中芯国际研究报告：成熟制程持续加码，工艺平台不断完善

一、全球第五大代工龙头，高景气行情下实现高速增长

1、背靠大基金与国资委，中芯国际为全球第五大、中国大陆第一大代工龙头

中芯国际是全球第五、中国大陆第一大晶圆代工龙头。中芯国际成立于 2000 年，自设立以来一直从事晶圆代工业 务，2004 年登陆港交所和纽交所，2019 年从纽交所退市，2020 年登陆科创板。2001 年公司完成 8 英寸生产基地 建设，2004 年北京 12 英寸生产基地投产；2015 年公司实现 28nm 量产，并于 2019 年实现 14nm FinFET 的量产。 截至 21Q4，公司已实现每月 62.1 万片（折合 8 英寸）产能，季度出货量 172.34 万片（折合 8 英寸）晶圆。从 TrendForce 公布的全球代工厂 21Q3 营收数据来看，公司位于全球晶圆代工厂第五、中国大陆第一，在全球纯晶圆 代工厂中排名第四。

国家和地方资本助力中芯国际发展。截至 21H1 末，公司在香港发行的股份占总股本约 75.5%，绝大部分于香港上 市的股份由香港中央结算（代理人）有限公司持有，香港中央结算（代理人）有限公司持有中芯国际 56.72%股份， 为第一大股东；大唐控股公司 2008 年入股，目前持股比例为 10.79%；大基金通过全资孙公司鑫芯（香港）投资间 接持股 7.81%，同时通过大基金二期直接持股 1.61%；上海市国资委通过上海国盛间接持股 7.35%股份。中芯国际 虽然无实控人，但背后拥有国家大基金和上海国资委助力，另外众多大型国企持股也为中芯国际长期发展注入动力。

中芯国际在北京、天津、上海、深圳四地全资+合资共有 6 座代工厂达产，同时兴建中芯京城、上海临港、中芯深 圳（12 寸）三条新产线。

1）全资代工厂：截至 21Q4，公司共有 3 座全资代工厂，分别为上海一座 8 寸产线、天津一座 8 寸产线和北京一条 12 寸产线，成立时间较早，均在 2003 年及之前；

2）合资代工厂：截至 21Q4，中芯国际旗下拥有 3 座合资代工厂，分别位于深圳、北京和上海。①中芯深圳 8 寸： 中芯深圳于 2008 年由中芯控股、中芯集电和深圳重投合资成立，建立了华南地区第一条 8 寸产线，并于 2014 年达 产；②中芯北方 12 寸：中芯国际和北京市政府合资成立中芯北方，成立于 2013 年 7 月；③中芯南方 FinFET：中 芯控股和国家大基金、上海国资委于 2016 年成立中芯南方，专注于 14nm 及以下先进制程，2020 年，国家大基金 （二期）和上海集成电路产业投资基金（二期）加入，中芯南方注册资本增至 65 亿美元；

3）建设/规划中代工厂：中芯国际规划于北京、深圳、上海建设 3 座合资 12 寸代工厂。①中芯京城 12 寸：2020 年， 中芯国际和北京亦庄国际投资发展公司及国家大基金二期合资成立中芯京城，中芯京城首期项目计划投资 76 亿美元， 预计 2022 年投产；②中芯深圳 12 寸：2021 年 3 月，中芯国际与深圳市政府签订合作框架协议，由子公司中芯深 圳开展 12 寸产线建设活动，重点面向 28nm 及以上制程，项目总投资约 23.5 亿美元，预计 2022 下半年投产；③上 海临港 12 寸：2021 年 9 月，中芯国际和上海临港自贸区管委会签署合作框架协议，成立合资子公司，项目总投资 约 88.7 亿美元，面向 28nm 及以下制程，规划产能为 10 万片/月。2022 年初，上海临港项目破土动工。

中芯国际历史上部分高管和核心技术人员拥有台积电背景，正因为如此，其成立早期曾陷入与台积电专利诉讼纠纷， 另外由于一系列内部与外部因素，中芯国际高管不断变动，但中芯国际在逻辑制程与特殊工艺发展上没有停下过脚 步，并逐渐走向独立自主发展道路。

（1）初期高速发展（2000~2004 年）：中芯国际创始人之一张汝京毕业于中国台湾大学，1977 年进入 TI，后来回到中国台湾创立世大半导体，2000 年世大半导体被台积电收购，张汝京来到上海，和上海半导体产业集群规划者江上舟共同 创办中芯国际。张汝京招募 300 余名同事并引入中外资本以购买二手设备，中芯国际 3 年内建成 4 条 8 寸线和 1 条 12 寸线，并实现 90nm 工艺量产。在 2004 年，中芯国际营收突破 10 亿美元。

（2）中期负重前行（2004~2011 年）：2003~2004 年，台积电 3 次起诉中芯国际侵害专利技术，2005 年，中芯国 际和台积电达成和解，中芯国际向台积电支付 1.75 亿美元，六年内还清，但台积电于 2006 年再次起诉中芯国际将 商业机密用于 0.13um 及以下制程，2009 年，中芯国际和台积电和解，中芯国际 4 年内分期向台积电支付 2 亿美元， 同时向台积电发行新股，交易完成后台积电将持有中芯国际 10%股份。中芯国际与台积电的 6 年诉讼影响了中芯国 际发展所需资金，更导致其人员变动，2009 年张汝京辞职，部分高管陆续离职。2004~2011 年，受制于以上内部和 外部因素，中芯国际营收体量在 10~16 亿美元之间波动，归母净利润为亏损状态。2011 年 8 月，沪硅产业现任总裁， 原华虹 NEC CEO 邱慈云博士担任中芯国际 CEO，主张暂时不追求先进制程，专注成熟制程，中芯国际盈利能力恢 复，但与台积电技术水平差距逐渐扩大。

（3）扭亏为盈，中芯国际持续加码成熟制程，先进制程未来空间广阔（2012 至今）：2012 年，中芯国际在邱慈云 带领下实现扭亏为盈。2015 年，曾任工业和信息化部财务司司长的周子学担任中芯国际第三任董事长。2016 年， 曾任台积电首席运营官的蒋尚义加入中芯国际，蒋尚义在研发 CMOS、NMOS、Bipolar 等项目上有丰富经验。 2017 年，梁孟松担任中芯国际联合 CEO，梁孟松先后就职于台积电、三星等的核心技术部门，曾帮助三星开发 14nm 工艺反超台积电。在梁孟松带领下，中芯国际继续发展先进制程，并于 2017 年成功登陆科创板。2020 年 12 月，美国商务部将中芯国际列入实体清单，否认中芯国际 10nm 以下先进制程需求。2021 年 9 月，周子学因身体原 因离职，目前中芯国际由高永岗任代理董事长。尽管现有 14nm 技术发展受限，但在半导体景气度长期向好、国产 替代持续情况下，中芯国际作为本土第一大代工厂，持续发展成熟制程，先进制程未来市场空间广阔，同时在特殊 工艺和先进封装上实现突破，未来可期。

2、中芯国际历史营收波动上升，2021 年全球产能紧张带来收入和净利润创历史新高

公司近 10 年来营收呈现整体波动上升趋势，2011-2021 年收入 CAGR 达 15.3%，2021 年受益于高景气行情，收入 达 54 亿美元，同比增速创近 10 年历史新高。虽然 2011、2014 受到行业景气度影响，营收有所下滑，但近 10 年来 营收整体呈波动上升趋势；2017-2019 年，公司营收受到智能手机下游需求疲软和宏观经济影响，2018 年收入相对 较高原因主要系确认的技术许可收入影响，2017-2019 年经营性收入基本持平；2020 年，由于成熟制程需求旺盛、 先进制程技术持续拓品，尽管受美国实体清单影响，收入仍实现 25%同比增长；进入 2021 年来，受益于高景气行 情，SMIC 产能利用率基本维持满载，同时晶圆涨价叠加产品结构改善，2021 全年实现营收 54.4 亿美元，同比 +39%，在全球前四大纯晶圆代工厂（台积电、联电、格罗方德、中芯国际）中营收增速最快，营收增速创 10 年来 新高；单季营收实现逐季增长，21Q4 实现 15.8 亿美元，环比+12%并创历史新高。同时公司于 21Q4 法说会表示， 22Q1 预计实现营收环比增长约 15-17%。

晶圆代工为最主要营收来源，先进封装和全球多家封测大厂展开合作。SMIC 晶圆代工为最主要营收来源，21Q4 晶 圆代工实现营收 14.14 亿美元，环比+6.4%，占比近 90%。SMIC 其他收入包括先进封装、掩膜制造等业务，SMIC 最早于 2014 年便和长电科技成立合资子公司中芯长电助力自身先进封装发展，覆盖晶圆凸块级、晶圆尺寸、芯片级 封装及其他多种封装形式，另外 SMIC 也拥有中国大陆最大也是最先进的光掩模制造设施，覆盖 0.5um-14nm 工艺。 虽然 SMIC 于 2021 年 4 月计划出售中芯长电全部股权，但目前仍和长电科技、安靠、欣铨科技等封测大厂保持技术 合作关系。

从下游领域来看，智能手机和消费电子应用贡献过半营收，模拟、射频、MCU 等产品需求保持旺盛。1）手机和消 费电子：由于部分大客户营收占比较高，SMIC 在历史上的智能手机业务营收占比维持 45%以上，但自 20Q3 开始，公司被美国列为“实体清单”，影响与智能手机大客户的业务开展，因此智能手机收入占比自 20Q3 起逐渐下降至 21Q4 的 31.2%。同时受消费电子景气度下滑影响，客户拿货不积极，公司消费电子占比在 21Q4 达 23.7%，环比 下降 0.4ppt，公司预计 2022 年手机和消费电子将成为存量市场，供需达到平衡。但目前中芯国际面对的手机客户占 全球市场份额 60%以上，客户希望有一定量在中国生产，SMIC 预计长期将增大智能手机收入占比；2）IoT 及面板、 电动工具等领域：公司预计 2022 年电动车、IoT 等领域存在结构性产能缺口，射频、MCU、PMIC 等平台需求依然 旺盛。汽车端，代工业目前大约仅 5%的总产能用于汽车，但长期来看，公司预计 2023 年或 2024 年初汽车业务迎 来增长拐点。

从制程来看，成熟制程特色工艺取得多项突破，14/28nm 占比逐季提升。21Q4 公司 14/28nm 制程收入为 2.94 亿 美元，环比+14%，占晶圆代工收入的 18.6%，自 20Q4 以来保持逐季占比提升态势，主要系部分流片项目陆续进入 量产，产能利用率不断提高；公司实现 40nm 射频、40nm MCU、40nm 及 55nm 高压显示驱动、40nm CIS 以及 55nm 利基存储等特色工艺上的突破，21Q4 40-65nm 收入合计占比 42%；公司 0.18-0.11um 主要面向特殊存储领 域，21Q4 合计占比 32%。公司 90-22nm 设备机型基本一致，可以根据下游订单情况灵活进行产能调配，以满足产 能最紧张产品需求。

从客户来看，SMIC 涵盖国内外主流设计公司，自 2021 年以来国内占比逐渐提升。中芯国际既面向华为海思、紫光 展锐、兆易创新等国内头部设计公司，也面向海外如高通、博通、FPC 等大客户。受中美贸易摩擦和全球疫情带来 的供应链不确定性，很多国内客户为保证供应链安全而更多选择国内供应商，中芯国际国内营收占比在 2021 年逐渐 提升，在 21Q4 达到 68.3%。SMIC 同时在欧洲和北美设有销售中心，自 20Q4 以来，欧亚地区营收占比稳中有升， 但北美地区营收占比从 20Q4 的 27.7%逐季下降至 21Q4 的 19.6%。

2021 年营收高增长主要系高景气下产能稳步爬坡+产能利用率满载+产品 ASP 提升。

1）产能：公司产能整体稳步爬坡，19H2 出现下滑主要系出售意大利控股晶圆厂 Lfoundry，排除该因素影响，

2019-2020 年公司产能稳步爬坡；2021 年，公司资本支出为 45 亿美元，主要用于深圳和天津 8 寸产线，以及北京 12 寸产线扩产，其中 8 寸产线扩产超 4.5 万片/月，12 寸产线扩产超 1 万片/月，截至 21Q4，折合 8 寸总产能达到 62.1 万片/月；

2）产能利用率：SMIC 历史上产能利用率主要受行业景气度影响，但整体呈波动上升态势；进入 2021 年来，行业 高景气度带动整体产能利用率全年基本维持满载，2021 全年产能利用率大约 100%，21Q4 整体产能利用率达 99.4%，环比微降约 1ppt，主要系季节性因素以及可能存在的年度检修等影响；

3）ASP：受到下游智能手机需求下滑和宏观经济影响，2019-20H1 中芯国际 ASP 较为平稳；进入 2021 年以来， 受益于高景气度行情和产品结构改善，中芯国际 ASP 在 2021 年保持逐季上升，折合 8 寸 ASP 从 20Q4 的 646 美元 上升至 21Q4 的 821 美元，21Q4 ASP 环比+6%。

中芯国际毛利率受折旧和行业景气度影响较大，2021 年毛利率快速上升。自 2015 年毛利率达到高点后，在 2016- 2019 年毛利率出现波动，主要系成熟制程和先进制程产线扩产带来折旧费用较高，同时 2018-2019 年行业景气度下 滑影响产品 ASP 等，2020 年，产能利用率提升和产品结构改善带来毛利率提升至 24%，2021 年，受益于下游高景 气度，成熟制程需求持续旺盛，先进制程产能利用率稳步提升，产品结构持续改善，全年实现毛利率 31%，同比 +7ppts，2021 毛利率逐季环比提升，21Q4 达 35%，达 21Q3 指引上限。根据公司 21Q4 法说会，预计 22Q1 单季 毛利率继续保持环比提升态势，预计介于 36-38%之间，但由于 2022 年将产生折旧约 20 亿美元，因此全年毛利率 将略高于 2021 年的 31%。

中芯国际历史上盈利能力承压，近年来实现利润快速增长。2005~2011 年，公司整体呈现亏损状态，主要系台积电 专利诉讼等影响公司发展；2012 年公司实现扭亏为盈，并在 2012-2016 年保持归母净利润整体上升态势；2017 年2019 年，由于中芯南方新产线建设产生折旧费用较多，同时 18H2-2019 年行业景气度有所下滑，公司归母净利润 出现一定波动；2020 年末，尽管公司被美国列入“实体清单”，先进制程盈利能力受到一定影响，但在整体高景气 行情下，尤其是成熟制程产能紧缺情况下，公司整体实现归母净利润大幅增长；2021 年，受益于产能利用率满载、 产品结构不断改善，一定程度抵消高额折旧费用带来的不利影响，公司整体盈利能力增强，全年 EBITDA 利润率大 约 70%，全年实现归母净利润 17 亿美元，其中其他收入贡献利润大约 6.6 亿美元，排除非经营性利润影响，2021 全年经营性利润大约翻倍增长。

股权激励提振信心，凝聚专业技术人才。2021 年 7 月 19 日晚，中芯国际发布公告称，公司董事会通过股权激励议 案，共授予 6753.52 万股，将产生近 4 亿美元股权激励费用，激励对象包括董事及高管、核心技术人员、中高级业 务管理人员等 3944 人，占 2020 年公司总人数的 23%。董事长周子学、副董事长蒋尚义、联席 CEO 赵海军和梁孟 松均获得 40 万股股权激励，中芯国际董事高管及核心技术人员本次共获得 280 万股股权，占本次授予的股权总数 3.7%，其中中高级业务管理人员持股占比 10.2%，技术及业务骨干占比 75.37%，另外预留了 10.73%股权日后使用。（报告来源：未来智库）

二、高景气下全球代工厂积极扩产，维持产能满载+产品涨价态势

1、全球产能紧张下代工大厂纷纷积极扩产，中芯国际加码 12 寸产能扩张

2021 年下游需求旺盛，全产业链产能紧张，代工龙头积极扩产。进入 20H2 以来，由于疫情逐渐恢复，下游厂商需 求提高，而产能相对有限并且新增产能开出需要一定时间，因此全产业链产能紧张，代工厂纷纷扩产。从资本开支 情况来看，通过统计台积电、联电、中芯国际、世界先进、华虹五家代工厂，2021 年各季总资本开支保持同比上升， 展现扩产力度。根据 TSMC 21Q4 法说会，预计 2022 年资本开支 400-440 亿美元，同比大幅提升 33-46%，主要用 于 3/5nm 等先进制程扩产，另外也在积极扩产日本、南京和中国台湾的 28nm 产能；根据 UMC 21Q4 法说会， 2021 全年资本支出 18 亿美元，受设备交期影响不及此前预计 23 亿美元，但指引 2022 年资本开支大约 30 亿美元， 主要用于 P5 和 P6 产线的 28nm 扩产；同时中芯国际 2021 年资本开支为 45 亿美元，2022 年预计资本开支 50 亿美 元。综合来看，2022 年各主流代工厂扩产势头不减。

全球 8 寸产能预计相对稳定，12 寸产能有望在 22H2/2023 年迎来大幅增长。1）8 寸：高景气行情下成熟制程产能 紧缺，8 寸晶圆供不应求，但由于此前厂商纷纷扩产 12 寸产能，8 寸设备逐渐不再生产，目前 8 寸设备多为二手， 厂商扩产不利，2021 和 2022 年全球主流代工厂预计扩产 8 寸产能较少。根据 SEMI 预计，2021/2022 年全球将共 新建 29 座晶圆厂，其中仅有 7 座为 8 寸晶圆厂；2）12 寸：根据我们统计，全球主流代工厂纷纷加码 12 寸产能， 按照扩产节奏来看，12 寸产能有望在 22H2/2023 年迎来大幅增长。

中芯国际历史上 8 寸产能占比较大，整体产能持续扩张。中芯国际原有四条 8 寸产线，其中上海/天津/深圳产线分别 于 2000/2003/2008 年建成，面向 90nm 及以上制程，其中一条为 2016 年 7 月收购的意大利 Lfoundry，但由于 Lfoundry 持续亏损，SMIC 于 2019 年 7 月将持有其全部股权转让；另外 SMIC 于 2002/2013 年分别建设北京 12 寸 线和成立中芯北方产线，面向成熟制程，于 2016 年成立中芯南方，面向 14nm 及以下先进制程。排除 Lfoundry 影 响，SMIC 历史上产能稳健爬坡，根据 20Q2 季报披露各厂产能情况，8 寸产能占比为 68%。SMIC 此前指引 2021 年扩产 4.5 万片/月的 8 寸产能，增加 1 万片/月的 12 寸产能，但实际扩产超预期，整体产能在 21Q4 达 62.1 万片/月。

中芯国际资本支出维持高位，12 寸产能未来有望大幅扩张。2021 全年中芯国际资本支出为 45 亿美元，21Q4 单季 支出 21.3 亿美元，展望 2022 年，公司预计全年资本支出约 50 亿美元，折合 8 寸总产量增加 13-15 万片/月，同比 增加大约 20%左右，另外 12 寸产能在 2022 年扩产将远超今年 1 万余片/月增量。长期看，公司在北京、深圳、上 海临港三地合计投资约 185 亿美元，其中北京项目首期投资 76 亿美元，深圳项目 23.5 亿美元，上海临港项目投资 88.7 亿美元。三座 12 寸新产线总设计产能为 24 万片/月，新增产能大约是现有 12 寸存量产能的两倍，其中北京新 厂 10 万片、上海临港 10 万片、深圳 4 万片，中芯京城有望 2022 年达产，深圳新项目有望在 2022 下半年进入量产， 上海临港项目在 2022 年初开工建设。

2、主流代工厂产能利用率维持满载，展望 2022 年产能结构性紧张

高景气行情下，2021 年全球成熟制程代工厂产能利用率保持满载。通过统计联电、中芯国际、华虹、世界先进四家 成熟制程代工厂产能利用率，18H2-20H1，受到行业景气度下滑影响，代工厂产能利用率出现下行后维持低位，自 20H2 以来，由于行业高景气度，产品供不应求，代工厂产能利用率基本保持逐季提升态势，而自 21Q2 以来，中芯 国际、联电、华虹、世界先进产能利用率都达到满载状态，虽然 21Q4 有所下滑，但考虑到季节性因素和年度检修 等因素，行业高景气度仍在持续。展望 2022 年，产能紧张将有所缓解，但代工厂产能利用率预计仍维持高位：根据 Gartner 预计，全球 12 寸产能预计在 2022 下半年迎来供需平衡，SMIC 在 21Q4 法说会表示，全球晶圆产能紧张情 况已经由全线紧张转为结构性紧张；根据华虹 21Q4 法说会，2022 年 8 寸产线预计保持满载，12 寸产线努力维持满 载状态，根据 SMIC 21Q4 法说会，2022 年将有针对性的扩产紧缺产能，整体产能利用率有望维持高位。

SMIC 产能利用率高于行业平均，2021 年维持满载状态。根据 Gartner 公布的全球晶圆厂平均产能利用率来对比， 中芯国际历史产能利用率高于平均水平，反映其在全球晶圆厂较强竞争力。进入 2021 年来，受益于代工整体高景气 行情，中芯国际产能利用率在 21Q2 达到满载，21Q3 维持满载状态，21Q4 接近满载。

3、2021 年主流代工厂 ASP 逐季提升，2022 年涨价态势不减

高景气下全球代工厂 ASP 基本逐季上升，展望 2022 年有望持续涨价。2019-2020 年，成熟制程代工厂整体折合 8 寸 ASP 保持平稳，进入 2021 年以来，由于产能紧张，代工厂涨价幅度明显，21Q4 SMIC/UMC/华虹/世界先进单片 晶圆 ASP 同比涨幅分别为 43%/18%/18%/9%，2021 全年均保持逐季涨价态势。展望 2022 年，TSMC 对全线产品 涨价，UMC 预计 22Q1 环比涨 5%，SMIC 预计产品仍存结构性产能紧张，2022 年 ASP 保持上升态势。

SMIC 晶圆 ASP 具备竞争力，季度 ASP 持续环比上升。受益于行业高景气，代工厂 ASP 均整体上升，由于 SMIC 产品结构相对高端，14/28nm 营收占比在 21Q4 达 18.6%，因此 ASP 在成熟制程代工厂中具有一定竞争力，高于世 界先进、华虹等竞争对手。自 20Q4 起，SMIC 产品 ASP 保持逐季上升，折合 8 寸 21Q4 达 820.6 美元，环比+6%。 根据公司 21Q4 法说会，公司预计 2022 年产品 ASP 仍将提升。（报告来源：未来智库）

三、中芯国际成熟制程持续加码，特色工艺覆盖主要应用领域

1、中芯国际成熟制程全球领先，未来持续加码扩产

中芯国际目前制程覆盖 0.35um~14nm，下游覆盖从智能手机、智慧家居、智能卡、内存、射频、IoT 等多领域，建 立了 14nm FinFET 技术、28nm PolySiON 和 HKMG 技术、40/45nm 标准逻辑制程低漏电技术、55/65nm 低漏电和 超低功耗技术等主要研发平台，14nm FinFET 技术为目前中国大陆最先进制程水平。

在成熟逻辑工艺领域，中芯国际是中国大陆第一家提供 0.18/0.15um、0.13/0.11um、90nm、65/55nm、45/40nm 和 28nm 技术节点的代工厂。公司 28nm 包含传统多晶硅和后栅极的高介电常数金属栅极制程，45/40nm、 65/55nm 和 90nm 实现高性能和低功耗的融合，0.13/0.11um 和 0.18/0.15um 实现全铜和全铝制程，产品覆盖处理 器、移动基带、 WiFi 、数字电视、机顶盒、智能卡、消费性产品等领域，在 28/40/45/55/65nm 和 0.11/0.13/0.15/0.18um 制程处于国际领先水平，在 90nm 和 0.25/0.35um 制程处于国内领先水平。

全球成熟制程潜在市场容量仍然巨大，中芯国际在成熟制程市场处于领先地位。成熟制程发展数十年，已得到充分 客户验证，下游如汽车、工业、通讯等更需要产品稳定及可靠性的领域偏好成熟制程产品，如 MCU 制造工艺主要停 留在 90nm 及以上，意法半导体最先进的 MCU 也只用到 40nm，电源管理 IC 中的 BCD 工艺制程主要集中在 90nm 及以上等等。2021 年以来的设备智能化趋势同样带动成熟制程需求，高、低压集成电路，嵌入式存储器件、射频混 合信号电路等成熟制程芯片在智能设备中的占比也更高。随着芯片特征尺寸微缩速度持续放缓，先进制程开发成本越来越高，各种半导体制程产能市占率逐渐趋于均 衡。根据 Counterpoint 数据，预计 2021 年全球成熟制程晶圆厂中，按产能划分，中芯国际以 11%的份额排名第三， 仅此与台积电和联电，具备较强竞争力。

本轮缺货涨价潮带来中芯国际成熟制程发展契机。中芯国际成熟制程发展多年，根据 Counterpoint 数据，2021 年全 球代工厂成熟制程产能中，中芯国际占比 11%，仅次于 TSMC 和 UMC。进入 2021 年来，全球半导体迎来缺货涨价 潮，产能为王情况下中芯国际充分受益。根据 ECIA 数据，进入 2021 年来，半导体各器件受限于产能不足交期普遍 延长，在产能紧缺情况下代工厂纷纷调涨价格，联电、力积电、世界先进等均陆续调价，平均涨幅高达 20~30%， 台积电在 2021 年开始首次取消对大客户的接单折扣，同时决定对 2022 年成熟制程价格调涨 15~20%。台积电总裁 魏哲家在 21Q1 法说会上表示，成熟制程产能短缺情况将持续至 2023 年，台积电的南京 28nm 产能将在 2022 下半 年扩产完成，日本 28/22nm 产线在 2022 年才开工，短期内台积电成熟制程扩张无法满足产能缺口，中芯国际成熟制程迎来加速发展机遇。

成熟制程持续加码，未来 2-3 年内中芯国际成熟制程有望大幅扩产。中芯国际 2021 年成熟制程 8 寸产能增加超 4.5 万片/月，12 寸产能增加 1 万片/月，2022 年预计总折合 8 寸产量增加 13-15 万片/月，并且扩充的产能均为成熟制程。 中芯国际目前在北京、上海临港、深圳建设的三条 12 寸新产线均面向 28nm 及以上成熟制程，总设计产能达 24 万 片/月，中芯京城、中芯深圳 12 寸产线预计在 2022 下半年实现投产，上海临港产线在 2022 年初开始动工，有望在 2024 年左右实现投产。

2、中芯国际特色工艺具备较强竞争力，覆盖下游主要应用领域

中芯国际代工覆盖下游主要大赛道，产品工艺具备较强竞争力。中芯国际特色工艺覆盖电源/模拟芯片、DDIC、 IGBT、存储、射频等，制程覆盖 0.35um~24nm，下游领域涵盖手机、快充等消费电子，白电、工业变频、轨交等 工业领域，电动汽车、智能电网等新能源领域和无线通讯、IoT 等通信领域。中芯国际在高压 DDIC、电源管理 IC 领域实力尤其强劲，达到国际领先水平；在 CIS、特殊存储等领域收入增长较快，21Q1 摄像头、特殊存储和电源管 理芯片合并营收环比增长 20%，21Q2 及 2021 下半年均维持高增长态势。

2.1、高压 DDIC 国际领先，深圳产线扩产贡献长期动力

显示驱动 IC 是 OLED 屏幕中核心元器件，涨价及新兴需求带来全球 OLED DDIC 增量市场。显示驱动 IC（Display Driver Integrated Circuit）简称 DDIC，OLED DDIC 通过电信号驱动显示面板，传递视频数据，配合 OLED 显示屏 实现轻薄、弹性和可折叠功能，并提供广色域和高保真的显示信号。显示驱动 IC 也能降低 OLED 屏幕功耗，从而实 现更高续航。AMOLED 显示技术凭借其在功耗、柔性、显示效果等方面的优势，逐渐实现了向新兴电子应用领域的 渗透，其市场份额逐步提升。根据 CINNO Research 数据，2020 年全球 OLED 驱动 IC 市场规模为 55 亿元，其中 国内 AMOLED DDIC 市场规模为 22 亿元。一方面可穿戴设备等增量拉动市场规模增长，另一方面显示驱动 IC 供不 应求情况下涨价明显，预计 2021 年全球显示驱动 IC 市场规模将达 80 亿元。

中芯国际高压驱动 DDIC 代工技术积累深厚，与国内显示驱动 IC 厂家合作多年。当显示器的解析度、亮度与反应速 度逐步提高时，DDIC 需要向高频及高压方向发展才能符合高速扫描和快速驱动的结果，因此高效率的驱动芯片和驱 动技术顺应市场趋势得到快速发展。高压 DDIC 结合高压+模拟制程，需要很深厚的技术积累，代工进入门槛较高， 符合条件代工厂较少，中芯国际目前布局面板驱动、in-cell 面板和 AMOLED 面板等，高压工艺平台为大中小不同尺 寸的面板 IC 提供 SRAM 单元。中芯国际此前和新相微及深圳吉迪思电子等厂商战略合作，新相微产品成功导入国 内 G5、G6、G8 面板产线产业链，各种 IC 出货量达 2000 万颗/月以上，深圳吉迪思专注于下一代显示主控芯片开 发，在 2018 年 9 月联手中芯国际正式量产 40nm QHD AMOLED 智能手机面板驱动芯片，为国内首家量产柔性 AMOLED 显示主控芯片的厂商。

国内下游 AMOLED 厂家积极扩产，中芯国际高压驱动 IC 营收在 21H1 实现高增长，并加速进行制程升级和产线转 移。AMOLED 长期为韩国和中国台湾厂商垄断，但中国大陆厂商也在积极进入 AMOLED 市场，加速追赶。京东方 和 TCL 华星分别投资数百亿元建设 AMOLED 器件，面向智能手机/平板/车载显示器等下游应用，和辉光电于 2021 年 5 月在科创板上市，募资 80 亿元建设两条 AMOLED 显示屏产线。在下游 OLED 行业加速扩产条件下，中芯国际 0.15um、55nm 和 40nm 的高压 DDIC 快速成长，21Q1 实现营收翻倍，21Q2 营收环比增加 56%。与此同时，中芯 国际高压驱动 IC 在 8 寸到 12 寸产线转移方面稳步推进，中芯深圳 12 寸产线扩产主要规划用于 55nm 高压大屏驱 动、0.15um 电源驱动和 40/28nm 高压大屏驱动 IC 的生产，规划月产能 4 万片，为中芯国际高压驱动 IC 后续发展 注入长期动力。

2.2、PMIC 技术全球领先，90nm BCD 工艺通过客户验证

BCD 集成三种器件性能，可改善芯片性能与功耗。BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是一种单片集成工艺技术， 能够在模拟芯片等单芯片上制作 Bipolar（双极器件）、CMOS（互补金属氧化物半导体）和 DMOS（双扩散金属氧 化物半导体）器件，结合了 Bipolar 高跨导、强负载驱动能力和 CMOS 集成度高、低功耗的特点，同时 DMOS 可以 在开关模式下工作，功耗极低。BCD 工艺可大幅降低功率耗损，提高系统性能，节省电路封装费用，并具有更好的 可靠性，目前成为光芯片（Photonic Integrated Circuit，PIC）的主流制造工艺。

意法半导体最早开发 BCD 平台，目前为全球 BCD 工艺领头羊。BCD 最早由意法半导体于 1985 年正式推出，至今 经历了九次技术迭代，产出 500 万片晶圆，售出 400 亿颗芯片，仅 2020 年就售出近 30 亿颗芯片，第十代 BCD 技 术即将投产。目前意法半导体主流 BCD 工艺有三种：BCD6（0.35um）/BCD6s（0.32um）、BCD8（0.18um） /BCD8s（0.16um）和 BCD9（0.13um）/BCD9s（0.11um），第十代 BCD 将采用 90nm 工艺。此外，意法半导体 的 BCD6 和 BCD8 还提供 SOI（绝缘体上硅）衬底选项，使得 BCD 能够适合电子医疗、汽车安全及音频相关等高 价值应用，输出电压高达 800V。

中芯国际电源管理 PMIC 技术国际领先，90nm BCD 工艺平台持续研发。中芯国际 PMIC 主要由 8 寸产线代工， PMIC 技术基于低功耗逻辑平台，包括双极晶体管、高压 LDMOS 晶体管、精密模拟无源器件等，同时配有具有良好 导通电阻的功率器件。国内 BCD 工艺领先企业包括中芯国际、华虹、士兰微等，其中华虹 90nm BCD 平台已经量 产，中芯国际 PMIC 主要采用 BCD 工艺，制程主要为 0.18um 和 0.15um，其 90nm BCD 平台第一阶段中低压器件 的性能开发和可靠性验证已完成，进入首批客户进行产品设计并准备进入小批量试产，将用于智能化电源管理高端 领域、音频放大器、智能电机驱动等。

2.3、eNVM 技术广泛用于智能 IC 及 MCU 市场，中芯国际嵌入式存储结合低功耗技术

eNVM（嵌入式存储器）和 SiP（系统级封装）是 MCU 存储模块的两种方案，除了成本较高外，在功耗、启动时间、 速度、安全性等方面 eNVM 均具有较大优势，世界上领先的 MCU 厂商如意法半导体等主要使用 eNVM 方案。 eNVM 包括 eflash、eMRAM、eRRAM 等，其中 eflash 覆盖面最广，适合高擦写次数产品如智能卡、SIM 卡及 MCU 等。

中芯国际特殊存储面向中低容量，嵌入式存储为低功耗提供支持。中芯国际传统特殊存储包括 90/65nm 的 NOR 和 38/24nm 的 NAND，主要面向中低容量，采用特殊工艺。嵌入式存储方面，中芯国际实现 eNVM 工艺全覆盖，推出 了 95nm 超低功耗技术平台 95ULP，在 8 寸工艺平台上提供行业内最高密度最小面积的 SRAM，在 12 寸平台上提 供 55nm 超低功耗技术，进一步降低产品电压、优化工艺器件和 IP 设计，从而降低产品动态和静态功耗，延长系统 待机时间和使用效率。公司的 0.13um 和 55nm 低漏电嵌入式内存（embedded Flash）整合内置存储器，采用公司 55nm 低功耗技术的智能卡芯片已经进入稳定量产。

2.4、中芯国际参股中芯宁波和中芯绍兴，实现射频前端和功率器件工艺突破

射频前端芯片是移动智能终端产品的核心组成部分，低功耗、高性能、低成本是其技术升级的主要驱动力。射频前 端芯片技术升级主要依靠新设计、新工艺和新材料的结合，以实现低成本和高集成度，高性能、超紧凑射频前端微 系统组件，对于 5G 无线终端的成功至关重要。

中芯宁波拥有射频前端自主知识产权，为客户提供 E2E、可定制、全套本土化射频模组解决方案。中芯宁波由中芯 国际、国家集成电路产业基金、北仑产投基金等共同设立，在 2016 年完成对宁波日银 IMP 所有产品、工艺知识产 权及设备的收购，在 2018 年 11 月完成 N1（8 寸）产线建设，同时 N2 产线开始动工。中芯宁波 RF SOI 技术平台 转移自中芯国际，0.13um 平台依托于上海 8 寸产线生产，55nm 平台依托于北京 12 寸产线，主要面向移动通信 4G/5G 中。

中芯宁波自主工艺平台射频前端自主工艺平台支持 BAW 量产，打破国外垄断。中芯宁波于 2019 年启动核心产品线 SASFR（SuspendedAcoustic Separated Film Resonator，也称“悬浮声学隔离薄膜谐振器”）工艺平台研发， SASFR 是中芯宁波自主开发并拥有全套自主知识产权的一种悬臂式薄膜体声波谐振器工艺与器件技术，此前中高端 体声滤波器长期被国外厂商垄断，而中芯宁波此次在薄膜工艺构架和谐振器件设计上实现了真正意义上的自主创新 突破，其谐振器关键性能指标可与国际竞品比肩，个别性能甚至高于国际水平。SASFR 具有低插损、高隔离度、微 型化、高功率、体积小等优点，基本覆盖了 5G 通信所有领域，如手机、无线通信基站、智能电表，以及智能家电 信息交互等应用场景。2021 年 11 月，中芯宁波披露 SASFR 平台已支持多家设计公司实现射频前端中高频体声滤 波器（BAW）量产，并可向高端手机厂商供货。

功率器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是进行电能功率处理的核心器件，是弱电控制与强电运行间的 桥梁。功率器件主要包括 MOSFET 和 IGBT，MOSFET 份额较大，由于新能源等应用的兴起，IGBT 份额不断扩大。

绍兴中芯集成为中芯国际子公司，布局微机电及功率器件领域，与中芯国际协同发展。中芯国际早在十几年前就布 局 MOSFET，早在 2015 年建立。2018 年中芯国际和绍兴国资委等资本共同成立绍兴中芯集成，面向 MEMS、 MOSFET 和场截止（Field-Stop）IGBT 领域，致力于打造综合性特色工艺基地。中芯集成拥有沟槽式、分栅式、超 级结 MOSFET，在 MOSFET 领域拥有先进的背面工艺和特殊金属沉积工艺，应用于消费电子、工业控制和电动汽 车等行业；中芯集成 IGBT 自主研发场截止型（Field Stop）结构，采用背面减薄、离子注入、激光退火及特殊金属 沉积工艺等背面加工工艺，其 600~1200V 等器件实现大规模量产，主要面向工业变频、白色家电、轨道交通、电动 汽车、智能电网、风力发电和太阳能等行业，同时提供快恢复二极管代工服务。

四、中芯国际先进制程持续追赶，先进封装助力发展

1、中芯国际先进制程在中国大陆领先，逐步追赶全球领先技术

FinFET 是提高半导体制程的关键。FET 指场效电晶体，MOSFET 为常见 FET 的一种，通过金属导线将 MOSFET 的源极、汲极和闸极连接从而可以实现电路导通与运算等。在 MOSFET 中，闸极长度（Gate length）直接决定晶 体管尺寸，从 0.18um 不断进步到 10nm。在闸极长度进步到 20nm 以下时，闸极下方氧化物越来越薄，晶体管产生 “漏电（Leakage）”现象，同时闸极和通道接触面积减小影响工作效率。FinFET（鳍式场效电晶体）最早由美国胡 正明教授研发，通过将 2D 构造的 MOSFT 改造成 3D 的 FinFET，增大闸极与通道的接触面积，实现更好控制电流， 同时降低漏电和动态功率耗损，目前 FinFET 技术是制程缩小至 10nm 及以下的关键。

FinFET 由英特尔推出，台积电目前在 FinFET 技术上为领先者。2009 年，英特尔在英特尔开发者大会上推出 22nm FinFET 晶圆，第一款 FinFET 芯片于 2011 年 5 月正式发布，后又推出 14nm FinFET，但由于来自三星和台 积电等外部竞争者及技术路线方面等原因，英特尔 FinFET 技术后来被台积电反超。台积电在掌握 20nm 双重成像技 术之后，于 2013 年在 16nm 制程上成功试产 FinFET，2017 年推出 12nm 精简型制程技术，将晶圆密度提升至 16nm 世代的机制，相较 20nm 单晶圆制程，16/12nm 制程速度加快 50%，相同速度下功耗降低 60%。2017 年， 台积电 10nm FinFET 量产，较 16nm 的逻辑密度提高 2 倍，速度加快 15%，功耗降低 35%。2017 年 4 月，台积电 试产 7nm 技术，7nm 相较 10nm 逻辑密度提高 1.6 倍，速度增快约 20%，功耗降低约 40%。20Q2，台积电成功量 产 5nm FinFET 技术，N5 较 N7 速度加快约 20%，另外，台积电 N4 技术预计在 2022 年开始量产。截至 21Q4，台 积电 FinFET 营收占比已达 63%。

中芯国际 14nm FinFET 技术代表国内代工领先水平。2019 年 4 月，中芯国际 14nm FinFET 进入量产，目前产品 良率达到业界标准，第二代 FinFET 技术相较第一代，单位面积晶体管密度大幅提高，截至 2020 年，第二代技术已 经完成低电压工艺开发，可提供 0.33V/0.35V 低电压需求。公司 14nm FinFET 产能在 21Q4 达到 1.5 万片/月，十几 个 NTO（new type-out，新下线项目）在试产，21Q4 14nm FinFET 及 28nm 营收合计占比达 18.6%，环比增加 0.4ppt，产能利用率持续提高，NTO 整体情况乐观。公司于 21Q4 法说会预计，由于公司目前 FinFET 体量较小， 并且受到实体清单影响扩产力度有限，所以未来有望保持满载状态。

中芯国际与 ASML 签下 12 亿美元光刻机大单，为先进制程发展提供保障。目前中芯国际受限于相关规定还不能向 ASMLI 购买 EUV 光刻机，只能购买 DUV 光刻机。2021 年 3 月 3 日，中芯国际发布公告，披露中芯国际已于 2020 年 3 月 16 日至 2021 年 3 月 2 日的 12 个月器件就购买用于生产晶圆的 ASML 产品与 ASML 签订购买单，总价值略 超 12 亿美元。

中芯国际 FinFET 技术长期发展向好。随着制程进步，FinFET 支出将越来越多，中芯国际在 19Q4 业绩说明会上表 示，FinFET 每 1000 片投资大约在 1.5 亿美元（EUV 方案）至 2.5 亿美元（非 EUV 方案）间，英特尔表示，使用金 属钴的 7nm（非 EUV 方案）每 1000 片投资大约在 2.8 亿美元。根据 IC Insights 数据，2019 年全球前五大资本支 出企业支出占比提升到大约为 68%，这意味着每一代或每几代制程进步后，逐渐有企业落伍。目前全球拥有 14nm 及以下 FinFET 技术的代工厂仅有 4 家，而拥有实际收入的仅有 3 家， 中国大陆仅剩中芯国际一家还在追赶。中芯国际目前 SN1（即中芯南方上海 FinFET 工厂一期）为 14nm 制程主要 承载主体，尽管目前 SMIC 先进制程发展受制于美国实体清单等因素影响，但中芯南方在资本投入方面拥有长期规 划，并且在人才与技术上相较其他中国大陆厂家具有一定优势，拥有丰富的客户资源和应用平台，长期发展向好。

2、先进封装助力超越摩尔定律，中芯国际持续布局先进封装

摩尔定律引领 IC 行业发展 50 年，超越摩尔定律有望带来下一代成长动能。摩尔定律（Moore’s Law）由英特尔共 同创始人 Gordon Moore 于 1975 年提出，预测每两年晶体管数量翻倍，即电脑运算速度翻倍，同样运算速度的晶圆 会缩小一半规格。但随着先进制程开发成本越来越高，代工大厂除了进行尺寸微缩方面的努力，台积电、Intel 等也 在布局系统整合端/封装端的创新。超越摩尔定律指的是在万物互联时代，各种不同类型的 sensor 及 IoT 装置蓬勃发 展，根据 ITRS，半导体产业发展包括两部分，一种是摩尔定律主导的制程线宽微缩，一种是超越摩尔定律主导的整 合不同类型的晶圆以及 sensor 的发展。Gordon Moore 在论文中写道，“多单元能够帮助我们克服十字线尺寸限制和 缺陷密度挑战，2D、2.5D 和 3D 堆叠和封装可提高片上封装系统的有效晶体管密度。”

封装经过 5 个阶段的发展，目前进入到先进封装时代。第一个阶段自 20 世纪 50 年代的零级芯片封装，后又分别于 60 年代和 70 年代进入一级和二级封装；第二个阶段为通孔插装时代，最大安装密度为 10 引脚/cm²；第三个阶段是 20 世纪 80 年代的表面封装器件时代，代表是小外形封装（SOP）和四边引脚扁平封装（QFP），大大提高引脚数和 组装密度，最大引脚数达到 300，安装密度达到 10-50 引脚/cm²；第四个阶段为 20 世纪 90 年代的焊球阵列封装 （BGA）和芯片尺寸封装（CSP）时代，封装类型主要有 BGA、CSP、圆片级芯片尺寸封装（WLCSP）和系统级 封装（SiP）等类型；第五个阶段为 20 世纪 90 年代末期开发的三维叠层封装（3D）时代，3D 封装不改变封装体安 装面积，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片，意味着“通过封装来实现超越摩尔定律”。

先进封装占比不断提高，主要代工大厂积极布局。根据 Yole 预测，全球先进封装市场份额不断提升，先进封装市场 占比每年也在缓慢提升。2019 年全球先进封装市场规模约 290 亿美元，折合人民币 1950 亿元，在 2019~2025 年 间 CAGR 预计为 6.6%，在 2025 年市场规模将达 420 亿美元（约 2824 亿人民币），先进封装市场占比将从 2014 年 的 39.8%提升至 2024 年的 49.4%。越来越多的大厂选择布局先进封装，如台积电在 ISSCC 2021 的演讲中表示， 台积电发展许多先进封装制程，如 CoWoS、InFo 和 SoIC 等，持续提升晶圆对外频宽和 I/O 引脚数量，进而提升在 系统尺度的电晶体管数量。英特尔在 2020 年技术创新年会上公布了其封装路线图，未来的 Bump density（接脚密 度）将变为目前 10 倍左右 。

Chiplet 新型封装技术国内外差距不大，中芯国际在 Chiplet 方面有望获得更多机会。Chiplet（小芯片技术）是不同 于 2.5D/3.5D 封装和 Fan-out 封装技术的另一种先进封装技术，将满足特定功能的 die（模块芯片）通过 die-to-die 内部互联技术与底层基础芯片封装在一起，构成多功能异构 System in Package（SiPs）芯片的模式。SoC 芯片将 系统所需的存储器、处理器、模拟电路模块、数模混合信号等高度集成在一颗芯片中，Chiplet 模式的异构功能应用在 SoC 中可能成为延续摩尔定律的另一种方式。目前国外 AMD、Intel 等厂商积极布局 Chiplet，由于 Chiplet 刚刚 起步，国内厂商在此技术上与国外差距不大，长电科技布局的多维扇出集成技术 XDFOI(X-Dimensional Fan-out Integration)是一种以 2.5D TSV-less 为基本技术平台的封装技术，能够提供 Chiplet 及异构封装的系统封装解决方案； 通富超威与 AMD 在 Chiplet 等领域已展开深度合作，2021 上半年通富超威苏州完成 AMD 6 个新产品的导入，支持 5nm 产品导入工作；中芯国际一直致力于扇出型封装等晶圆级尺寸先进封装工艺的研发，未来有望借助本土封装技 术，在先进封装领域实现更大发展。

五、投资分析

盈利预测

1）产能：公司 21Q4 产能爬坡至折合 8 寸 62.1 万片/月，2021 年总资本支出为 45 亿美元，指引 2022 年资本支出 达 50 亿美元，我们预计 2022/2023 年 8 寸产能相对稳定，12 寸产能预计将有较大提升。①8 寸：截至 21Q4，中芯 国际 8 寸产能大约 30 万片/月，2021 年共扩产超过 4.5 万片/月，考虑到 8 寸设备供应紧张，并且在 2023 年及之后 行业景气度有下滑可能，因此 8 寸产能预计未来保持相对稳定；②12 寸：截至 21Q4，中芯国际共有 12 寸产能大约 12-14 万片/月，2021 全年扩产超 1 万片/月，公司指引 2022 年折合 8 寸总产量增加 13-15 万片/月，考虑到中芯京 城和中芯深圳在 2022 下半年投产，设计产能分别为 10 万片/月和 4 万片/月，因此预计产能增量将主要用于 12 寸。 长期来看，中芯京城和中芯深圳未来产能爬坡，上海临港已于 2022 年初动工，预计 2024 年左右达产，设计产能大 约 10 万片/月，因此预计未来中芯国际 12 寸产能有望增长较多。

2）产能利用率：在高景气行情下，公司 2021 年全年整体产能利用率达到满载，21Q4 产能利用率达 99.4%，环比 略有下滑。展望 2022 年，公司对产能最紧张的制程节点进行有针对性的扩产，因此预计整体产能利用率保持高位。 考虑到 2023 年晶圆代工产能逐步开出，同时下游需求逐渐满足，行业景气度有下滑可能性，因此我们假设中芯国际 2023 年产能利用率同比 2022 年小幅下滑。

3）产品单价：受益于晶圆涨价及新品导入，公司 ASP 在 2021 年以来逐季上升，在 21Q4 达 821 美元（折合 8 寸），环比+6%，2022 年随着产品结构持续改善，并且公司预计下游产能仍结构性紧缺，因此预计带来 ASP 同比 上升，2023 年，考虑到代工厂产能逐步开出，行业景气度有下滑风险，但产品结构不断改善，14/28nm 等高价值量 产品占比逐步增多，因此预计 ASP 小幅提升，但增速远低于 2021/2022 年水平。 综合来看，中芯国际作为中国大陆代工营收体量最大的企业，未来在国产替代行情下，12 寸厂产能稳步爬坡，产品 结构不断改善，预计公司未来将迎来量价齐升，我们预测 2021/2022/2023 年公司营收分别为 54.4/69.1/79.2 亿美元。

4）毛利率：公司毛利率主要受行业景气度、产品结构以及折旧摊销等影响，2021 年在产能紧张情况下，公司产品 涨价同时产品结构调整，公司毛利率大约 31%，同比大幅提升；2022 年，由于行业产能结构性紧张，但公司预计将 针对性进行扩产，因此预计产品结构将持续调整，考虑到 2021 年公司折旧大约 19 亿美元，公司指引 2022 年折旧 超 20 亿美金，折旧较为平稳，我们预计 2022 年公司实现毛利率约 34.5%；2023 年，考虑到折旧以及行业景气度 存在下滑风险，预计毛利率小幅下滑至 32%左右。

5）非经常性损益：公司非经常性损益主要包括出售资产收益、政府资金、处置子公司及减持联营公司产生的收益、 公允价值变动损益等，其中政府资金和处置子公司及减持联营公司产生的收益占比较大。2021 年政府资金收入大约 4 亿美元，主要系公司经营产生的政府补助等收入，随着公司在 2022 和 2023 年积极扩产，经营活动平稳展开，预 计政府资金收入保持平稳；处置子公司及联营公司产生的收益主要系减持中芯长电股权所致，这部分收益在 2021 年 大约共 2.6 亿美金，预计 2022/2023 年归零。

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