2024年安集科技研究报告：国内抛光液龙头，品类拓展打开空间

一、投资逻辑一：CMP抛光液市场高速增长，公司在客户 端份额逐步提升

1.1 公司是国内抛光液龙头，研发团队强劲，产品覆盖度高

国内抛光液龙头，平台化打开第二成长曲线。公司主营是 CMP 抛光液和功能性湿电子化 学品的研发与生产，深耕 CMP 抛光液近 20 年，技术积累扎实，目前产品主要应用于集 成电路制造和先进封装领域。公司已经成功搭建“3+1”技术平台及应用领域，全面提升 公司核心竞争力：“化学机械抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领先技术节 点多产品线布局”、“电镀液及添加剂-强化及提升电镀液高端产品系列战略供应”及“核 心原材料建设-提升自主可控战略供应能力”。从客户端来看：目前已覆盖国内、海外知名 客户。研发团队背景来看：董事长王淑敏等高管团队具备丰富专业背景，具备化学、材料 化学、材料工程等专业领域研究经验。截至 2023 年年报，公司及子公司拥有境内外授权 发明专利 276 项。

公司持续研发抛光液以及其他湿电子化学品材料。在抛光液领域，公司 2011 年完成铜及 铜阻挡 12 英寸一供上线，之后不断完善丰富产品数量，在 2017 年推出钨类抛光液料号， 此外在功能性湿电子化学品领域，公司目前已覆盖光刻胶剥离液、电镀液、清洗液等品类， 逐步导入客户。根据 TECHCET 公开的全球半导体抛光液市场规模测算，最近三年公司化 学机械抛光液全球市场占有率分别约 5%、7%、8%，逐年稳步提升。

公司股权激励绑定技术人才，调动积极性。公司在 4 月 16 号发布 2024 年限制性股票激 励草案，本计划限制性股票的授予价格为 72.19 元/股，计划拟向激励对象授予不超过 19.4740 万股限制性股票，本激励计划授予的激励对象总人数不超过 70 人，占截至 2023 年 12 月 31 日公司全部职工人数的 14.96%。公司通过股权激励计划来鼓励公司核心团队 的积极性，有效的促进了公司长远发展。

公司产品在制造端和先进封装端应用较为广泛。目前公司产品线主要包括包括硅/多晶硅 抛光液，浅槽隔离抛光液，介电材料抛光液，钨抛光液，铜及铜阻挡层抛光液，三维集成 抛光液等，同时在功能性湿电子化学品还有光刻胶去除剂、电镀液等，致力于发展为国内 高端半导体材料平台。

公司整体研发转化能力强，多项研发在立项后便逐步进入客户论证阶段或已对外销售，主 要原因为公司研发团队实力较强以及在化学配方、材料科学等多项领域的深厚积累，未来 有望保持较高的研发效率及研发转化率。

与头部客户合作紧密，在客户端份额不断提升，和主流客户合作较为深入。2021 年度、 2022 年度和 2023 年度，公司向前五名客户合计的销售额占当期销售总额的百分比分别为 84.45%、82.47%和 80.49%。根据招股说明书披露，2018 年前 5 客户包括中芯国际、台 积电、长江储存、华润微、华虹半导体。公司境外收入逐年增长，主要客户包括台积电、 昇阳半导体、硅品精密、日月光、联华电子等。

1.2 抛光液随着制程迭代需要品类增多，难度增加

CMP 化学机械抛光工艺能够结合表面化学作用和机械研磨，来实现晶圆表面平坦化。CMP 应用于多种材质研磨。半导体环节涉及的 CMP 制程包括氧化层、多晶硅、金属层等。化 学机械抛光液在 CMP 技术中至关重要，在抛光材料中价值占比较大。其用量随着晶圆产 量和 CMP 平坦化工艺步骤数增加而增加。根据应用不同工艺环节，可以将抛光液分为硅 衬底抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、钨抛光液、介质材料抛光液、基于氧化铈磨料的抛光 液以及用于先进封装的硅通孔抛光液等。抛光液特点为种类繁多，即使是同一技术节点、 同一工艺段，根据不同抛光对象、不同客户的工艺技术要求也有不同配方。

抛光的工艺参数、抛光液和抛光垫是 CMP 效果的关键因素。抛光的工艺参数会对晶圆表 面形貌产生重要影响，主要的工艺参数包括速度、压力、抛光液流量和时间等。CMP 抛 光材料包括抛光液、抛光垫、浅沟槽隔离、多晶硅、二氧化硅介电层和修整盘等，其中关 键因素是抛光垫和抛光液，两者的物理及化学性质对抛光效果至关重要。

逻辑、存储芯片制造工艺升级，带动 CMP 工艺步骤数增加，CMP 抛光液种类和用量提 升。首先是制程迭代，料号增加，根据公司招股说明书数据，更先进的逻辑芯片工艺可能 会要求抛光新的材料，为 CMP 抛光材料带来了更多的增长机会，比如 14 纳米以下逻辑 芯片工艺要求的关键 CMP 工艺将达到 20 步以上，使用的抛光液将从 90 纳米的五六种抛 光液增加到二十种以上，种类和用量迅速增长；7 纳米及以下逻辑芯片工艺中 CMP 抛光 步骤甚至可能达到 30 步，使用的抛光液种类接近三十种。同样地，存储芯片由 2D NAND 向 3D NAND 技术变革，也会使 CMP 抛光步骤数近乎翻倍。

抛光液的全球产业格局主要分布在国外，国内缺乏世界级的龙头企业。根据公司招股说明 书数据，抛光液 28nm 及以上产品市场主要被日本的 Fujimi、Himonoto Kenmazai 公司， 美国的 Cabot、杜邦、Rodel、Eka，韩国的 ACE 等公司所垄断，占据全球高端市场份额 90%以上，其中 Cabot 多年占据市场份额首位。

国产化率提升较快，国产厂商在先进制程节点取得突破。目前国内 CMP 抛光液方面安集 科技进展较快，公司在化学机械抛光液方面已有能力提供全品类产品的解决方案，其中在 公司上海金桥生产基地，主要生产化学机械抛光液，在宁波生产基地，主要生产功能性湿 电子化学品。国内抛光垫方面鼎龙股份进展较快，公司武汉本部一二期的 CMP 抛光垫年 产规模合计是 30 万片,除此外公司在潜江工业园补充了 20 万片抛光垫新品及核心配套原 材料等扩产建设，主要部分已与去年夏季建设完工。公司抛光垫新产品已提供给主流客户送样测试。

1.3 稼动率提升、国内晶圆厂扩产推动抛光液需求上升

从 2024 年维度来看，下游晶圆厂稼动率回升对抛光液需求有拉动。从 23Q2 开始，晶圆 厂、封测厂稼动率逐步回升，同时 23H2 随着下游消费逐渐复苏，稼动率有望维持高位运 行，对材料需求拉动稳定性提升。稼动率回升对 2024 年抛光液季度需求呈正向作用。

全球半导体材料市场规模持续增长，晶圆制造材料市场增速较快。近几年来受益于下游芯 片需求所带来的制造产能扩张，全球半导体材料市场规模增长。根据 SEMI，2023 年全球 半导体材料市场规模达到 667 亿美元，其中晶圆制造材料市场达到 415 亿美元，而封装 材料市场达到 252 亿美元。 2024 年上半年国内主要晶圆厂产能利用率逐步回升，产能爬坡持续，后续扩产修。根据 集微咨询，截至 2023 年第二季度，中国大陆 12 英寸晶圆代工产线总产能 149.4 万片/月， 8 英寸晶圆代工产线总产能 145.1 万片/月。

1.4 财务分析：收入保持高增速，毛利率稳定，客户份额逐步提升，收入保持 高增速

2024 年 Q1 收入利润保持高增。根据公司发布的 2024 年 Q1 季度报告，公司 2024 年 Q1 实现收入 3.78 亿元，同比增加 40.51%；归母净利润 1.05 亿元，同比下降 37.93%。从 2024 年 Q1 表现来看，收入和净利润实现高增速，主要原因是下游晶圆厂 Q1 稼动率提升， 以及在客户端份额提升以及新料号的逐渐导入，后续展望来看，未来几个季度在下游晶圆 厂稼动率回升以及公司高端产品的逐步导入。从盈利能力来看，近三年来较为稳定，源于 CMP 抛光液的较高壁垒以及公司较强技术优势。

研发投入持续强劲保持较高的产品竞争力，ROE 保持较高水平。2024Q1 期间费用率为 27.37%，其中研发费用率为 19.10%。研发费用占费用的绝大部分，未来公司有望凭借强 劲的研发实力，在国内份额逐步提升，同时积极开拓海外市场，进一步提高核心竞争优势。

二、投资逻辑二：从抛光液延伸至光刻胶剥离液等，品类 持续扩展

2.1 湿化学品市场需求随下游扩产增加

湿化学品用量增加，市场规模稳定增长。根据 TECHCET 统计及预测，2023 年全球半导 体湿电子化学品市场规模将达到 52 亿美元，较 2022 年下降 2%，2024 年将反弹 6%。受 益于芯片技术节点进步及全球芯片产能的持续增长，TECHCET 预计 2027 年全球半导体 湿电子化学品市场规模将达到 69 亿美元。 电镀液及添加剂市场逐步增长。随着先进逻辑器件技术节点带来的互连层的增加，先进封 装对重新布线层和铜柱结构应用的增加，以及广泛运用铜互连技术的半导体器件整体增长，带动了电镀液及添加剂市场的增长。根据 TECHCET 预测，2023 年全球半导体电镀化学品市场规模将下降 6%至 9.47 亿美元,2024 年预计将增长 7%至 10 亿美元以上，其中铜互 连、铜封装、锡银合金/锡/镍电镀化学品占比分别为 63%、8%、29%。随着先进封装应用 及下一代逻辑器件中金属互连层数的增加，TECHCET 预计 2023-2028 年全球半导体电镀 化学品年复合增长率将超过 5.4%。

2.2 光刻胶剥离液、清洗液、电镀液等初具规模，宁波工厂值得期待

在功能性湿电子化学品领域，公司目前已涵盖刻蚀后清洗液、光刻胶剥离液、抛光后清洗 液及刻蚀液等多产品。目前公司功能性湿电子化学品产品应用于逻辑电路、3D NAND、 DRAM、CIS 等特色工艺及异质封装等领域。根据公司 2023 年年报表述，在刻蚀后清洗 液方面，持续加强水性刻蚀后清洗液的研发及产业化，两款水性刻蚀后清洗液进入量产， 应用于先进制程大马士革工艺，并持续增加海外市场份额；在刻蚀液方面，持续与客户紧 密合作，刻蚀液产品研发及产业化正在按计划进行中，研发实验满足客户需求并进入测试 论证阶段，进展良好；在抛光后清洗液方面，碱性铜抛光后清洗液取得重要突破，在客户 先进技术节点验证进展顺利，进入量产阶段，完善了公司抛光后清洗液产品平台。在电镀 液及添加剂领域，先进封装用电镀液及添加剂市场开拓进展顺利，多款产品实现量产销售， 产品包括铜、镍、镍铁、锡银等电镀液及添加剂，应用于凸点、再分布线（RDL）等技术； 在集成电路制造领域，铜大马士革工艺及硅通孔（TSV）电镀液及添加剂也按预期取得进 展，进入测试论证阶段，丰富了电镀液及添加剂产品线的应用。 光刻胶去除剂主要用于去除光刻工序中残余的光刻胶。随着集成电路工艺节点的演进，对 光刻胶的去除能力、缺陷控制及污染物控制等要求越来越高，光刻胶去除剂在工艺中的地 位也越来越重要，成为了决定光刻胶去除甚至图形化工艺最终良率及可靠性的关键材料。 根据其功能可以分溶剂类去除剂、胺类去除剂、半水性去除剂和水性去除剂四类，其中胺 类在铝制程工艺中优势显著，半水性主要应用于铜互联大马士革工艺中的去胶，而水性则 主要用于 28nm 以下阻挡层的去除。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）