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  • SiC产业深度报告:价格迎来甜蜜点,SiC应用驶入快车道.pdf

    • 4积分
    • 2021/11/01
    • 1285
    • 79
    • 国盛证券

    技术进步,产品迭代结构持续优化。自Wolfpseed在2011年推出业内首款SiCMOSFET以来,过去十年受限于SiC电力电子器件价格、晶圆质量、工艺技术等限制,始终没有被下游大规模广泛使用。当前在技术层面,SiC衬底位错密度下降,SiC功率晶体设计不断迭代,产品性能,可靠性持续提升;主流晶圆尺寸由4英寸向6英寸过渡,领先厂商已经在大力扩产8英寸,主流产品从SiC二极管转变为SiCMOSFET。

    标签: SiC 电子器件 汽车电子 功率器件 半导体 第三代半导体
  • 电子行业专题报告:电动化+智能化趋势下,车用半导体需求大增.pdf

    • 3积分
    • 2021/10/18
    • 282
    • 10
    • 国盛证券

    电动汽车逐步放量,推动车用半导体市场加速成长。汽车产业正经历类似手机产业从功能机向智能机时代的迭代,汽车作为单纯移动工具的属性逐步向作为移动智能终端的第二空间转变。面对极度复杂及恶劣的行车环境,智能汽车需要感知、决策和执行层三个维度全方位的技术进步,不仅需要传感器、芯片等电子设备数量和性能的大幅提升,更需要底层电子电气架构的全面优化,与之对应的电子设备功耗呈几何级别增加。

    标签: 新能源汽车 智能化 半导体
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