2026年半导体行业专题研究：长鑫IPO受理驱动产能技术双升级，AI赋能下本土产业链迎黄金发展期

长鑫科技：国产 DRAM 龙头，引领跨越式增长

1.1. 公司概况：中国第一，全球第四大 DRAM 供应商

长鑫存储是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研 发、生产和销售。创立于 2016 年，长鑫存储总部位于安徽合肥，在国内外拥有多个研发 中心和分支机构。长鑫存储的技术团队拥有丰富的技术研发经验和创新能力，已推出多款 DRAM 商用产品，广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域。

1.2. 历史沿革：从“0 到 1”的艰难跨越

长鑫科技的诞生与发展，是中国 DRAM 产业试图打破国际技术封锁、实现自主可控的缩 影。公司前身合肥智聚成立于 2016 年，2017 年更名为睿力集成电路有限公司，2023 年 6 月，公司整体变更为股份有限公司，正式更名为“长鑫科技集团股份有限公司”。长鑫科 技的发展经历了 2016 年合肥 DRAM 基地一期项目诞生，2017 年开工、2018 年厂房建成 并试产 8GbDDR4；2019 年首款产品获订单，2020-2022 年北京项目启动并推进；2023-2025 年陆续推出 LPDDR5、DDR5、LPDDR5X 产品，这也展现了其在存储芯片领域的产能扩张 与技术迭代。

1.3. 产品结构：DDR、LPDDR 夯实基本盘，HBM 前瞻布局

长鑫科技的主营业务高度聚焦，始终专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售。作为 IDM 企业，公司拥有从芯片设计、晶圆制造到封装测试的完整产业链能力 。 DDR 系列： 公司目前的 DDR4 产品已广泛应用于 PC、服务器、消费电子等领域。与此同 时，公司已成功研发并量产 DDR5 产品，且性能指标达到国际主流水平（速率可达 8000Mbps） 。 LPDDR 系列：针对移动终端市场，公司推出了 LPDDR4X 及 LPDDR5/5X 系列产品。其中， LPDDR5X 最高速率可达 10667Mbps，已进入小米、传音等主流手机厂商的供应链 。

1.4. 股权结构：多元制衡，国家战略与市场化机制并行

长鑫科技的股权结构呈现出显著的多元化与制衡特征。截至 2025 年 12 月 29 日，公司无 控股股东及实际控制人 。直接持有公司 5%以上股份的股东包括清辉集电（21.67%）、长鑫 集成（11.71%）、大基金二期（8.73%）、合肥集鑫（8.37%）及安徽省投（7.91%） 。 这种股权结构设计具有深远的考量。首先，大基金二期与安徽省投等国资背景股东的存在， 确保了公司在政策对接、资金支持及土地资源获取上的优势，体现了国家对存储产业的支 持。其次，清辉集电与合肥集鑫等员工持股平台的设置，有效地绑定了核心管理团队与技 术骨干的利益，这对于人才密集型的半导体行业至关重要。最后，无单一实控人的结构在 一定程度上有利于公司保持经营决策的专业性与市场化导向，避免了单一股东决策可能带 来的盲目性，但也对董事会的协调能力与管理层的执行效率提出了更高的要求。

1.5. 管理团队：国际化与本土化深度融合

DRAM 行业的竞争归根结底是人才的竞争。公司组建了具备丰富行业经验的专业务实、锐 意进取的核心研发和运营管理团队。公司管理层团队的核心领导者拥有 25 年以上半导体 行业经验，具备深刻的行业洞察力和卓越的战略定力，共同引领公司成长与战略落地。公 司技术与研发团队由海内外具备丰富半导体行业经验的专家团队组成，在 DRAM 产品设计、 工艺开发、生产制造、质量管控等方面具备深厚的技术背景和丰富的管理经验。 曹堪宇先生（董事、总经理）： 曹堪宇先生拥有博士学位，曾任职于多家国际知名半导体 公司，具备极深的技术造诣与管理经验 。他主导了公司多代工艺技术的研发与量产，是长 鑫科技技术路线图的实际执行者。

1.6. 研发情况：以研发换时间、以投入换空间：

截至 2025 年 6 月 30 日，公司拥有一支规模庞大的研发队伍，研发人员占比超过 30%。这 支团队不仅包含了从海外归国的资深专家，也吸纳了大量本土培养的优秀工程师。在 DRAM 产品设计、工艺开发、生产制造、质量管控等方面，这支团队展现出了深厚的技术背景和 丰富的管理经验。

公司高度重视研发投入，不断推进技术迭代。2022 年-2025 年 H1 长鑫科技费用化研发投 入金额为 248,638.83 万元、452,047.07 万元、460,728.35 万元和 366,072.80 万元，研发费 用率分别为 30.01%、49.75%、19.06%和 23.71%，高于可比公司平均水平，主要系公司始终 高度重视研发投入，不断进行产品及工艺技术的研发迭代，以实现技术追赶并提升产品市 场竞争力，研发投入增加且处于较高水平。 长鑫科技当前仍处于“以研发换时间、以投入换空间”的发展阶段。我们认为短期财务亏 损本质上是先进 DRAM 技术追赶过程中的必要成本，而随着 DDR5/LPDDR5X 产品放量及产 能爬坡完成，研发投入有望逐步转化为规模效应与盈利能力。在技术平台方面，始终坚持 自主研发道路，并通过跳代研发加快技术创新，成功完成了从第一代工艺技术平台到第四 代工艺技术平台的量产。于 2019 年 9 月推出自主设计生产的 8Gb DDR4 产品，实现了中 国大陆 DRAM 产业“从零到一”的突破。截至 2025 年 6 月 30 日，已完成 LPDDR4X、 DDR5 和 LPDDR5/5X 的开发与量产。

财务深度分析：高投入下的 J 曲线效应

2.1. 长鑫科技处于爬坡期，呈现出“营收高增长、利润即将起量”的特征。

在 2022 年至 2025 年上半年中，长鑫营业收入呈现高速增长态势。2022 年至 2025 年上 半年，公司营业收入分别为 82.9 亿元、90.9 亿元、241.8 亿元及 154.4 亿元，展现出强劲 的增长势头 。公司 2025 年 Q1-3 营业收入为 320.84 亿元，同比增长 97.79%，增速处于高 位。 高投入高亏损，行业初期常态。2022 年至 2025 年上半年，公司归母净利润分别为-83.3 亿元、-163.4 亿元、-71.4 亿元及-23.3 亿元 。截至 2025 年 6 月 30 日，公司累计未弥补 亏损高达 408.6 亿元 。这种亏损在半导体制造行业尤其是存储行业的发展初期是常态，其背后的原因主要包括：（1）DRAM 行业具有规模导向属性。为增强产品的市场占有率和竞 争力，公司需要持续提升产能规模，而厂房及产线建设等需要高额的固定资产投入，对应 固定资产折旧金额较大。2022 年至 2025 年上半年内，公司处于产能快速爬坡阶段，产线 持续建设并不断升级，相关资产转固后产生的折旧等固定成本较高且金额持续增加。虽然 公司于 2024 年息税折旧摊销前利润转正，但新增产能带来的规模效应尚未完全显现，收 入规模仍未能覆盖全部成本费用；（2）DRAM 行业具有极高的技术门槛，公司持续进行产 品和工艺技术的研发迭代，以尽快实现对国际先进水平的追赶、提升产品竞争力并满足市 场需求，2022 年至 2025 年上半年内研发投入持续增加。

2.2. 毛利向好，费用率下降

长鑫存储毛利改善，大幅提升。长鑫科技 2022-2025 年上半年的毛利率变动情况：2022 年公司毛利率为-3.67%，2023 年亏损幅度收窄至-2.19%，2024 年实现盈利拐点，毛利率上 升至 5.00%，2025 年上半年进一步攀升至 12.72%，三季度上升至 35%，整体呈现持续改善 的盈利修复趋势。 公司费用率逐渐下降。长鑫科技 2022-2025 年上半年各项费用率的变动特征：期间合计费 用率于 2023 年冲高至近 100%后，2024-2025H1 回落至 40%左右；研发费用率整体维持相 对稳定（20%-50%区间），体现持续投入力度；销售、财务费用率呈平缓下行趋势，管理费 用率在 2023 年小幅抬升后回落，整体费用结构逐步优化、管控效率有所提升。前期由于 扩建产能和行业高投入特征，费用率较高，近两年来，公司降本增效和规模效应等原因费 用率开始逐步下降。

2.3. 盈利拐点的前瞻：2026 年展望乐观

亏损收窄，有望迎来盈利拐点。尽管当前仍处于亏损状态，但从 2024 年及 2025 年上半年 的财务数据来看，亏损收窄的趋势已经显现。随着长鑫科技稳步推进产能建设、产品研发 和工艺技术提升，长鑫科技预计未来能够保持良好的持续经营能力。在谨慎性预测基础下， 随着前期产能逐步建设并顺利爬坡，出货量预计将稳步增长，若长鑫科技产品平均价格维 持在略低于 2025 年 9 月实际均价水平，则 2026 年将有望实现盈利。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）