1220 亿美元， 同比增长 15%。

NAND 堆叠层数增多驱动前驱体用量翻倍成长，深宽比不断加深提升单位价值。近年， NAND Flash 制造技术向 3D 技术发展，以适应小体积、大容量的市场需求，通过增加立体 硅层的方式，既能提高单位面积存储密度，增加容量，又能改善存储单元性能，控制成本； 在制造方面，与平面器件显著不同之处在于垂直集成放宽了对 3D NAND 器件的光刻要求， 而是将最复杂的工艺挑战转移到沉积和刻蚀上，3D 结构中，需要进行几十层甚至上百层薄 膜堆叠材料的生长，即随着堆叠层数逐渐增加，前驱体单位用量将翻倍增长，此时深宽比 也不断加深，高深宽比孔道需要纵向和横向沉积单位价值量更高的 High-k 等前驱体。

DRAM 制程越先进/深宽比越深，前驱体用量越多/价值越高。DRAM 的技术发展路径本质 是以微缩制程来提高存储密度，芯片制程越先进，尤其是 20nm 以下存储、逻辑芯片制造 光刻工艺中最主流的双重微影技术，以及 HKMG 技术运用越广泛，由此驱动氧化硅及氮化 硅、High-k、金属前驱体的单位用量大幅提升。同时电容是电容器表面积和介电常数的函 数，还与介电材料厚度成反比，因此，增大电容器表面积、增大介电常数以及降低介电材 料的厚度是改善电容器的存储性能的三种方法，而随着制程微缩，电容的深宽比倍数增加， 需要单位价值量更高的 High-K 材料降低高深宽比刻蚀产生的各种缺陷，延缓工艺向极端深 宽比方向发展的步伐。

先进制程迭代迎来逻辑芯片用前驱体量价快速攀升。逻辑芯片以微缩制程来提升芯片的集 成度、逻辑闸密度，由于普遍使用的浸没式光刻机受到波长限制，14 纳米及以下的逻辑器 件需要双重微影技术甚至多重微影技术通过刻蚀和薄膜沉积的工艺组合完成微观结构的加 工，同时随着制程的微缩，低电阻率的铜结合低介电常数的绝缘材料的集成方案逐渐取代 铝作为互连材料有利于改善互连线的性能，降低 RC 延迟，还有 HKMG 技术运用等，先进 制程逻辑芯片多步骤均运用前驱体改善性能，且越先进，品种越多，价格越高。

全球前驱体市场快速成长。发展空间广阔。下游产能扩张带动前驱体需求量提升，先进制 程技术迭代促进单位用量和 ASP 提升，两者共振带来前驱体材料量价齐升。据华经产业研 究院数据，全球前驱体市场规模从 2014 年约 7.50 亿美元增至 2019 年的约 12.00 亿美元， 2014-2019 年 CAGR 达 9.86%。

前驱体制备壁垒高，包装容器要求严苛。前驱体具有产品种类多、研发投入大、配方开发 及制备供应难度高、对芯片良率影响大、晶圆厂验证费用高、客户认证周期长且粘性强、 规模效应显著等特点。前驱体包装容器配套的沉积设备也主要由美国应材、泛林开发，叠 加美国对中国企业的技术封锁事件，采购 10nm 以上用含美国技术的设备/材料需获美国商务部许可，并推定拒绝 10nm 以下技术节点的产品或技术的采购，前驱体成为美国卡脖子 的关键电子材料之一，部分 High-k 材料已断供。

公司通过收购 UP Chemical 成为唯一国产前驱体供应商，具备高度稀缺性。UP Chemical 深度绑定海力士和三星电子，2015 年-2017 年上半年前五大客户中海力士始终稳居首位、 三星电子也始终保持 3.5%以上的销售额占比。公司根据已有客户如海力士的扩产同步扩大 前驱体产能，其中铪类、锆类等 High-k 类前驱体销量增长明显。在新客户开拓方面，UP Chemical 先后实现了对铠侠(原东芝存储器株式会社)、Intel、台积电(TSMC)的批量产品供 应，形成了新的利润增长点。国内客户方面，公司与中芯国际、华虹宏力、长江存储、合 肥长鑫等客户的合作取得积极进展。

2. SOD：供需高度集中，先进制程推动发展

SOD 是 STI 关键材料，可使隔离区变小提升电路效率。隔离技术是集成电路制造中一项关 键技术，将通过特定电学通路连接起来的、相互干扰的、分离的器件隔离开来，防止漏电、 击穿等电路缺陷，随着器件向深亚微米发展，浅沟槽隔离技术（STI）出现，在 0.25 微米 及以下技术节点中被广泛使用，如逻辑、DRAM、NAND 等高密度集成电路。旋涂绝缘介 质（Spin-on Dielectrics，简称 SOD）即是 STI 技术中的关键填充材料，具有绝缘性能力好， 填洞能力强等优点，采用 SOD 填充微电子电路之间的沟槽，能够在器件性能保持不变的前 提下，使得隔离区变小，实现高密电路的技术工艺，提升电路效率。

存储芯片市场高度垄断，与 SOD 厂商深度绑定形成 SOD 寡头垄断。2020 年三星、SK 海 力士、美光合计占据全球 DRAM 市场 95%左右的份额，NAND Flash 经过几十年的发展， 形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局， SOD 生产商作为存储芯片上游，呈现寡头垄断格局，同时与下游客户绑定程度较深。

雅克为全球仅有的三家 SOD 厂商之一，持续开拓下游客户。SOD 方面，全球仅有三家半 导体级 SOD 材料量产供应商：德国默克、三星 SDI 和公司收购的 UP Chemical，其中默 克是最大供应商，为全球主流存储器生产商供应 SOD 产品；三星 SDI 主要满足自身半导体 业务需要；UP Chemical 早在 2009 年就开始生产和销售 SOD 产品，打破了默克的垄断地 位，成为全球仅有的三家半导体级 SOD 供应商之一，主要供应给 SK 海力士，被雅克科技 收购后，开始逐步拓展新兴市场。通过改进 SOD 工艺，实现在小于 20nm 的细微 pattern 下，开发出不发生气泡空隙的改进型 SOD。新客户方面，公司还实现了对大连 Intel 的批量 销售，原有客户的新产品认证亦取得积极进展。（报告来源：未来智库）

3. 电子特气：产品高端化，细分龙头地位稳固

电子特气是一种重要的半导体材料，其纯度直接决定了产品的性能、集成度和成品率。在 半导体集成电路中，电子气体主要应用于沉积、刻蚀、掺杂、清洗等。电子特气纯度每提 高一个数量级，都能推动半导体器件产生质的飞跃。12 英寸、90 纳米制程的 IC 制造技术 需要电子气体纯度要在 99.999%-99.9999%（5N-6N）以上，有害的气体杂质需要控制在 10-9（ppb），对金属元素杂质以及尘埃粒子做出了严格的限制。在更为先进的 28nm 及目 前国际一线的 6nm-10nm 制程工艺中，电子特气的纯度要求则很可能更高，甚至达到 ppb （10-12）级别。

公司电子特气布局六氟化硫、四氟化碳。公司 2018 年 6 月收购科特美，至 2021 年底月公 司已有 10000 吨高纯六氟化硫产能及 2000 吨高纯四氟化碳产能。同时目前还有 2000 吨六 氟化硫产能稳步建设中。

低纯度的工业级六氟化硫受特高压推动前景广阔，产能利用率将维持高位。科美特生产的 六氟化硫主要为工业级，绝缘强度是空气的 2.5 倍，灭弧能力是空气的 100 倍，用于下游 客户大多为输配电及控制设备大型厂商，对产品质量的稳定性和规模供货能力要求较高。 科美特作为工业六氟化硫国家标准和电子工业用气体-六氟化硫国家标准的起草单位之一， 受益国家提出“新基建-特高压”建设，SF6 保持满产满销状态。

高纯四氟化碳、六氟化硫是理想的电子蚀刻剂。六氟化硫、四氟化碳广泛应用于微电子技 术领域，用作电脑芯片、液晶屏等大型集成电路制造中的等离子刻蚀及清洗剂。四氟化碳 将多余的铜皮腐蚀掉，附有油墨的电路上铜皮得以保留，之后再用四氟化碳进行清洗电路 上的油墨再烘干等工艺，氟碳类气体中，四氟化碳凭借价格优势，占据刻蚀和清洗环节的 主流地位，是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体；六氟化硫用于预蚀刻步骤中 以除去单晶硅上的氧化层，也作为清洗剂（等离子源），六氟化硫可用于去除玻璃基板上的 沉积层（包括半导体层和氮化硅层）和清洗蚀刻工艺之后的反应腔，由于六氟化硫在钨的 回刻方面有独特的优势，虽然蚀刻速度低于四氟化碳，但在集成电路中仍有一定份额。

电子级四氟化碳与六氟化硫市场规模广阔。电子特气市场规模增长迅速，根据中国半导体 行业协会数据，中国电子特气市场规模在过去十年实现翻倍增长，2020 年达到了 150 亿元。 预计 2024 年中国电子特气 市场规模将提升到 230 亿元，CAGR 为 11.28%，届时中国将 占据全球六成的市场。

电子特气行业高度集中，国际巨头形成寡头垄断。从全球来看，美国气体化工、美国普莱克斯、法国液化空气、日本大阳日酸株式会社和德国林德集团五家公司垄断全球特种气体 91%的市场份额，国内几大跨国巨头同样占有接近 90%的市场份额。行业技术壁垒在于从 生产到分离提纯以及运输供应阶段，一直受到欧美发达国家的技术封锁。与海外公司相比， 国内气体公司在资金、技术、设备等方面仍有一定差距，大部分本土公司产品较为单一、 用气级别不高，国内相关企业主要集中在中低端市场。

国内部分电子特气已经逐渐实现国产化，电子特气企业布局产品分散。国内电子特气企业 主要分为三类：以华特气体、金宏气体为代表的气体公司，主营业务以工业气体为主，该 类公司产品种类较多，纯度较高；以雅克科技、南大光电为代表的半导体材料平台型公司， 多维布局，两家公司电子特气板块占比分别为 16%、72%；以昊华科技、中船重工 718 所 为代表的综合型公司，涵盖多个领域，综合实力较强。

科美特的六氟化硫和四氟化碳产品在细分行业市场份额处于领先地位。从 2020 年 Q2 开始， 随着代表新基建方向的国内在建和新批特高压输电项目陆续开工，以及集成电路行业需求 增长，公司产品处于供不应求的状态，目前正在积极扩产，预计扩产后产能与其他企业进 一步拉开差距，产能水平处于行业领先，稳定其龙头地位。

4. 硅微粉：产能建设+产品升级满足增量需求

硅微粉是电子元件中关键的无机填充物，下游应用广泛。硅微粉由结晶石英、熔融石英等 为原料，经研磨、除杂等加工工艺制成粉体，具有高耐热、高绝缘、低线性膨胀系数和导 热性好等独特的物理、化学特性。

球形硅微粉填充率高，制成的半导体性能优异。硅微粉可分为角形硅微粉（结晶硅微粉、 熔融硅微粉）以及球形硅微粉，后者可达电子使用级别，广泛应用于覆铜板（CCL）、环氧 塑封材料（EMC）、电工绝缘材料、胶粘剂等领域，起到填充物的作用。球形硅微粉填充率 越高，热膨胀系数就越小，导热系数也越低，就越接近单晶硅的热膨胀系数，由此生产的 电子元器件的使用性能也越好。

随微电子元件性能不断提高，球形硅微粉需求量不断提升。根据 SEMI 数据，2015-2019 年全球球形硅微粉的市场规模复合增速达 10.30%。高端球形硅微粉由于其优越特性，需求 量日益升高，市场规模逐步扩大。根据头豹研究院数据，2012-2018 年国内硅微粉产业规 模复合增速达到 20%，2018 年约达 17 亿元。

EMC 需求稳定增长，球形硅微粉市场充分受益。EMC 是国内外集成电路封装的主流材料， 根据《中国电子级硅微粉市场调研与投资战略报告（2019 版）》，2019 年全球集成电路封 装中的 97%采用 EMC 作为外壳材料，而 EMC 中 70%-90%为硅微粉填充。近年来 EMC 用功能填料市场需求持续稳定增长。根据新材料在线数据，中国 2019 年 EMC 用功能填料 市场规模为 27.6 亿元，预计 2025 年将达 45.2 亿元，2019-2025 年的 CAGR 为 8.57%。

覆铜板下游应用场景扩大将加大对球形硅微粉的需求。伴随着新一代通信技术的发展、通 信电子设备需求增加、3C 电子产品应用领域扩展，覆铜板下游应用场景扩大，全球 PCB 市场高景气。根据 Prismark 数据，2020 年全球 PCB 产值约为 652 亿美元，预计 2025 年 全球 PCB 行业产值将达到 753 亿美元。我国是全球最大的 PCB、消费电子生产地，根据 PR Newswire 统计数据，2020 年中国大陆的 PCB 市场规模占据全球市场总额的约 53.8%。 随着国内外 PCB 市场规模稳步增长，覆铜板需求进一步放大，而硅微粉作为覆铜板中最重 要的无机填料必将迎来全新的需求格局。

当前球形硅微粉日本占主导地位，中国厂商奋起直追。根据智研咨询数据，2019 年全球销 量为 14.93 万吨，其中 70%来自日本，而日本 Admatechs 更是垄断了 1μm 以下的球形硅 微粉市场。目前我国生产的硅微粉主要为中低端角形硅微粉，整体竞争力仅次于日本，球 形硅微粉市场份额集中在龙森公司、电化株式会社、雅都玛等公司，国产化率不足 10%， 主要国内生产企业有联瑞新材、华飞电子。

雅克科技子公司华飞电子目前已成为国内知名硅微粉生产企业。目前，公司主要产品已与 世界顶尖硅微粉生产商日本电气化学工业株式会社、日本新日铁 Micron 等公司的部分产品 处于同一水平。公司持续研发投入，现已获得 4 项球形硅微粉相关发明专利，通过自主创 新掌握了业内先进的原料配方技术、无污染研磨技术、混合复配技术、高温球形化技术， 精密分级技术和表面处理技术等。

产能利用率与产销率均维持在高位，扩产为当务之急。近年来公司产能利用率与产销率均 维持在高位，毛利率稳定在 30%以上。华飞电子决定在扩大原有产品产能的同时，实现产 品结构升级。公司投入 2.88 亿元建设 10，000 吨球状、熔融电子封装，预计 2022 年 3 到 12 月陆续完工。产品规格升级预计带动球形硅微粉整体毛利率将持续上升。

5. LDS 设备：受电子材料带动，迎来快速发展

公司 2017 年成立雅克福瑞布局 LDS 输送业务。2017 年 4 月，公司与韩国 Foures 公司成 立中韩合资企业江苏雅克福瑞科技有限公司。雅克福瑞的产品是 LDS 输送系统，主要用于 半导体和显示面板企业的前驱体材料等化学品的输送，与母公司半导体材料具有极强的协 同性。公司 LDS 输送系统频获订单，客户规模不断扩大，雅克福瑞 LDS 输送系统已经实 现对包括长江存储、中芯国际和上海华虹等国内主流集成电路生产批量供应。截至 2021 年 4 月，公司陆续获得华虹、上海华力等订单，同时公司也在向青岛芯恩、台积电等客户不断 拓展。

LDS 在手订单充裕，业绩进入高速成长期。2018、2019 年，公司实现营收 288 万元、 1210 万元，2020 年雅克福瑞实现营业收入 7023 万元，较 2019 年全年增长约 480%；实 现净利润 1133 万元，扭亏为盈。同时，雅克福瑞还在研发高温环境下抗腐蚀性能更好的 LDS 输送设备，在未来年度新型设备投放市场后将成为新的利润增长点。2020 年，随着国 内集成电路厂商新增产线的陆续实施，雅克福瑞拓展了长江存储、中芯国际、华虹宏力、 青岛芯恩、重新万国和广州粤芯等国内主要芯片厂商的销售，2020 年雅克福瑞新增订单超 过 9000 万元。同时，雅克福瑞还在研发高温环境下抗腐蚀性能更好的 LDS 输送设备，在 未来年度新型设备投放市场后将成为新的利润增长点。（报告来源：未来智库）

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