2023年长电科技研究报告 先进、传统封装技术齐备

1、长电科技： 内生改善提升财务质地，外延并购助力规模扩张

1.1、 国际封测龙头，业务布局完善，股权激励彰显信 心

1.1.1、 国际龙头封测企业，布局海内外产能，内生外延发展

底蕴深厚，内生外延发展成国际领先封测企业。公司全名为江苏长电科技股份 有限公司（以下称“公司”或“长电科技”）。公司发展可分为三个阶段：第一阶 段始于 1972 年，公司前身江阴晶体管厂成立，1989 年自动化生产线投产，2000 年公司改制为长电科技股份有限公司；第二阶段始于 2003 年，公司在上海证券 交易所上市，并加快异地生产基地建设和业务扩张。公司开发了多条 IC 生产线， WL-CSP、Bumping 等高端封装产品实现高速增长。2015 年公司收购星科晶朋， 进一步扩大规模。第三阶段始于 2019 年，公司实现了新管理层的加入和星科晶 朋的业务和资源整合落地，经营质量大幅改善，销售规模迅速增长。长电科技跃 居全球第三大IC封装和测试服务商，产品、服务和技术已覆盖主流IC系统应用。

全球布局，服务海内外客户。长电科技在中国、韩国、新加坡合计共有六大集成 电路成品生产基地（江阴滨江厂区、江阴城东厂区、滁州厂区、宿迁厂区，新加 坡义顺厂区、韩国仁川厂区）和两大研发中心（高密度集成电路国家工程实验室 和仁川韩国研发中心），在欧美、亚太地区设有营销办事处，可与全球客户进行 紧密的技术合作并提供高效的产业链支持，拥有广泛的地区覆盖，因此公司在全 球拥有稳定的多元化优质客户群。

公司拥有具备国际化视野、先进经营管理理念及卓越运营能力的领导团队，如公 司董事长高永岗拥有 30 多年的企业管理经验；首席技术官李春兴有 20 年的半 导体工作经验；CEO 郑力在集成电路行业有近 30 年的工作经验。公司高级管理 层在专业性、学历背景与丰富经验方面都具有较强实力。

1.1.2、 股权激励助力人才培养，股东背景雄厚助力产业协同

大股东产业基金、中芯国际深耕产业，有望助力公司实现业务协同。截至 2023 年一季度末，公司第一、第二大股东为国家集成电路产业投资基金股份有限公司 和芯电半导体（上海）有限公司，分别直接持有公司 13.31%、12.86%的股权。 两位皆于 2017 年作为战略投资者参与公司定向增发成为公司股东。国家集成电 路产业投资基金股份有限公司为国家为促进集成电路产业发展设立的战略型投 资机构，为长期投资者，其所投资的多家公司在业务上可与长电实现协同效应； 芯电半导体（上海）有限公司为中芯国际全资控股公司，中芯国际作为全球领先 的晶圆代工商，与长电科技产业链上下游关系密切，且对于公司技术培育具有重 要意义。 主要全资子公司：STATS CHIPPAC PTE.LTD.为星科晶朋，主营半导体封装设 计、凸焊、针测、封装、测试和布线解决方案提供商；JCET STATS CHIPPAC KOREA LIMITED（长电韩国）主营高端封装测试产品，主要进行高阶 SiP 产品 封装测试；江阴长电先进封装有限公司主营半导体芯片凸块及封装测试产品；长 电科技（宿迁）有限公司和长电科技（滁州）有限公司主营研制、开发、生产、 销售半导体、电子元件、专用电子电气装置。

设定 2022 年至 2024 年股权激励计划。公司于 2022 年设定股权激励计划，授 予中层管理人员及核心技术（业务）骨干 1382 人合计 3113 万股期权，行权价 格为 19.71 元/股。公司以 2020-2021 年两年营业收入均值及扣非净利润均值为 业绩基数，考核累计平均营业收入增速及累计平均扣非净利润增速，并根据两个 指标完成情况确定行权比例。2022-2024 年营业收入目标值（亿元）分别为 340.09、354.90、379.96，2022-2024 年营业收入行权触发值（亿元）分别为328.98、340.94、360.88；2022-2024 年扣非净利润目标值（亿元）分别为 28.02、 30.08、33.35，2022-2024年扣非净利润行权触发值（亿元）分别为25.79、27.50、 30.08。公司发行股权激励，有利于激发管理与业务骨干的工作积极性，推动关 键业绩指标的完成，同时也将激励人才群体的工作热情，有利于公司核心技术与 业务体系的稳定。

1.2、 并购谋求发展，封测龙头从“量变”到“质变”

1.2.1、 星科金朋整合顺利，规模及技术优势凸显

公司于 2015 年收购星科金朋。2015 年，长电科技、产业基金和芯电半导体合 计以 5.1 亿美元投资设立长电新科；长电新科和产业基金分别以 5.1 亿美元、0.1 亿美元再投资设立长电新朋公司，同时，产业基金向新朋提供 1.4 亿美元股东贷 款；长电新朋利用自筹资金 6.6 亿美元向 JCET-SC (Singapore) Pte. Ltd.出资， 剩余款项由银行贷款补足以收购星科金朋。 2017 年发行定增收购星科晶朋剩余股权，星科晶朋成为长电全资子公司。2017 年，公司以发行股份方式购买产业基金持有的长电新科 29.41%股权、长电新朋 22.73%股权以及芯电半导体持有的长电新科 19.61%股权，星科金朋从而成为 公司间接持股 100%的子公司。

星科金朋为国际技术领先的封测公司，拥有较为优质的客户资源。在先进封装 领域，公司具有 FC（倒装）、eWLB （嵌入式晶圆级球栅阵列）、TSV（硅通孔 封装技术）、3D 封装、SiP（系统级封装）、PiP（堆叠组装）、PoP（堆叠封装） 等在内的行业领先的集成电路封装技术，2015 年，星科晶朋的先进封装、焊线 封装、测试的收入占比分别为 49%、28%、23%，先进封装的营收占比较 2011 年 35%有较大提升，为公司收入占比最大领域，也是最大的竞争优势所在。客 户方面，公司主要客户为国际、国内知名的半导体企业，包括博通、高通、展讯、 SanDisk、Marvell 等，且公司与客户之间的合作较为稳定，整体客户资源优质。

星科金朋经管理层优化组织架构后，实现质的提升。在 2015 年至 2018 年期间， 星科金朋的上海厂因环保问题而迁入江阴，搬迁过程对产能造成影响，同时，由 于个别大客户订单的大幅下降以及周期性影响的叠加，整体收入规模保持平稳。 然而，经过 2019 年公司管理层的努力，撤除原星科金朋总部并将必要职能部门 并入工厂或集团总部，精简了组织架构，从而大大提高了生产效率并缩小了亏损。 到 2020 年，星科金朋实现了 0.23 亿美元的盈利，全面扭亏为盈，优化管理初 见成效。2021 年、2022 年，星科金朋快速成长，实现了收入和净利率的双升， 经营实力得到全面释放。通过这次收购，公司一举获得了星科金朋的研发技术、 客户资源和市场份额，增强了自身在半导体封测领域的竞争力。

1.2.2、 规模持续扩张，资本结构不断优化，财务表现亮眼

内生外延，双重驱动下实现高速成长。2013 年至 2022 年，公司收入从 51.02 亿元增长至 337.62 亿元，年复合增速为 23.36%；扣非归母净利润从-0.005 亿 元增长至 28.30 亿元。公司营收在 2014 年至 2017 年逐年提高，主要得益于收 购星科金朋，其在全球半导体封测行业市场份额提升。2018 年至 2019 年，公 司营收增速受中美贸易摩擦、4G 手机增长乏力等因素影响减缓。但随着新管理 层的加入，在精细化运作下，星科晶朋的业务顺利整合，叠加半导体行业周期上 行因素，公司 2020 年开始转亏为盈，且从 2020 年开始业绩步入快速增长通道， 扣非归母净利润于 2022 年达到 28.30 亿元历史新高。

2015 年至 2018 年期间，受全球经济放缓和中美贸易摩擦的影响，半导体行业较为疲弱，中国台湾封测企业起步较早，具有先发优势以及规模优势，其毛利率 水平表现整体优于公司，但随着 2019 年公司管理层对星科金朋的执行扁平化管 理，新建集团总部的供应链、精益生产、应用技术服务等功能，减少组织层次重 叠，运营效率和成本管控上有较大提高，再叠加半导体行业复苏，公司的毛利率 和净利率逐渐赶超中国台湾同行。

公司期间费用率持续下降，成本控制效果显著。2019 年至 2022 年期间，随着 收入规模快速增长，公司的销售费用率从 1.13%降至 0.55%、管理费用率从 8.55% 降至 6.56%、财务费用率从 3.70%降至 0.37%。研发费用率在 4%上下波动，公 司对研发始终保持重视，对销售、管理、财务费用等进行精细化管理，有效控制 了期间费用成本。 经营净现金流超过资本开支，财务质地大幅改善。2013 年至 2018 年期间，公 司的经营性现金流净流量低于公司整体资本开支，意味着公司需要通过借款或其 他方式筹集资金来支持运营和扩张，存在一定的资金压力。但在 2019 年至 2022 年期间，随着公司财务质地的较大改善和盈利能力的提升，长电科技的经营净现 金流开始超过资本开支，公司现金流充裕。现金流的改善有利于公司更有能力投 资于研发和生产等方面，从而提高公司的竞争力和可持续发展能力。

负债率稳步降低，财务实力获得释放。在 2014 年至 2016 年期间，公司因收购 星科金朋而需要筹集资金，因此发行了债券借款，有息负债从 34.14 亿元上升至 165.86 亿元，导致财务费用较高。然而，自 2019 年起，公司的有息负债及财务 费用开始逐步下降，截至 2022 年底，公司资产负债率为 37.47%，有息负债率 为 17.74%，资本结构得到了优化，财务成本得以减少。此外，公司经营性净现 金流充足，为有息负债的减少提供了资金基础，目前公司资产负债端已处于比较 健康的水平。

1.2.3、 先进封装厂体现较强成长，传统封装稳定市场竞争力

先进、传统封装技术齐备，产能布局国际化。公司主要产能分布在江苏、韩国 和新加坡三地，其中星科金朋在上述区域都有生产基地。区分主要产品，星科金 朋、长电韩国和江阴长电先进厂区拥有相对先进的封装技术，包括倒装基板、扇 出基板、凸点封装和芯片级封装等；滁州、宿迁和江阴老厂区主要生产 SoP、 QFN 和 BGA 等相对传统封装产品。

先进封装竞争力不断提升。2022 年，公司的三大先进封装技术子公司星科金朋、长电韩国和长电先进，收入占比达到 83.25%，而其他厂区的收入仅占 16.75%。 随着这三大子公司的产能和竞争力的不断提升，公司先进封装产品的收入贡献不 断提高。星科金朋在倒装和 eWLB 等高端封装领域具有优势，长电韩国为海外 大客户提供 SiP 产品，长电先进则在扇出型、凸点工艺方面具有竞争力。相比之 下，其他厂区则相对较为成熟稳定，产品具有成本低的特点，因此其价格竞争力 较强。

星科金朋体现出较强成本性及抗周期能力，传统封装厂区具备较强成本优势。 在2016年至2019年期间，星科金朋经历了个别客户订单下降、产区搬迁等影响， 但由于其具有先进封装技术和国际客户资源，随着管理层对业务整合进展和技术 升级步伐的加快，2020 至 2021 年实现了收入和利润的稳步增长，展现出较强的 盈利能力。同时，先进封装产品具有较高的技术门槛和客户黏性，这也使得星科 金朋在业绩表现方面呈现出抗周期性。长电韩国的收入波动较大，主要因其客户 结构较为单一，因此受到客户订单波动的影响较大。 相比之下，宿迁、滁州以及长电先进等产区的净利率在 2017 年后保持为正，随 着行业周期性波动而变化，在下游需求较好时，产能利用率较高，盈利水平较好， 这些产区相对较为成熟稳定，具有生产优势和成本优势，因此能够在市场中保持 竞争力。同时，随着公司先进封装技术的不断升级和优化，这些产区的产能和生 产能力也得以不断提升，为公司的未来发展奠定了坚实的基础。总体而言，公司 不断优化业务结构和技术水平，以应对市场的变化和挑战，从而提高公司的盈利 能力和可持续发展能力。

综上，随着 HPC、AIGC、5G 等对高端封装需求的增加，公司在先进封装技术 路线的布局和投入显现出较好成效，随着新能源汽车等行业对自动驾驶芯片和高 性能计算芯片需求的持续释放，先进封装领域的竞争将愈发激烈，公司在这一领 域已构建的技术基础，可能成为其维持竞争优势的重要条件。尽管公司的先进封 装和传统封装产品特点和发展阶段上存在差异，但两者在长电科技的产能布局中 发挥着互补的作用。先进封装联动高端客户，抢占先进封装芯片高地，而其他厂 区则可发挥成本控制与价格优势，共同应对行业变化，为长电科技的长期稳定发 展奠定了基础。

2、 行业：技术百花齐放，先进封装为成长动能之源

2.1、 技术：封装技术协同演进，Chiplet 推动先进封装 发展

2.1.1、 封装技术迭代，引领集成电路跨越发展“四面墙”

封装是芯片与 PCB 之间信息传递的桥梁。芯片加工完成后，芯片在空气中与各 种杂质接触从而对芯片上的电路产生腐蚀，进而使芯片的电气性能下降，甚至损 坏，而经过封装处理后的裸芯片便于装配及运输，因此封装具有把芯片的信号引 出到 PCB、散热及保护芯片等作用。从应用层面上来说，封装是芯片与 PCB 之 间信息传递的桥梁。 芯片的集成化、高速化驱动封装技术发展，带动 I/O 数量高密度化。随着集成电 路的快速发展，芯片尺寸越来越大，集成度和功能密度越来越高，工作频率越来 越快，封装作为芯片与 PCB 之间信息传递的桥梁，需要通过缩小节距来减少信 号延迟，通过增加 I/O（接入/接出）数量和引脚数量来增加信号带宽，即 I/O 的 高密度化。同时，封装也要适应便携式消费电子设备所带来的小型化趋势，IC功耗增大带来的高发热环境，以及可靠性、环保等要求。

封装技术从传统走向先进。半导体封测技术发展可分为 5 个阶段：1）第一阶段： 20 世纪 70 年代前，封装形式为直插型封装，代表技术为双列直插封装（DIP）； 2）第二阶段：出现于 20 世纪 80 年代以后，主要以表面贴装技术的衍生和针栅 列阵封装为主；3）第三阶段：进入 20 世纪 90 年代后，开始出现球栅阵列封装 （BGA）、芯片级封装（CSP）、倒装封装（FC）等；4）第四阶段：20 世纪末 开始，封装技术从二维封装向三维封装发展，出现了系统级封装（SiP）、凸点制 作（Bumping）、多芯片组封装（MCM）等技术。5）第五阶段：21 世纪前十年 开始出现硅通孔（TSV）、扇出型集成电路封装（Fan-Out）、三维立体封装（3D） 等。

先进封装为集成电路发展的破局之选。封装技术的发展史是芯片性能不断提高、 系统不断小型化的历史。但随着集成电路的发展，根据《先进封装技术的发展与 机遇》（曹立强），“存储墙”、“面积墙”、“功耗墙”、“功能墙”成为制约发展的 四大瓶颈： 1）存储墙：1996 年至 2020 年，处理器的计算算力每两年增长 3.1 倍，而存储 带宽每两年仅增长 1.4 倍，速递远落后于处理器，业界提出近存计算这一基于先 进封装的技术途径，通过超短互联技术实现存储器和处理器之间的数据近距离搬 运。 2）面积墙：当芯片制程相同时，通过增大芯片面积可以集成更多的晶体管数量， 从而提升芯片的性能，然而，芯片尺寸受限于光刻机的光罩极限；虽可用连接技 术推出大型芯片，突破光照面积，但成本极高，因此通过先进封装技术集成多颗 芯片是突破“面积墙”的低成本主流方案。 3）功耗墙：芯片算力越强，功率越高，2024 年单个 GPU 的热设计功耗将突破 千瓦级，由多个 GPU 芯片和高带宽存储器（High Bandwidth Memory， HBM） 阵列组成的系统，热设计功耗可能突破万瓦级，因此迫切需要采用更先进的冷却 技术。 4）功能墙：在一个单一的芯片或衬底上可以集成的功能是有限的，可通过多芯 片异质集成技术，将传感、存储、计算、通信等不同功能的元器件集成在一起。

2.1.2、 先进封装集体演进，互为依存与推动

先进封装涵盖多种技术，共同演绎。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、 晶圆级封装（WLP）、扇出型封装（Fan-out）、系统级封装（SiP）、2.5D 封装、 3D 封装等均被认为属于先进封装范畴，这些先进封装大量使用 RDL、Bumping、 TSV 等基础工艺技术，不同技术之前也存在发展阶段的递进，可根据需求选择 不同的解决方案，同时各项技术之间也具有融合的可能。互联技术为半导体封装 提供了电性连接的实现手段，水平方向主要有 RDL，垂直方向上主要有 TSV、 凸点/微凸点、混合键合等互联技术，技术之间存在相结合的可能，适配芯片设 计的复杂性。

晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装技术采用批量生产工艺制造技术，可以将封装 尺寸减小至 IC 芯片的尺寸，生产成本大幅下降，并且把封装与芯片制造融为一 体。一般来说，IC 芯片与外部电气连接是金属引线以键合的方式把芯片上的 I/O （输入/输出端口）连接至封装载体并经封装引脚来实现的。随着芯片的缩小及 继承规模的扩大，I/O 间距不断减小，当 I/O 间距减少到 70μm 以下时，引线键 合就不再适用，晶圆级封装技术应运而生，利用薄膜在分布工艺，使 I/O 可以分 布在IC芯片的整个表面而不仅仅局限于IC芯片的周边区域，成功解决了高密度、 细间距 I/O 芯片的电气互联问题。 扇出型封装（Fan-out）：晶圆级封装主要分为扇入（Fan-in）型和扇出型两种。 扇入型主要用于 I/O 较少的芯片，随着技术进步，芯片集成度提高，I/O 数急剧 增加， 扇入型封装已不能满足芯片面积内多层互联和密集凸点布局的需求，扇 出型封装应运而生。扇出型封装采用圆片重构增加芯片面积，然后应用晶圆级工 艺完成多层互联和凸点形成，最终切割得到可与外部互联的封装体。

倒装（Flip-Chip，FC）结构：常规芯片封装流程中包括贴装、引线键合两个关 键的供需，而 FC 则合二为一，直接通过芯片上呈阵列排布的凸点来实现芯片与 封装衬底的互联，由于芯片是倒扣在封装衬底上的，与常规芯片放置相反，故称 为倒装片。目前，FC 技术较为广泛的应用 Bump 互联技术。 2.5D /3D 封装：2.5D 封装和 3D 封装是高密度封装技术的两种不同形式，前者利用中介层实现芯片的平面展开和互联，后者实现芯片的真正垂直堆叠与互联， 皆为提高系统集成度的重要技术手段。

系统级封装（SiP）：是指将多个半导体芯片或无源元件集成于一个封装内，形 成一个功能性器件。它其实是在系统级芯片（SoC）的基础上发展起来的一种新 技术。SiP 封装提供最优化的功能、价格、尺寸，缩短了上市周期，系统封装可 以实现较高的性能密度、集成较大值的无源元件，是最有效的使用芯片组合。它 可以大大减少开发时间和节约成本，具有明显的灵活性和适应性。

封装技术在不同应用领域的优化方向主要是在集成度、成本、性能、可靠性等 方面进行平衡与选择，如： 1) 移动终端(手机、平板等)：要求小尺寸、低功耗和低成本。可以使用较为成 熟的扇出封装技术，采用低温共烧陶瓷基板实现高密度布线，并使用更低 成本的有机基板，这可以实现较高的集成度与性能，同时控制尺寸与成本。 也可选择 3D 封装等更高级技术提高集成度。 2) 高性能计算(服务器、数据中心等)：要求高速、高带宽和高可靠。可以使用 高速扇出封装技术，采用高频有机基板和先进互联技术(微波互联)，并选择 3D 封装等技术实现极高集成度。也可采用光互联技术进一步提速。高性能计算设备对封装技术的要求最高，但成本也更高。 3) 汽车电子：要求高可靠、抗振动与抗高低温。需要使用结构更加稳定可靠 的扇出封装和 3D 封装技术，选择更加耐热和防振动的基板材料，并采用更 高可靠度的焊料与互联技术，这些要求会导致成本上升，但可靠性得到保 证。 需要选择不同的封装技术与工艺来满足不同的应用需求，实现性能、成本与可靠 性的最佳平衡。

2.1.3、 Chiplet 与先进封装相生与共，创新发展

高端性能封装技术与 Chiplet 之间存在密切的相互促进与共生关系。Chiplet 异 质集成作为一种设计概念，指将单颗集成复杂功能的片上系统级芯片（SoC）离散成多颗特定功能的小芯片（Chiplet，又称“芯粒”），再采用封装技术将其整 合在一起，构成多功能的异构系统级封装（SiP），以持续提高器件算力，缩短产 品开发周期，提升产品良率，降低整体成本。Chiplet 理念依赖高端封装以实现， 又不断推动封装技术向更高端发展，两者的互动与共进在推动半导体技术发展的 同时，也大大拓展了系统设计的自由度与创新空间。

HPC、AI、云计算等应用推动高端性能封装需求。高性能计算、人工智能、云 计算、数据中心和 5G 通信的快速发展促使芯片技术不断提升，SoC 技术节点不 断前进，集成功能更复杂，制造成本上升。厂商将 SoC 的存储与处理单元分离， 利用 UHD FO、2.5D 和 3D 等高端性能封装方式重新组合，以实现最优计算性 能。YOLE 将 I/O 密度≥16 个/mm²，节距≤130μm 的封装技术定义为高端性能 封装，包括 UHD FO、嵌入式硅桥、2.5D 硅转接板、3D 存储堆叠和混合键合技 术，这些关键技术主要掌握在头部封测企业、先进晶圆代工厂和 IMD 手中，如 长电科技、日月光、安靠、台积电、三星和英特尔等。

近年来，受限于高端设备和材料的能力等，以 Chiplet 方式将处理芯片与存储 芯片封装集成的技术越来越重要，目前，TSMC、Intel、Samsung 等国际领先 的厂商均已发布相关产品，各类高性能封测具有代表性的平台分别如下：

1）UHD FO：超高密扇出型晶圆级封装，主要采用 SoC、RDL 技术，相较于高 密扇出型具有更高的 I/O 密度（16/mm2），更小的 I/O 间距（小于 128μm），以 台积电的CoWoS-R、InFO_SoW为代表性技术，其中CoWoS-R使用光刻技术， 可实现 5 层细线宽/线间距（2μm/2μm）的制作；

2）硅桥：又分为台积电的 LSI 和 Intel 的 EMIB 两条技术路径。EMIB 为 Intel 最具代表性的先进封装技术之一，是在有机基板中埋入若干超薄的、高密度的硅 桥，实现两两芯片的互联，可提供芯片间局部高密度互联，灵活放置在基板任意 需要互联的地方，不影响基板上其他线路的布局布线；

3）2.5D 硅转接板：Si 转接板能够实现异质芯片互连，满足高计算能力和高带 宽的要求，在 Si 转接板上，可制作尺寸小于 1um 的线宽和过孔，在满足超高 I/O 密度方面具有明显优势。2.5D 通常结合 TSV，FC，微凸点等技术，可分为有源 转接板和无源转接板两个路线：台积电的 CoWoS-S 为无源转接板，采用光刻和 大马士革工艺，在 Si 转接板制作亚微米级 L/S 的金属层，高效实现 HPC 与 HBM 连接；有源转接板是无源转接板的延伸，在无源转接板内部集成一些功能单元， 例如英特尔的 Foveros 即采用的有源转接板；

4）存储类 3D：主要结合 TSV、微凸点及混合键合等互联技术，以 SK Hynix HBM、 长存 3D NAND、三星 3D Stacked Dram 为代表，以 HBM 技术为例，第一代 HBM 由逻辑芯片和 4 层 DRAM 堆叠而成，利用 TSV 连接起来，存储器和处理 器通过无源转接板上的 RDL 将 HBM 逻辑芯片的端口物理层与处理器的端口物 理层连接在一起；

5）3D SoC：代表性平台为台积电的 SoiC 以及 INTEL 的 Foveros Direct。台积 电在 2019 年提出 SoIC 技术，其基于 TSV、微凸点和混合键合等技术，可实现 I/O 密度大于 10000/mm2 的封装。SoIC 将处理器、内存和传感器等几种不同类 型的芯片堆叠在一起，使封装模组体积更小、功能更强大，同时实现了低延时， 低能耗的目的。

2.2、 供需：产能转移与先进封装协同推动封测行业发 展

2.2.1、 供给侧：产业聚集中国，成本效益及规模经济凸显

从全球视角来看，封测产能集中在中国大陆和中国台湾地区。中国大陆和中国 台湾地区的劳动力成本和生产成本相对较低，在成本竞争上占据较大优势，全球 封测产业向成本更低的地区转移。此外，中国市场规模较大，需求量很大，这使 得中国封测企业可以实现规模效应，不断扩大产能和规模，从而进一步压减成本， 同时也吸引全球客户将更多订单转移至中国。

根据 Gartner 发布的 2022 年全球封测厂营收占比数据，中国大陆和中国台湾共 占据全球 75%以上的市场份额，表明已形成相对稳定的全球产业格局。在各公 司中，根据芯思想研究院（Chip Insights）发布的 2022 全球委外封测（OSAT） 榜单，2022 年长电科技全球市场占有率达到 10.71%，位居全球第三，排名前 两位的分别是中国台湾的日月光和美国的安靠。全球前十中的中国大陆企业还包 含通富微电、华天科技等，这些厂商的领先地位彰显了中国大陆和中国台湾在半 导体封测领域的竞争力，为全球半导体产业链的发展提供了重要支撑。

行业领军企业通过兼并收购策略，不断壮大市场份额与影响力，使得封测行业 的集中度保持在较高水平。日月光自 2019 年收购矽品精密以来，据芯思想研究 院（Chip Insights）数据表明，其市场份额大幅增长至 2022 年的 27.11%，多年 来牢固占据行业首位。智路资本在 2020 年收购联合科技后，成功晋身行业十强 之列。封测行业的龙头企业近年来积极推进兼并收购，实现产业整合，进一步扩 大市场份额与影响力。长电科技在收购星科金朋之后，与日月光和安靠共同成为 行业前三强。行业 CR3（全球市场占有率前三名的企业总和）多年来维持在 50% 以上，表明竞争格局相对稳定。有利于行业领军企业巩固市场地位，推动产业发 展和技术创新。

2.2.2、 需求侧：先进封装引领未来发展新机遇

全球封测市场呈现温和增长趋势。根据 Frost & Sullivan 的数据，2022 年全球封 测市场规模有望达到 642.5 亿美元，同比增长 4.00%，增速有所放缓，且预计 2022 年-2025 年复合年增长率（CAGR）将维持在 4%，呈现温和增长。 与全球市场相比，中国市场得益于产业转移而迅速扩张，增速明显高于全球水 平。根据 Frost & Sullivan 的数据，2022 年中国封测市场规模有望达到 2819.6 亿元人民币，同比增长 6%；预计 2022 年-2025 年的 CAGR 为 8%，中国封测 市场增速高于全球增速。这主要因为 2020 年疫情导致的“缺芯潮”使得半导体 产业向中国转移提速，且中国国内市场对于消费电子、汽车电子、通信等领域的 半导体需求持续增长，也推动了封测市场的发展。此外，随着 5G、物联网、人 工智能等新兴技术的快速发展，对高性能封测技术的需求也在不断增加。在全球 贸易摩擦、供应链安全等问题日益凸显的背景下，中国政府和相关企业都在推动 国产替代战略，以降低对外部供应链的依赖，国内封测厂商有更多市场机会，推 动市场增速。同时，中国市场相对分散，龙头企业通过并购等方式实现快速扩张， 进一步推动整体市场的高速增长。

中国先进封装市场增长迅速，未来中国在全球先进封装产业中的地位和作用或 将进一步提高。根据 YOLE 数据预测，2019 年-2025 年期间，全球传统封装年 复合增速约 2%，先进封装年复合增速约 7%，先进封装占总封装市场的比例或 从 42.5%提升至 49.4%，。尽管中国先进封装市场占总数的比例较低，仅为 14% （2020 年），但预计该比例将快速提高，到 2025 年将达到 32%，2021 年-2025 年中国先进封装市场的年复合增速将达 30.83%。下游需求的提高与变化在推动 先进封装产业升级发展中发挥着至关重要的作用，催生新技术，带来新产品，促 进了产业结构调整，使产业迭代更新保持在较快的速度。中国封测企业已具备相 当的竞争力，并且产业生态日益完善。在仍具有成本优势的前提下，中国先进封 装增速同样高于全球。

高端性能封装市场处于高速增长期，未来几年将迎来快速扩张。高端性能封装 市场规模迅速扩张，驱动力主要来自存储类产品与超高密扇出型封装。根据 YOLE 数据，高端性能封装市场或将从 2021 年的 27.38 亿美元增长至 2027 年 的 78.67 亿美元，年复合增速达 19%。其中，3D NAND Stack、HBM、3DS 等 产品于 27 年合计规模将达37.28亿美元，2021 年-2027 年复合增速分别为 29%、 25%、19%，是体量最大且增速最快的细分市场。超高密扇出型封装预计于 27 年规模达 18.82 亿美元，是市场份额最高产品。硅桥、硅转接板市场基数较小， 但也将保持较高增速。3D SoC 技术难度大，预计 2021 年-2027 年或以 28%的 速度增长，但总体市场规模仍较小。

2.3、 封测特征：景气导向，技术领先为竞争高地

2.3.1、 封测的管道属性—观察景气度的重要窗口之一

封测企业收入变化领先行业 1-2 个季度。通过拟合 A 股封测企业季度收入同比 与半导体销售额，以及中国台股封测企业月度收入同比与半导体销售额，可以发 现封测企业收入变化与半导体销售额变化之间存在较强的一致性。但封测企业收 入变化领先于半导体销售额变化约 1-2 个季度。例如，A 股封装企业季度收入同 比于 2019 年第一季度见底，而半导体销售额直至第二季度才见底。在当前这一 轮下行周期中，封测企业收入增速于 2021 年下半年达到高点，而半导体销售额 在 2022 年上半年见顶。

封测向上汇聚供给，向下直面需求，为观察半导体景气度的重要指标之一。封 测作为半导体产业链的下游，直接面向终端需求端，其对半导体芯片进行测试与 检验，保证其质量与可靠性，满足下游客户的使用要求。封测行业作为晶圆制造 的下游，紧跟上游库存及出货变化而变化，封测行业面向下游需求端，直接与其 进行产品输出与交互，其稼动率、技术路线等会根据下游主要客户的需求变化而 调整，二者之间存在强大的互动作用与配合机制。由于处在产业链的中间位置， 封测行业的产出变化会同时受上游供给变化和下游需求变化的双重影响，其业绩 表现可以快速反映半导体市场的整体供需变化，所以是观察半导体周期的重要指 标。

2.3.2、 封测的业绩变化—CAPEX 带来折旧压力，产能利用率决定盈 利水平

大陆封测厂增加资本开支应对产业升级和技术迭代。以长电科技为代表的 A 股 封测企业自 2015 年起开始加大资本支出，2015 年至 2022 年，长电科技、通富 微电、华天科技合计资本支出从 45.12 亿元上升至为 164.28 亿元，2015 年至 2021 年，日月光投控及力成合计资本开支从 65.26 亿元上升至 183.27 亿元。封 测行业作为重资产行业需要不断的产业升级与技术迭代，因此需加大研发投入与 设备更新，这导致其资本支出维持在较高水平。

封测企业较高的资本支出导致较大的固定资产折旧与摊销。较高的资本支出意 味着企业需要取得更多的固定资产与设备，导致后续较高的折旧费用，从而加大 成本支出，缩小毛利空间，影响最终的盈利能力，且如下游需求未能匹配扩张速 度，产能利用率下降会进一步加大平均成本，从而对盈利产生影响。

2.3.3、 封测的行业趋势—传统封装稳中向上，先进封装成长迅猛

封装技术与晶圆制造的双重突破，才能实现更高密度芯片集成与性能。摩尔定 律指出，晶体管的数量每两年翻一倍，这是晶圆制造技术快速进步的结果，通过 不断缩小工艺节点，晶体管的高密度集成成为可能。相比之下，先进封装技术的 进步速度相对较慢，每个大的技术进步节点间隔约四年，速度不及晶圆制造工艺。 要实现更高密度的芯片集成与性能，需要先进制程工艺和先进封装技术的双重突 破，单纯地依靠晶圆制造工艺的提高难以发挥应有的效果，也难以实现芯片的持 续微缩与成本下降。

芯片成本随面积增大、工位节点微缩成本大增。增大芯片面积可以集成更多晶 体管和更复杂的微体系结构，从而提高性能，但是，芯片面积受光罩极限的限制， 且芯片良率会随面积增加而下降。例如，据《先进封装技术的发展与机遇》（曹 立强），当芯片面积从 213mm2增加到 777mm2 时，良率下降了 33%。因此，芯 片成本会随面积增加而上升。从成品芯片的归一化成本看，与 45nm 工艺节点制 造的 250mm2芯片相比，16nm 工艺节点可以使每平方毫米成本增加 1 倍以上， 5nm 工艺节点可以使成本增加 4-5 倍。因此，芯片的成本随尺寸的增大而增加， 芯粒异质集成技术已成为维持摩尔定律和超越光罩极限的一种有效方法。

先进制程发展拉动先进封装需求。据 IC insights 对未来晶圆产能的预测，10nm 以下制程节点增长最为迅速，占比提升的趋势最为明显。根据台积电在 2015 年 至 2022 年所披露的分制程节点收入数据，2019 年至 2022 年，其贡献主要收入 增长的制程节点为 5nm 及 7nm。随着先进制程工艺的逐步成熟与普及，更加复 杂和高性能的芯片需求也在增长，由于先进制程的推进，晶圆制造的成本不断增 加，封装技术也面临着新的挑战和机遇。因此，随着制程工艺的不断进步也将推 动先进封装技术发展加速，以适应更高密度、更高性能的芯片需求。

技术封锁下，先进封装在中国大陆半导体产业起着重要作用。IC Insights 的数据 显示，2020 年底，中国大陆 10nm-20nm、20nm-40nm、40nm-0.18μm、大于 0.18μm 制程占比分别为 39%、11%、20%、30%。与中国台湾、韩国、日本 等地区相比，中国大陆的先进制程占比较少。此外，只有中国台湾和韩国拥有 10nm 以下制程。由于地缘政治因素的影响，中国大陆的先进制程受到了封锁， 因此要实现对先进制程的追赶仍需时间。在这种情况下，先进封装可能会在未来 一段时间内发挥重要的作用。随着芯片集成度和性能的不断提高，封装技术将成 为满足市场需求的重要手段。

3、 周期拐点浮现，内外循环共同发力，先进封装与 传统封装双轮驱动

3.1、 低谷已过，高峰再攀，封测龙头或将受益于内外 双循环驱动

3.1.1、 行业景气度拐点已现，封测环节盈利能力有望提升

需求仍较疲弱，但环比有所改善，行业调整影响减弱。2022 年 2 月起，半导体 销售额同比增速进入下行区间，2023 年 3 月，全球半导体销售额为 39.83 亿美 元，较去年同期下降 21.30%，市场环境较为疲软，需求较去年同期下滑较快。 但与上月相比，销售额环比上升 0.33%，市场需求有所回稳，环比增速也由负 转为正，行业调整的影响开始减弱，未来市场有望继续回暖。

通过高级智能手机等终端设备的普及，5G、人工智能和虚拟现实等新技术得到 了广泛应用，这为半导体行业打开了重要的市场机会。与此同时，服务器和数据 中心也成为支撑这些新技术发展的关键基础设施。 在半导体行业的下游应用领域中，消费电子需求增长放缓，而新兴的需求更具 潜力。根据 ASML 数据，2022 年，全球消费电子领域（含智能手机、PC 及其 他）的销售额为 3300 亿美元，占总销售额的 53.31%，占比相较于 2020 年下 滑 3.26 个百分点，而以汽车电子、数据中心、工业电子等代表着新兴需求的行 业，预计于 2022 年-2030 年将以超 10%的年复合增速增长，其销售额占比或将 进一步提升。传统消费电子销售额份额或下滑，新兴的下游需求，如汽车电子、 数据中心与工业电子等增长势头强劲，呈现出较大的潜力。

根据 IDC 数据，2023 年 Q1 全球手机出货量为 2.69 亿台，同比下滑 14.49%，其中苹果、三星、小米、vivo 出货量分别下滑 2.35%、17.80%、23.56%、18.97%， oppo 销量同比持平。全球智能手机市场整体渗透率已经较高，继续不断释放的 需求空间相对较小，新机型的升级换代没有带来较强的购买激励，一定程度上削 弱了消费者的购买热情，导致市场增长乏力，因此全球智能手机市场增速放缓， 市场较为疲软。

自动驾驶与云计算的高速增长，为半导体行业带来广阔机遇。根据 IDC 预测， 2022 年全球自动驾驶汽车数量为 4357万辆，预计 2024 年将增长至 5420万辆； 2022 年云计算基础设施投资约 877 亿美元，预计 2026 年将增长至 1337 亿美 元，年均复合增速皆超 10%。自动驾驶汽车与云计算基础设施的发展，都对处 理器、存储器、传感器以及功率管理芯片等方面的需求数量产生了较大提高，这 两个行业的高速增长，为半导体带来了重要的市场机会。

产业持续去库存，产能利用率调整放缓。根据 SEMI 数据，IC 总库存于 2022 年 Q3 见顶，后续开始缓慢减库存，但目前仍处于较高水平，Fab 厂的产能利用 率也从 2022 年 Q3 的超 90%调整至 2023 年 Q1 的 75%-80%之间，预计 2 季度 产能利用率或将下调至 70%-75%之间，但斜率明显放缓。当前的市场低迷主要 因下游需求疲软和库存水平升高而加剧，然而，随着库存修正在 2023 年年中 结束，在库存需求回升的推动下，Fab 厂产能利用率可能会有所提高，预计下半 年或将出现温和复苏。根据中芯国际业绩说明会公告，2023 年二季度其产能利 用率有望回升，收入有望环比增加 5%至 7%，拐点已现。

下游客户结构趋于平衡，运算电子和汽车电子市场份额增加更快，有望驱动公 司未来业绩增长。2022 年，长电科技下游主要客户领域的收入占比为：通讯电 子 39.3%、消费电子 29.3%、运算电子 17.4%、工业及医疗电子 9.6%、汽车电 子 4.4%。与去年同期相比，消费电子占比下降 4.5 个百分点，运算电子占比上 升 4.2 个百分点，汽车电子占比上升 1.8 个百分点。长电科技在汽车电子领域市 场份额在提高，可能成为公司未来的新增长点之一；消费电子收入占比有所下降， 但由于其基数较大，绝对金额可能仍在增加；运算电子占比上升幅度较大，公司 在该领域市场机会和业务也在扩大。综上，公司将受益于消费电子的回暖以及新 需求带来的市场增长空间。

周期复苏、行业景气度回暖或将带动全产业链盈利能力提升。封测企业是观察 半导体产业景气度变化的重要窗口。由于属于重资产与高折旧的制造业，其产能 利用率的变化将直接导致业绩出现较大波动。通过观察长电科技与其他封测企业， 可以发现公司在产业上行周期阶段，净利率处于行业较高水平，而即使在 2023 年 Q1 相对底部的位置，长电科技的净利率仍保持正值，体现出其在产业中的核 心竞争力，公司基本面仍较为稳健，成本控制能力较强，具有抗周期能力。

3.1.2、 客户基础多元化，内外双循环驱动增长

客户基础多元化，合作关系稳定。从收入地区分布来看，公司的主要收入来源是 海外市场。自 2015 年并购了星科晶朋公司以来，公司的海外收入显著提升；截 止至 2022 年，海外收入已占总收入的 74%。公司的客户遍布全球，包括德州仪 器、苹果、加特兰微电子等国际知名企业，分布在通讯电子、消费电子、运算电 子、工业和医疗电子、汽车电子等众多行业。自 2018 年起至 2020 年，公司前 五大客户的收入占比逐年上升，三年内占比已超过 50%，公司与国内外大型客 户之间的合作关系稳定，订单规模的稳定性表现良好，有力地支撑了公司的业务 增长和市场份额的扩张。

疫情后海内外经济节奏或恢复趋同，公司有望受益于内外双循环驱动。星科晶 朋在新加坡、韩国和中国拥有生产基地，和韩国长电厂主要受海外行业周期性波 动的影响，而江苏的长电先进、滁州厂和宿迁厂则更深受国内因素的影响。由于 疫情的影响，2019 年至 2022 年海内外经济活动的恢复速度并不一致。在 2019 年至 2020 年期间，位于国内的子公司率先受益于国内经济的驱动，成为公司的 主要净利润来源；而在 2021 年至 2022 年期间，主要受益于海外经济的驱动， 星科晶朋和韩国长电的贡献对净利润有很大的推动作用。总体来看，公司的增长 在 2019 年至 2022 年期间是由单一周期驱动的。随着疫情的影响逐渐消退，国 内和海外经济将更具有协同性。星科晶朋的整合已经完成，公司在国内和海外都 拥有良好的客户基础。在下一个周期中，公司有望受益于内外循环的双重驱动。

3.2、 先进封装有望突破技术封锁，国内龙头企业加速 布局

先进制程芯片的制造面临较高技术壁垒，先进封装是我国技术突破的必然选项。 目前，国际上 7nm 及以下制程技术主要由 INTEL、三星和台积电掌握，即先进 制程制造能力集中在少数企业手中，而中国企业受美国技术封锁，需要时间进行 自主研发与替代，难以迅速跟上。因此，中国集成电路产业面临瓶颈，而先进封 装与测试技术成为突破这一局面的关键。中国企业可以利用较为成熟但低成本的 工艺节点，采用先进封装技术实现高密度集成与功能强大的产品，以符合应用需 求并降低成本。

长电科技已加入 UCIe 联盟。2022 年 3 月，英特尔、台积电、三星和日月光等 公司宣布成立 UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express），UCIe 是一个开 放的芯粒互连协议，旨在芯片封装层面确立互联互通的统一标准，满足客户对可 定制封装要求。在 UCIE 白皮书中，UCIe 规范囊括硅桥、扇出型中阶层、硅转 接板等类型的封装。长电科技作为中国大陆芯片成品制造领域的领军企业已加入 UCIe 产业联盟。

中国封测企业正在加速布局与 Chiplet 封装平台与技术。长电科技推出 XDFOI 平台，其中的 2.5D 平台为超高密扇出型封装，能实现 3-4 层高密度走线，应用 集中在 FPGA、CPI、GPU、AI 和 5G 等网络芯片等应用；通富微电推出 VISionS 平台，致力于在 HPC、SiP 及存储领域三大板块的布局，满足不同场景的使用 需求；华天科技的 3D Matrix 由 TSV、ESiFO、3D SiP 三大封装技术构成，提 供全面灵活的封装解决方案。中国封测企业顺应 Chiplet 趋势，纷纷推出对应平 台。

3.3、 经营行稳致远，传统封装或迎来周期拐点，先进 封装受益 Chiplet 迎来成长良机

3.3.1、 经营战略不断成熟，盈利能力持续释放

有息负债持续下降，资本结构不断改善。2019 年之前，公司的有息负债率处于 相对较高水平，主要因公司通过负债融资支持业务增长，后经公司改善经营管理 模式，有息负债率得到有效控制并逐年降低，目前已处于相对可比公司较低水平。 公司的有息负债获得良好覆盖，使得公司整体的资本结构更趋稳健与合理，这种 稳定性也使公司在行业周期性变化下具有较强的抵御能力。2022 年，公司的财 务费用率为 0.37%，处于行业较低的水平，公司能够以较低的成本获得资金支 持，体现了公司在资本结构管理与成本控制方面具有较强的管理和控制能力。

2019 年后盈利能力快步增长，周期下行阶段也体现出盈利韧性。2019 年后，随 着行业景气度提升以及公司产品结构的优化升级，公司步入了利润增长的快车道， 2022 年全年，公司实现扣非后归母净利润 28.30 亿元，创历史新高。进入 2023 年，尽管下游需求疲软，稼动率下降，可比公司已处于扣非后净亏损状态，但公 司仍保持稳定盈利。从 ROE 来看，公司于 2019 年后实现了 ROE 的快速提升， 达到同行业较高水平，主要得益于公司盈利能力的显著提高，体现出较强的资本 回报能力。

初期投入带来收获期，资本支出效率持续提升。在 2011 年至 2022 年期间，公 司的资本支出率(Capex/营业收入)总体下降，目前相较于可比公司处于较低水平。 这主要是因为公司在较早时期进行了较大规模的资本投入，为后续收入规模快速 增长奠定了基础。尽管资本支出的绝对值仍高于可比公司，但随着公司营业收入 的稳步扩张，资本支出率已经有所下降。同时，每单位资本支出带来的营业收入在增加，资本使用效率也在持续提高，公司的盈利能力有望进一步提高。资本支 出率反映了初期投入与后续收获的变化特征，这也使公司在经济下行压力下具有 较强的抵御能力。得益于公司较大的规模体量，公司的经营性净现金流领先可比 公司，为公司发展提供充足的先进支持，提高抗风险能力等。

3.3.2、 先进封装核心“玩家”，或将受益 Chiplet 需求的显著增长

公司拥有较为全面的封装技术布局，包含 2.5D/3D 集成、晶圆级封装及扇出技 术、SiP、倒装、焊线及 MEMS 等，其中行业领先的半导体先进封装技术有如 SiP、WL-CSP、FC、eWLB、PiP、PoP 及 XDFOI™系列等，同时公司具有混 合信号/射频集成电路测试和资源优势，可应用于 5G 通信、高性能计算、消费 类、汽车和工业等重要领域。公司在封装技术方面布局较为全面，可为各个领域 的客户提供高品质的解决方案。

星科金朋具有 eWLB 量产实力。在高性能封装方面，OSAT 厂的代表封装技术 为 Fan out 和 2.5D 封装。其中，Fan out 的典型技术为嵌入式晶圆级球栅阵 列（embedded wafer level BGA，eWLB），由英飞凌在 2014 年提出 ，通过 专利授权 ，在日月光、星科金朋（被长电科技收购）、Nanium（被 Amkor 收 购）等公司实现规模化量产。eWLB 助力打破“存储墙”在结构上 ，eWLB 通 过不断缩减 RDL 线宽（Line，L）/间距（Space，S），由 L/S 5μm /5μm 递 减至 OSAT 普遍使用的 L/S 2 μm /2μm；同时，RDL 的层数将继续增加，最 后由微凸点（凸点节距小于 55 μm ）实现 HBM 和 ASIC 芯片间的高密度互 连，打破内存对处理能力的限制。

XDFOI 技术为使用高密度 RDL、微凸点的高端性能封装，兼顾成本。长电科技 的 XDFOI（X Dimention Fan-Out Intergration）技术通过小芯片异构集成技术， 在有机重布线堆叠中介层（RDL Stack Interposer，RSI）上，放置一颗或多颗 逻辑芯片（CPU / GPU 等），以及 I / O Chiplet 和 / 或高带宽内存芯片（HBM） 等，形成一颗高集成度的异构封装体。从而得以实现以 Chiplet 为基础的架构 创新，而最终达到性能和成本的双重优势。此项技术可将有机重布线堆叠中介层 厚度控制在 50μm 以内，微凸点（µBump）中心距为 40μm，实现在更薄和更 小单位面积内进行高密度的各种工艺集成，达到更高集成度、更强模块功能和更 小封装尺寸。 长电科技 chiplet 平台 XDFOI 已实现量产。经过持续研发与客户产品验证，长 电科技 XDFOI™不断取得突破，已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等 领域应用，为客户提供了外形更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片 成品制造解决方案，目前 XDFOI™ Chiplet 高密度多维异构集成系列工艺已按计 划进入稳定量产阶段，同步实现国际客户 4nm 节点多芯片系统集成封装产品出 货，最大封装体面积约为 1500mm²的系统级封装。

3.3.3、 稳而有变，传统封装拥抱周期，先进封装凸显成长

先进封装占比持续提升，助力公司增强抗周期能力。根据公司更新的先进封装 产能统计标准计算，2022 年公司先进封装产品销量占比达到 35.14%，较 2021 年上涨 5.83 个百分点。这主要得益于公司积极灵活调整产品结构与产能布局， 优化产品组合，并加速向需求增长迅速的汽车电子、5G 通信、高性能计算和存 储等高附加值市场渗透。根据 2018 至 2022 年的销量数据来看，先进封装市场 在周期底部表现出较强的韧性。先进封装产品销量占比的进一步提高，有利于增 强公司的抗周期能力。

据美国半导体产业协会，2022 年，全球半导体销售额增速为 7.42%，而星科金朋的收入增速高达 26.84%，表现优于市场平均水平，主要得益于星科金朋在先 进封装技术方面具有较强的竞争优势，且海外客户收入占比较高，使其在市场下 行时也呈现出较强的弹性。长电韩国收入增速呈现出较大波动的特征，这主要是 因为其主要面向单一大客户，收入情况与该客户的业绩表现密切相关。在中国的 滁州工厂和宿迁工厂的业绩与半导体行业周期变化呈现出较高的相关性，当市场 需求疲软时，两工厂的业绩表现也受到较大影响。但当市场出现复苏时，两工厂 的产能利用率也将显著提高，业绩表现有望优于市场。 稳而有变—先进封装的韧性，传统封装的周期性。展望未来，在外部市场环境 方面，星科金朋的竞争优势与海外市场占比仍将为其带来抵御周期性下滑的能力， 长电韩国随客户新产品的推出，其收入也有望实现增长。而滁州工厂和宿迁工厂 在市场需求出现复苏时，也将有可能表现优于市场平均水平。

在当前复杂的国际环境下，先进封装技术成为中国半导体产业的破局关键，长 电科技也将深度参与其中。技术创新与研发是产业升级的内生动力，长电科技在 先进封装领域的技术突破可以引领产业链向更高端环节延伸，实现产业结构的升 级优化。这也将提高产业的整体核心竞争力。同时，技术实力强劲的长电科技可 以满足下游客户日益复杂的需求，有益于提高客户的依赖度与粘性，稳定公司的 产能利用率与订单，有助于公司在外部环境恶化情况下仍有望保持较好的业绩表 现。

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