2026年微导纳米公司研究报告：本土ALD龙头，战略发展半导体前景广阔

本土 ALD 设备龙头，战略发展半导体业务

1、深耕 ALD/CVD 等薄膜技术，拓展半导体与泛半导体领域应用

本土 ALD 设备龙头厂商，聚焦半导体和光伏领域。微导纳米成立于2015年 12 月，2022 年 12 月于科创板上市。公司是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商。公司形成了以原子层沉积（ALD）技术为核心，化学气相沉积（CVD）等多种真空薄膜技术梯次发展的产品体系，专注于先进微米级、纳米级薄膜设备的研发、生产与销售，向下游半导体、泛半导体客户提供尖端薄膜设备、配套产品及服务。

公司目前在半导体领域内主要覆盖 ALD 和CVD 设备。公司是国内首家成功将量产型 High-k ALD 设备应用于集成电路制造前道生产线的国产设备厂商，是国内首批成功开发并进入产业链核心厂商量产线的硬掩膜CVD设备国产厂商，也是行业内率先为新型存储提供薄膜沉积技术支持的设备厂商之一。目前公司已与国内多家厂商建立了深度合作关系，相关产品涵盖了逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、新型显示（硅基OLED等）等诸多细分应用领域，多项设备关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。

在光伏领域，公司是率先将 ALD 技术规模化应用于国内光伏电池生产的企业。公司已成为行业内提供高效电池技术与设备的领军者之一，与国内头部光伏厂商形成了长期合作伙伴关系。同时，公司跟随下游厂商的量产节奏，持续优化 XBC、钙钛矿、钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术，引领光伏行业技术迭代。根据公开的市场数据统计，公司ALD产品已连续多年在营收规模、订单总量和市场占有率方面位居国内同类企业第一。

2、公司股权集中，核心团队经验丰富

公司股权集中，核心技术人员共享发展红利。截至2025 年9月30日，公司实控人为王燕清家族，王燕清先生与其妻倪亚兰女士、其子王磊先生通过西藏万海盈、无锡聚海盈、无锡德厚盈合计持有公司59.72%的股份。公司副董事长兼首席技术官LI WEI MIN先生在国际ALD技术领域享有较高声誉，负责产品和技术研发战略规划与方向决策、研发体系搭建、先进设备产品的开发和产业化，持有公司 9.29%股份。

公司核心团队技术背景突出，行业经验丰富。公司核心团队具备海内外资深履历，总经理 ZHOU REN 先生和首席技术官LI WEI MIN先生曾在海外LAM、ASM 等顶尖半导体设备厂商就职，并担任重要岗位。许所昌先生、吴兴华先生等核心技术人员均长期深耕行业，具备丰富的产业经验。

3、战略布局半导体业务，处于换挡提速关键期

光伏景气度下行&半导体布局显成效，业绩处于换挡调整期。2019-2024公司营收从 2.2 亿元增长至 27 亿元，CAGR 为65.7%。公司营收持续保持高增速，公司发展前期作为光伏领域 ALD 设备龙头，受益于光伏行业景气度好，而近期公司半导体业务布局开始放量。25Q1-Q3 公司营收17.2亿元，同比+11.5%，其中半导体营收 5.3 亿元，同比+78%，光伏及其他业务营收12 亿元，同比-4.2%，这背后主要受益于公司在半导体领域的持续布局，以及下游逻辑、存储、先进封装等领域设备国产化率的提升。2019-2024公司归母净利润从 0.55 亿元增长至 2.3 亿元，CAGR 为32.8%。2025Q1-Q3，公司归母净利润 2.5 亿元，yoy+64.8%，具体情况在下文结合毛利与期间费用分析，此处不再赘述。

半导体设备业务占比战略性提升。公司 25H1 半导体业务收入1.94亿元，占比 18%。光伏业务收入 8.04 亿元，占比 77%。但是从订单结构看，半导体业务地位正显著改变，25Q1-Q3 公司合计新签半导体业务订单14.83亿元，yoy+97%，其中大部分订单均来自于 NAND 和DRAM领域头部客户，在公司发布的 25 年股权激励计划草案中，2025/26/27 半导体业务新签订单年化增速需不低于 35%，或净利率不低于 10%，未来随着进一步加速发展，有望成为公司核心增长业务。

公司毛利率暂时承压，归母净利率有所改善。2024 年，公司实现毛利率40%，同比下降 3.7pcts；其中 2024 年公司半导体业务毛利率27.7%，同比上升0.4pcts，光伏业务毛利率 40.7%，同比下降3.1pcts。主要原因半导体业务处于早期阶段，验证成本高，毛利率承压，其收入占比提升，叠加光伏行业景气度下滑，导致整体毛利率下滑，后续有望回升。2025Q1-Q3，公司实现毛利率 32.4%，同比下降 6pcts。2025Q1-Q3 净利率14.4%，同比增长4.6pcts，主要受政府补助增加影响（25Q1-Q3 获得政府补助6267万元，同比提升 239%，占营收比例 3.6%），整体期间费用率较2024全年上升1pct，其中 25Q1-Q3 研发费用率为 11.6%，较24 年提升1.7pcts。

研发费用持续加大投入。2024 年，公司研发投入2.7 亿元，占营收比例10%；2025Q1-Q3，公司研发投入 2 亿元，同比下降2.9%，研发费用率达11.6%。公司研发费用的 60%及以上投入半导体领域，半导体领域研发重点包括逻辑、存储、先进封装、新型显示器、化合物半导体等项目；光伏领域研发重点包括 TOPCon、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。截至 2025H1，公司研发人员共有 349 名，占公司员工总数的28.1%。

半导体业务：国内 ALD 龙头，CVD持续突破

1、薄膜沉积：近百亿美元大市场，24 年国产化约18%

薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能，市场空间广阔。薄膜沉积为半导体晶圆制造中的核心设备，约占整体晶圆制造设备价值量的 22%，根据SEMI 数据，2025年全球薄膜沉积设备市场规模预计 244 亿美元，中国薄膜沉积设备市场规模预计84亿美元，约占全球的 34%。

ALD+CVD 占据薄膜沉积大多市场份额。据Gartner，在2020年全球各类薄膜沉积设备市场份额中，PECVD 是薄膜设备中占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的 33%，管式 CVD、非管式LPCVD等份额合计约20%多，ALD 设备占比约为 11%。

全球薄膜沉积设备市场主要由美国的应用材料（AMAT）、泛林半导体（LAM）、日本的东京电子（TEL）、荷兰的先晶半导体（ASMI）等海外企业所垄断。据 Gartner 数据，2020 年全球薄膜沉积设备市场，AMAT 市占率高达43%，其次为 LAM 市占率为 19%，TEL 居第三市占率为11%，剩余厂商合计占有27%的市占率。分单项产品看 2020 年全球主要厂商市占率：

1）等离子体 CVD：AMAT 和 LAM 分别占据49%、34%的市场。

2）ALD：ASMI 以 46%的市占率居领先地位，此外，TEL、LAM、WonikIPS、AMAT 分别占据 29%、10%、7%、3%的市场份额。

3）溅射 PVD：AMAT 以 86%的市占率居垄断地位，北方华创以3%的市占率跻身 PVD 全球主要供应商之列。

4）管式 CVD：AMAT、TEL 垄断该市场，份额分别为51%、46%，ASMI份额为 3%。

5）LPCVD：LAM、TEL、AMAT 份额分别为40%、36%、19%。

目前薄膜沉积设备国产化率依然较低。薄膜沉积设备市场主要国内玩家有北方华创、拓荆科技和微导纳米。2024 年北方华创相关收入超过100亿元，拓荆科技相关收入 38.63 亿元，微导纳米相关收入3.27 亿元，三家合计至少约 142 亿元，占国内薄膜沉积设备市场份额约18%，国产化率依然较低。

2、ALD：技术优势明显，先进领域用量显著提升

薄膜沉积设备按照工艺原理的不同可分为PVD、CVD和ALD设备。PVD为物理过程，CVD 为化学过程，两种具有显著的区别。ALD也是采用化学反应方式进行沉积，但反应原理和工艺方式与CVD 存在显著区别，在CVD工艺过程中，化学蒸气不断地通入真空室内，而在ALD工艺过程中，不同的反应物（前驱体）是以气体脉冲的形式交替送入反应室中的，使得在基底表面以单个原子层为单位一层一层地实现镀膜。相比于ALD技术，PVD技术生长机理简单，沉积速率高，但一般只适用于平面的膜层制备；CVD技术的重复性和台阶覆盖性比 PVD 略好，但是工艺过程中影响因素较多，成膜的均匀性较差，并且难以精确控制薄膜厚度。

ALD 技术是一种特殊的真空薄膜沉积方法，具有较高的技术壁垒。通过ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面，每镀膜一次/层为一个原子层，根据原子特性，镀膜10 次/层约为1nm。

ALD 的自限性使其在多领域优势明显。由于ALD 技术表面化学反应具有自限性（在前驱体已经与所有可用的位点反应之后，反应停止），因此拥有多项独特的薄膜沉积特性：1、三维共形性，广泛适用于不同形状的基底；2、大面积成膜的均匀性，且致密、无针孔；3、可实现亚纳米级的薄膜厚度控制。基于上述特性，ALD 技术广泛适用于不同场景下的薄膜沉积，在光伏、半导体、柔性电子等新型显示、MEMS、催化及光学器件等诸多高精尖领域均拥有良好的产业化前景。据 GMI 数据，2024 年全球ALD设备市场规模约为 43 亿美元，并且有望在 2034 增长至117 亿美元，2025-2034CAGR为10.6%。

ALD 技术可以细分为三种子技术： 1）T-ALD（Thermal ALD 热原子层沉积）：利用热能使反应物分子吸附在基底表面，然后进行反应，生成一层薄膜。TALD 适用于制备金属、金属氧化物、硅等薄膜，具有较高的薄膜厚度控制能力和制备速度，但温度较高，可能导致一些材料失效或化学反应不完全。 2）PE-ALD（Plasma-Enhanced ALD 等离子体增强原子层沉积）：利用等离子体增强反应活性，提高反应速率和薄膜生长速度。PEALD 适用于制备硅、硅氮化物等薄膜，具有较高的反应速率和可控性，但需要更复杂的设备和更高的功率，成本较高。 3）S-ALD（Spatial ALD 原子层沉积增强溶液）：利用不同的反应室分离反应和减小反应室体积，从而提高反应物质量和薄膜生长速率。SALD适用于制备金属、硅、二氧化硅等材料，具有较高的制备速率和可控性，但需要更复杂的设备和更高的成本。

编辑：火腿肠