半导体行业专题报告：刻蚀工艺双子星，大马士革&极高深宽比.pdf

上传者：小龙人
时间：2023/05/12
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半导体行业专题报告：刻蚀工艺双子星，大马士革&极高深宽比。刻蚀概览：刻蚀是半导体器件制造中选择性地移除沉积层特定部分的工艺。在半导体器件的整个制造过程中，刻蚀步骤多达上百个，是半导体制造中最常用的工艺之一。

刻蚀工艺可分为干法刻蚀和湿法刻蚀。目前应用主要以干法刻蚀为主，市场占比90%以上。湿法刻蚀在小尺寸及复杂结构应用中具有局限性，目前主要用于干法刻蚀后残留物的清洗。

根据作用原理，干法刻蚀可分为物理刻蚀（离子铣刻蚀）和化学刻蚀（等离子刻蚀）。

根据被刻蚀的材料类型，干法刻蚀则可分为金属刻蚀、介质刻蚀与硅刻蚀，介质刻蚀、硅刻蚀广泛应用于逻辑、存储器等芯片制造中，合计占九成以上市场规模。

刻蚀关键工艺：大马士革&极高深宽比

新电子材料的集成和加工器件尺寸的不断缩小为刻蚀设备带来了新的技术挑战，同时对性能的要求（刻蚀均匀性、稳定性和可靠性）越来越高。分别从逻辑器件和存储器件的技术演进路线看刻蚀工艺应用：

在28纳米及以下的逻辑器件生产工艺中，一体化大马士革刻蚀工艺，需要一次完成通孔和沟槽的刻蚀，是技术要求最高、市场占有率最大的刻蚀工艺之一。 ✓ 存储器件2D到3D的结构转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤。在存储器件中，极高深宽比刻蚀是最为困难和关键的工艺，是在多种膜结构上，刻蚀出极高深宽比（>40:1）的深孔/深槽。