2023年安集科技研究报告：国内CMP抛光液龙头，功能性湿化学品开启第二成长曲线

一、布局 CMP 抛光液和功能性湿化学品两大产品线， 面向市场空间超 40 亿美元

1、国内 CMP 抛光液和功能性湿化学品领先厂商，覆盖下 游龙头客户

安集科技是国内 CMP 抛光液和功能性湿化学品等龙头，客户覆盖全球头部晶 圆厂。安集微电子（上海）成立于 2004 年，安集有限成立于 2006 年，公司成 立之初聚焦抛光液和光刻胶去除剂两大产品，目前公司 CMP 抛光液逐步实现全 品类布局，光刻胶去除剂升级为多品类的功能性湿化学品产品线，并拓展电镀 液及添加剂等产品。公司作为项目责任单位完成了“90-65nm 集成电路关键抛 光材料研究与产业化（2009 年立项）”和“45-28nm 集成电路关键抛光材料研 发与产业化（2011 年立项）”两个国家“02 专项”项目，并作为课题单位负 责“高密度封装 TSV 抛光液和清洗液研发与产业化（2014 年立项）”和 “CMP 抛光液及配套材料技术平台和产品系列（2016 年立项）”两个国家 “02 专项”项目。公司客户覆盖台积电、联电、中芯国际、长江存储、华虹宏 力等头部晶圆厂，也与英特尔等公司密切合作。

核心技术涵盖“抛光、清洗、沉积”三大关键工艺，面向整体市场空间超 40 亿 美元。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理技术和高端化学品配方核心技 术，成功搭建了“CMP 抛光液-全品类产品矩阵”、“功能性湿电子化学品-领 先技术节点多产品线布局”、“电镀液及添加剂-强化及提升电镀高端产品系列战略供应”三大技术平台，技术涵盖 IC 制造的“抛光、清洗、沉积”三大关键 工艺，产品组合可用于前后道的抛光、刻蚀、沉积等关键循环重复工艺和衔接 各工艺步骤的清洗工序。根据 TECHCET，2022 年半导体抛光液、刻蚀后和抛 光后清洗液、电镀液化学品市场规模分别为 20 亿美元、11 亿美元和 10.2 亿美 元，合计超 40 亿美元。

公司多名高管和核心技术人员拥有 Cabot 抛光液部门工作背景，公司拥有较强 研发实力。Cabot 公司为全球领先的特种化学品和高性能材料公司，是全球 CMP 抛光液龙头，在 2000 年之前即实现钨抛光液、电介质抛光液等化学机械 抛光液的产业化。董事长王淑敏女士曾任 Cabot 亚洲技术总监，负责抛光液部 门相关业务，2004 年回国并创立上海安集，公司副总经理王雨春先生、核心技 术人员李守田先生等人也具备 Cabot 工作背景。公司研发实力较强，截至 2022 年底，公司拥有员工 394 人，硕士及以上学历占比为 23.6%，研发人员占比 45.7%。

公司无实际控制人，股权结构相对清晰。公司无实际控制人，第一大股东为 Anji Cayman，即 Anji Microelectronics，共持股 30.9%，Anji Cayman 是一家 投资控股型公司，不实际从事生产经营业务，主要资产为持有安集微电子科技 股份。在公司上市时，Anji Cayman 共拥有 8 名股东，其中 RUYI 和 Anjoin （境外员工持股平台）分别持股 24.02%和 2.73%，由公司董事长&总经理王淑 敏控制；公司其他股东包括国家大基金，全国社保基金等，其中国家大基金持 股 5.14%，公司境内员工持股平台为安续投资。

公司拥有上海金桥和宁波北仑两大生产基地。上海金桥生产基地位于金桥综合 保税区，主要生产 CMP 抛光液和部分功能性湿电子化学品，宁波北仑生产基地 以生产功能性湿电子化学品为主，包括全部的电镀液及添加剂产能。目前，公 司在上海金桥生产基地的 CMP 抛光液产线扩建已接近尾声，在宁波北仑基地的 CMP 抛光液产线已完成再融资，正在规划建设中。

2、23H1 收入和业绩依旧实现同比增长，产品份额持续提 升

公司 2019-2022 年营收加速增长，23H1 收入依旧实现同比增长。公司营收从 2016 年的 1.96 亿元增长至 2022 年的 10.77 亿元，CAGR 为 32.8%。2016- 2018 年，公司在产品开发、客户开拓和资源配置等方面有所侧重，产品从研发 到实现量产销售需要较长时间，收入尚未实现高速增长；2019-2021 年，公司 收入逐年加速增长，2022 年同样保持较高增长态势，主要系一方面公司客户数 量上升，产品在客户端用量增长，另一方面行业景气度上升，晶圆厂稼动率持 续上行；23H1，尽管下游晶圆厂稼动率有所下滑，当前依旧维持低位，但公司 实现收入 5.75 亿元，依旧同比增长 14.2%，主要系产品线持续放量，在下游客 户份额逐步提升。

CMP 抛光液：历年收入占比 80%以上，23H1 收入同比稳健增长。公司 CMP 抛光液主要包括铜及铜阻挡层、介电材料、钨、氧化铈、衬底材料共 五大抛光液产品系列，2020 年铜及铜阻挡层抛光液收入占比 59%，其他 系列占比 59%。公司产品收入同比增速在 2020-2022 年分别为 59.1%、 58.4%和 60.1%，主要系公司铜及铜阻挡层抛光液抛光液市场份额不断提 升、技术节点随客户向前迭代，钨抛光液、氧化铈抛光液在通过客户端验 证后快速放量，衬底抛光液如硅精抛液系列在国内领先硅片厂商收入增速 明显，并在国外市场有突破性进展；23H1，公司产品收入 5.06 亿元，同 比+14.9%，在关键客户端份额持续提升；

功能性湿电子化学品：从光刻胶去除剂拓展至功能性湿化学品，2021 年至 今收入快速增长。公司光刻胶去除剂主要用于 IC 制造、晶圆级封装、LED/OLED 领域，2020 年 IC 制造领域在光刻胶去除剂中收入占比为 41%。 2020 年 LED/OLED 光刻胶去除剂收入同比下滑 29.5%，拖累整体业务表 现；2021 年，公司持续开展功能性湿电子化学品产品线布局，集成电路用 刻蚀后清洗液在客户端实现突破性进展，用量进一步上升，全年整体收入 同比大幅增长 92.2%；2022 年，公司产品在中国大陆市场拓展顺利，新品 成功导入海外市场，营收 1.24 亿元，同比增长 36.8%；23H1，公司产品 收入 0.65 亿元，同比+3.4%，完成了用于 IC 制造和先进封装的电镀液及 添加剂系列产品平台的搭建，多款电镀液在先进封装领域实现量产。

22H2 以来晶圆厂稼动率承压，2024 年有望边际改善。自 22H2 以来，全球晶 圆厂稼动率持续下滑，联电和中芯国际产能利用率分别在 22Q4 和 22Q2 跌至 100%以下，华虹产能利用率维持满载，主要系采用适当价格策略以保障产量。 23Q2 中芯国际和 UMC 产能利用率环比有所复苏，主要系产品结构等因素影响， 但整体稼动率仍维持低位。根据 SIA，23M8 全球半导体销售额为 440 亿美元， 环比+1.9%，连续 6 个月实现环比增长，考虑到智能手机和 PC 需求在 23Q4 逐 步回温，后续行业景气度复苏将有望逐步传导至晶圆厂端，进而带动晶圆厂稼 动率持续边际改善。在晶圆厂稼动率维持低位情况下，安集科技 23H1 收入和利润依旧同比增长，展望 2024 年，受益于全球晶圆厂稼动率改善，叠加新品放 量和客户端份额提升，公司收入和利润仍有望呈现同比稳健成长态势。

公司 CMP 抛光液毛利率维持较高水平，近年来功能性湿电子化学品毛利率受 折旧拖累有所下滑。虽然公司历年产品结构和各产品线毛利率有所波动，但整 体毛利率变化不大，基本在 51-55%左右波动，2022 实现毛利率 54.2%；23H1， 由于公司开发的数只高难度、高研发投入的新产品系列快速上量，加之汇率波 动的影响，毛利润同比增长 19.7%，实现毛利率 55.1%。

CMP 抛光液：2016-2021 年毛利率维持相对稳定，期间的小幅波动主要受 原材料成本和部分成熟产品的主动降价所致，2022 年，CMP 抛光液毛利 率 58.6%，同比+3.2pcts，主要系汇率变动及产品结构影响，毛利率较高 的产品上量较快；

功能性电子湿化学品：2016 年至今毛利率逐年下滑，2016-2020 年，公司 产品主要为光刻胶去除剂，用于 IC 制造、晶圆级封装和 LED/OLED 领域， 产品毛利率在 2018 年出现明显下滑，主要系①一款 IC 制造光刻胶去除剂 新品收入占比提升，但毛利率低于系列其他产品；②晶圆级封装用光刻胶 去除剂原材料成本上升，同时公司对稳定的产品线下调了售价；③OLED 客户需求增长较快，但 OLED 相较 LED 光刻胶去除剂毛利率较低；2021- 2022 年，毛利率同比下滑主要系安集集成电路材料基地项目（宁波基地一 期项目）投入使用后，相关产线只生产功能性湿电子化学品，投产初期产 量较低、折旧成本较高。目前宁波工厂一期已完成转固，二期预计 2023 年完成转固，固定资产折旧对毛利率的影响会存在一定周期。

2022 年以来整体期间费用率明显下降，利润规模显著提升。公司期间费用以研 发费用为主，2022 年以前期间费用率较为稳定，2022 年公司规模效应明显显 现，研发费用率等期间费用率同比下滑较多，利润体量同比显著提升。23H1 公 司归母净利润和扣非归母净利润分别为 2.35 亿元和 1.61 亿元，分别同比增长 85%和 18.6%。公司在历史部分年份产生较多非经常损益，2020 年主要为参与 投资设立的青岛聚源芯星股权投资企业公允价值上升，23H1 主要系政府补助项 目完成验收，于 Q2 确认计入非经常损益的其他收益为 0.83 亿元，另外 23H1 非经常损益还包括投资收益 0.14 亿元，受所得税影响额为-0.22 亿元。

公司下游客户覆盖中芯国际、长江存储、台积电等头部晶圆厂，客户集中度较 高。公司 2018 年第一大客户为中芯国际下属子公司，收入占比为 59.7%，其 次为台积电、长江存储、华润微、华虹宏力，前五大客户占比为 84%；根据公 司 2022 年报，公司前五大客户占比为 82%。

二、CMP 抛光液逐步全品类布局，功能性湿电子化 学品开启第二成长曲线

1、CMP 抛光液市占率稳步提升，逐步实现全品类布局

化学机械抛光（CMP）工艺贯穿硅片制造、IC 制造、后道封测环节，实现晶圆 等表面全局平坦化。CMP 工作原理是在一定压力下及抛光液的作用下，被抛光 的晶圆对抛光垫做相对运动，借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的 化学作用之间的高度有机结合，使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面 粗糙度和低缺陷的要求。在前道 IC 制造环节中，当前 IC 元件普遍采用多层立 体布线，前道工艺环节需要多次循环，如果将前道制造过程比作建多层的楼房， 那么每搭建一层楼层都需要让楼层足够平整，才能在上方继续搭建另一层楼， 否则楼面就会高低不平，影响整体性能和可靠性；CMP 工艺主要用于芯片浅槽 隔离（STI）、多晶硅/金属栅极、接触孔钨（W）、后段金属间绝缘介质层 （IMD）、铜互连层（CuBs）等结构中。

CMP 抛光液在晶圆表面形成氧化层并由磨粒去除，产品配方是核心技术的具体 体现。CMP 抛光液作用是使晶圆表面产生一层氧化膜，再由抛光液中的磨粒去 除，达到抛光的目的。CMP 抛光液由磨料、缓冲液、抛光剂和添加剂等组成， 磨料用于去除晶圆表面氧化物和金属残留物，缓冲液主要用于调节 pH 值和维持 液体稳定性，抛光剂用于润滑和减少表面摩擦，添加剂用于改善 CMP 抛光液的 分散和化学反应性能。CMP 抛光液厂商一般通过独立第三方采购研磨颗粒等主 要原材料进行复配，核心技术体现在产品配方，即使是同一技术节点、同一工 艺段，根据不同抛光对象、不同客户的工艺技术要求也有不同配方；另一方面， 生产工艺流程，包括加料、混合、过滤等，是核心技术转化为最终产品的实现 手段，厂商需要优化产品配方中各种组分的加料方式、顺序、速度、时间、混 合方式等。

CMP 抛光液特点为种类繁多，铜及铜阻挡层、钨和氧化物抛光液应用最为广泛。 根据应用的不同工艺环节，抛光液可分为硅衬底抛光液、铜及铜阻挡层抛光液、 钨抛光液、介质材料抛光液、基于氧化铈以及用于先进封装的硅通孔（TSV） 抛光液等，服务于不同的芯片结构。其中，铜及铜阻挡层、钨和氧化物抛光液 市场规模占比最大，而钴和多晶硅抛光液增长最快。

铜及铜阻挡层抛光液广泛用于铜金属布线结构中。铜及铜阻挡层抛光液广 泛用于 130nm 及以下技术节点逻辑芯片的制造工艺，在存储芯片制造过程 中也有一定使用；

钨抛光液大量用于存储芯片制造工艺，在逻辑工艺中仅用于部分工艺段。 钨一般用于钨栅极、接触孔（Contact）、通孔（Via），接触孔用于将前 段工艺制备的晶体管和后段工艺的第一层金属连接，通孔用于将相邻金属 层之间的连接；

基于氧化铈磨料的抛光液，又称稀土抛光液，在 3D NAND 氧化硅层、STI 等的用量较多。氧化铈分散液对晶圆有较强氧化性，能够形成很薄的氧化 层，基于二氧化铈磨料的抛光液具有高效去处二氧化硅、高选择比、高平 坦化效率等优点，多用于 STI 和其他需要高速去除二氧化硅的抛光工艺中。 由于 STI 在存储芯片中应用更多，因此目前基于氧化铈磨料的抛光液主要 用于 3D NAND 等存储芯片领域； 对比典型逻辑芯片和 3D NAND 存储芯片结构，逻辑芯片前道工艺的后段 结构中需要大量铜金属布线进行互联，对铜及铜阻挡层抛光液用量最大； 而在 3D NAND 结构中，底层采用多层 ONO（氧化物-氮化物-氧化物）堆 叠形成，不同层导线间均需要钨来进行填充，并且栅极的 STI 结构明显多 于逻辑芯片，因此钨抛光液、基于氧化铈磨料的抛光液更多用于存储芯片， 并且堆叠的层数越多，用量越大。

介电材料抛光液：用于介电材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化； 衬底抛光液：用于硅衬底及其他半导体衬底材料的抛光。包括硅粗抛光液、 硅精抛液、氮化镓抛光液等产品，其中硅粗抛光液用于硅晶圆初步加工过 程，硅精抛液实现硅衬底或多晶硅的进一步加工；  在 10nm 及以下技术节点中，钴将部分替代铜作为导线，要求全新的钴抛 光液进行抛光； 其他新材料新工艺的 CMP 抛光液：包括用于三维集成工艺的 TSV 硅通孔 和混合键合抛光液、聚合物和碳等新材料抛光液。

2022 年全球半导体 CMP 抛光液市场规模超 20 亿美元，整体市场被美、日企 业垄断。根据 TECHCET，2022 年全球半导体 CMP 抛光材料市场规模近 35 亿 美元，同比增长 9%，其中抛光液市场规模超 20 亿美元，占比 50%以上； 2023 年，由于 DRAM、NAND 等存储产能过剩及市场整体需求调整，全球半导 体 CMP 抛光材料市场规模预计下滑 2.4%；随着工艺向先进制程节点发展叠加 先进封装的应用，CMP 步骤不断增加、技术要求也会相应增加，TECHCET 预 计全球半导体 CMP 抛光液在 2023-2028 年 CAGR 为 9%，到 2028 年市场规模 有望突破 35 亿美元。全球和国内 CMP 抛光液市场主要由 Cabot、日立、 Fujimi、慧瞻材料（被默克收购）等美国和日本厂商占据，海外厂商在国内市占 率预计 50%以上，国内上市公司主要包括安集科技、鼎龙股份、上海新阳等。

安集科技 CMP 抛光液处于国内领先地位，逐步实现 CMP 抛光液全品类布局。 安集科技部分高管具备海外龙头 Cabot 工作经验，自 2004 年回国开始便主营 CMP 抛光液业务；在 2018 年，公司产品以铜及铜阻挡层抛光液为主，另有少 量钨抛光液等产品；2019 年至今，公司先后完善基于氧化铈磨料的抛光液、硅 精抛液、TSV 抛光液等产品；截至 23H1，公司 CMP 抛光液收入达到 5.06 亿 元，同比增长 14.9%。 铜及铜阻挡层抛光液：公司最早的一款产品从 2008 年开始稳定供货至今， 目前产品保持市场领先地位，并紧跟客户先进制程，部分领先技术在重要 客户端完成验证；在成熟制程，公司产品持续迭代升级，进展顺利； 钨抛光液：根据公司招股说明书，钨抛光液主要客户为长江存储及其下属 公司，公司钨抛光液在 3D NAND 等存储领域份额持续提升，在部分逻辑 客户也已通过验证，开始实现量产； 基于氧化铈磨料的抛光液：在 3D NAND 先进制程中逐步放量，在国内领 先存储客户持续突破，多款产品量产销售； 介电材料抛光液：首款氮化硅抛光液在客户端上量顺利，先进技术节点产 品在客户端测试验证，公司持续改进氧化物抛光液，高倍稀释氧化物抛光 液已实现量产； 衬底抛光液：硅精抛液在国内领先硅片厂等客户实现销售，收入增长明显， 并获得中国台湾客户订单；三维集成抛光液在多个客户实现销售；第三代 半导体抛光液验证顺利，并进一步拓展至海外客户。

国内鼎龙股份、上海新阳等上市公司也逐步切入 CMP 抛光液赛道，目前鼎龙 股份介电材料、氧化铝研磨粒子抛光液等数款产品实现量产，上海新阳较多产 品仍处于客户验证阶段。 鼎龙股份：介电材料、氧化铝金属、钨、衬底抛光液在客户端实现销售。 公司自研团队用 2-3 年时间，实现 CMP 抛光液上游核心原料-研磨粒子到 CMP 抛光液产品配方的自主研发。目前公司已经布局多晶硅制程、金属铜 制程、金属铝制程、阻挡层制程、金属钨制程、介电层制程等数十款 CMP 抛光液产品。23H1，公司 CMP 抛光液及清洗液实现收入 2637 万元，同 比增长 313%，其中介电材料抛光液、以自产氧化铝研磨粒子为基础的金 属抛光液、钨抛光液、大硅片抛光液、多晶硅制程等抛光液产品在客户端 实现销售，阻挡层抛光液有望在 23H2 导入客户； 上海新阳：STI、多晶硅层、钨抛光液在超 10 余家客户端测试验证，多款 产品进入量产阶段。公司 CMP 抛光液包括浅槽隔离（STI Slurry）、金属 钨、金属铜、硅氧化层（Oxide Slurry）、多晶硅层（Poly Slurry）研磨液 等系列产品，可覆盖 14nm 及以上技术节点。

2、功能性湿化学品开启第二增长曲线，覆盖清洗、刻蚀、 电镀液等产品

功能性湿电子化学品包括电镀液及添加剂、清洗液、刻蚀液等，覆盖光刻、刻 蚀、离子注入、CMP 工艺。在光刻工艺结束后，下一步为刻蚀工艺，首先用到 的湿化学品为刻蚀液，通过特定的溶液与需要刻蚀的薄膜材料发生化学反应， 除去光刻胶未覆盖区域的薄膜，被称为湿法刻蚀；在刻蚀后，需要对未曝光部 分的光刻胶进行去除，此时用到的湿化学品为光刻胶剥离液，要求对光刻胶有 较强的溶解性能；在金属化工艺中，应用的主要湿化学品为铜电镀液，起到芯 片铜互连的作用，铜互连工艺具有更低的电阻率、抗电迁移性，能够满足芯片 尺寸越小、功能越强大、能耗更低的技术要求；清洗液用于清洗工艺，去除灰 尘、微粒、金属或离子型导电污染物及有腐蚀作用的无机、有机污染物等，可 分为 CMP 后清洗液、铝工艺刻蚀后清洗液、铜工艺刻蚀后清洗液。

清洗工序贯穿整个半导体制造重要环节，2022 年关键功能性清洗液市场空 间超 10 亿美元。清洗工艺是芯片制造过程中占比最高的工序，约占芯片制 造工序的 30%，先进节点工艺流程更加复杂，芯片制造对污染的敏感度更 高，导致清洗步骤不断增加。根据 TECHCET，2021 年全球半导体关键清 洗材料（包括刻蚀后残留物清洗液和抛光后清洗液）市场规模超 10 亿美元， 预计 2022 年达到 11 亿美元，2022-2026 年 CAGR 预计为 6%。

电镀液及添加剂主要用于铜互联工艺，全球市场空间接近 10 亿美元。电 镀液在 IC 制造和先进封装中用于铜互联工艺，该工艺贯穿整个芯片制造过 程，随着先进封装对镀铜材料需求快速增加，大马士革铜互联、先进封装 凸块电镀（Cu Pillar/Bump/RDL/UBM）、硅通孔（TSV）电镀等材料市场 不断扩大，在先进芯片中互联材料首尾连接可长达约 30 英里。根据 TECHCET，铜互联材料是电镀材料最大的细分市场，2022 年全球半导体 用电镀材料市场规模约 10.2 亿美元，预计到 2026 年增加至 13.8 亿美元。 IC 制造工艺中金属布线用于连接电子元器件层，铜互联采用电镀方式实现 铜的填充。IC 最初采用铝作为导体，二氧化硅作为绝缘体来构造互联层， 整个互联过程从在晶圆表面沉积铝开始，然后通过选择性刻蚀形成布线图 案，沉积氧化物绝缘体，并利用 CMP 使晶圆表面平坦化；随着器件特征 尺寸缩小，越来越薄的铝线无法实现所需的速度和电性能，铜互联结构逐 步取代铝互联；然而由于铜不易形成挥发性化合物，因此使用等离子干法 刻蚀铜的方法并不可行，因此工程师选择采用大马士革铜互联镶嵌工艺 （即借鉴大马士革的珠宝行业，先在基底金属上刻蚀图案，再将贵金属嵌 入图案中），先沉积和刻蚀电介质材料，再将铜填充到图案之中。为了实 现高深宽比图案特征，必须采用电镀而非 PVD 或 CVD 来填充铜金属。

在封装工艺中，电镀液可用于形成铜柱凸块、TSV 等结构。除了铜互连工 艺，电镀液及添加剂还应用于 Bumping、RDL、TSV 等先进封装工艺。 TSV 技术的核心是在晶圆上打孔，并在硅通孔中进行镀铜填充，从而实现 晶圆的互联和堆叠，在无需继续缩小芯片线宽的情况下，提高芯片的集成 度和性能。和芯片制造铜互连工艺相比，TSV 电镀的尺寸更大，通常需要 更长的沉积时间、更高的电镀速率以及多个工艺步骤，铜互连电镀液及添 加剂成本占 TSV 工艺的总成本比重也更高。

公司立足光刻胶去除剂单品并拓展至功能性电子湿化学品类，电镀液及添加剂 进一步打开成长空间。公司成立之初主营光刻胶去除剂的湿化学品业务，面向 IC 制造、晶圆级封装和 LED/OLED 领域，用于图形化工艺光刻胶残留物去除， 即在光刻工艺图案化的最后（即在光阻层的涂覆、成像、离子注入和刻蚀之后） 进行下一步工艺步骤之前，光刻胶残留物需要彻底去除；公司功能性湿化学品 由光刻胶剥离液进一步拓展至刻蚀后清洗液、抛光后清洗液及刻蚀液等多种产 品；23H1，公司功能性湿化学品实现收入 0.65 亿元，并在碱性铜抛光后清洗 液取得重要突破，在客户先进技术节点验证进展顺利，进入量产阶段；在电镀 液及添加剂方面，公司完成了应用于集成电路制造及先进封装领域的产品系列 平台的搭建，多款电镀液及添加剂产品在先进封装领域进入量产导入阶段。

功能性湿化学品和 CMP 抛光液具备一定共通性，进一步增加公司业务协同性。 从内部功能来说，①抛光液和功能性湿化学品都是液态、配方类的化学产品， 均通过不同配方来达到某一工艺上的特定性能，技术指标具备一定通用性；② 许多检测设备、工具，包括技术人员在很大程度上也是共享的；从外部来说， 业务客户重叠度非常大，唯一的区别在于不同工艺环节的用量不同，一般而言， IC 制造环节同时使用抛光液和功能性湿化学品，而在先进封装环节，功能性湿 化学品用量更大。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）