AI服务器与半导体需求驱动高纯铝产业迎来量价齐升机遇

AI服务器功率提升拉动电容用高纯铝需求

随着人工智能服务器出货量的大幅增长以及单机功率和电压的不断提升，供电系统对电容器的配置数量和参数要求显著提高。AI服务器供电系统依赖多种含铝电容，包括一次电源端的牛角电容、二次电源端的固液混合铝电解电容、靠近芯片侧的MLPC电容以及超级电容。随着机柜功率的增长，储能系统正从传统UPS电池向超级电容加锂电混合方案演进，以满足微秒级功率瞬态响应需求。从新一代架构开始，超级电容正式从可选配件变为标配硬件，且单机配置量随电压和功率持续膨胀。固液混合铝电解电容在二次电源侧承担中频滤波稳压作用，其用量随着单柜总功率的攀升而线性放大。MLPC主要部署在芯片侧，承担高频去耦与瞬态响应，其用量与AI芯片功耗及封装密度高度相关。上述四种电容均需使用铝电极箔，随着AI机柜功率放大，铝电极箔用量将迎来高速增长，进而拉动上游高纯铝需求，有望实现量价齐升。

溅射靶材用高纯铝需求迎来三重拉动

半导体成熟制程的稳定增长和先进封装的高速增长拉动了高纯铝溅射靶材的需求。在先进封装中，凸点制备、重布线层及屏蔽层等环节广泛使用铝靶进行金属化工艺，不受制程节点限制，随着Chiplet和3D堆叠封装的快速普及，封装级铝靶需求快速增长。同时，国内高纯铝溅射靶材企业已进入国内外头部芯片厂供应链，国产化率逐步提升，进一步拉动了国产高纯铝溅射靶材的需求增速。此外，国产高纯铝靶材原料也已批量供货国内靶材企业，逐步替代进口高纯铝原料，形成了需求的三重拉动，使得国产5N5以上高纯铝市场增速可观。

公司高纯铝规模与技术具备全球领先优势

全球高纯铝年产能约25-30万吨，主要集中在国内。公司高纯铝产量居全球首位，技术水平全球领先，是目前国内唯一既掌握三层电解法又具备偏析法工艺、可批量生产5N至6N超高纯铝的厂家。随着AI电容的发展，预计未来高纯铝的产销缺口持续拉大，有望实现量价齐增。而超高纯铝溅射靶材原料的三重需求拉动则打开了高端市场的增量空间。公司作为高纯铝市场规模和技术两个维度上的龙头，将高度受益于AI电容和半导体铝靶材的快速增长。公司近期业绩拐点已获初步验证，正处于业绩反转、新产能释放与AI需求放量的三重叠加窗口期。