2022年功率半导体龙头企业核心竞争力分析 新洁能成为中国半导体功率器件十强企业

1、 公司自成立以来，持续深耕于功率半导体设计

无锡新洁能股份有限公司成立于 2013年，2020年在上交所主板上市。公司自成立以来，始终专注于半导体功率器件设计， 具备独立的 MOSFET 和 IGBT 芯片设计能力和自主的工艺技术平台，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率 MOSFET 及超结功率 MOSFET的企业之一，也是国内最早在 12英寸工艺平台实现沟槽型 MOSFET、屏蔽栅 MOSFET 量 产的企业之一，在国内 MOSFET等功率器件市场占有率排名前列，2016年-2020年连续五年被中国半导体行业协会评为“中 国半导体功率器件十强企业”。

实控人为公司创始人，公司股权结构稳定。创始人朱袁正持有公司 23.34%的股份，是公司实际控制人，同时朱袁正分别与 叶鹏等 10 名股东签订了一致行动协议，因此可控制的股权比例为 26.72%。朱袁正先生是公司创始人兼董事长和总经理， 本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学 Computer and Power Engineering 专业，曾任职于中国 华晶电子、新加坡微电子研究院、德国西门子松下、无锡华润上华以及苏州硅能半导体等公司。朱袁正先生在半导体行业内 拥有长达 30 多年的研究和工作经历，发明设计的专利数量达到 97 项，同时掌握半导体工艺、器件设计及应用，拥有对半 导体功率器件行业和技术发展敏锐的前瞻性判断，是国内 MOSFET 等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者， 亦是公司实现产品产业化的核心人物。此外，其他主要股东还有业内知名投资机构达晨创投、国联创投、君熠投资等以及国 有控股上市公司上海贝岭。

公司是国内领先的半导体功率器件设计企业之一，主营业务为 MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售， 销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司通过持续的自主创新，在沟槽型功率 MOSFET、超结功率MOSFET、 屏蔽栅功率 MOSFET以及 IGBT等产品的设计研发方面拥有多项核心技术。

公司的产品系列齐全，主要的产品类型包括 600V-1350V 的沟槽型场截止 IGBT、500V-900V 的第三代超结功率 MOSFET、 30V-300V 的屏蔽栅功率 MOSFET、12V-250V 的沟槽型功率 MOSFET 等，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以 及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等领域。在销售模式上，公司主要采取直销为主、经销为 辅的方式，2019 年直销占比 57%，经销占比 43%。

图：公司主营业务模式

公司采用 Fabless 模式，专注芯片设计，定位于利用世界先进的芯片代工厂的技术和产能资源进行产品的芯片开发与代工生 产，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业华虹宏力、华润上华等进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试 企业长电科技等和全资子公司电基集成对芯片进行封测而成。2020年前五大供应商采购金额占年度采购总额的 84.09%，较 为集中。

从下游客户结构上看，公司客户结构较为分散，2020年前五大客户销售额占年度销售总额 15.98%。目前已拥有下游行业各 应用领域众多知名客户，标杆客户包括中兴通讯、富士康、宁德时代、海尔、美的、视源股份、星恒电源、宇视科技、长城 汽车、飞毛腿、公牛电器、晶丰明源、台达电子、拓邦股份等。

2、 功率器件占比提升，高端产品拉动业绩增长

得益于功率半导体市场景气度的不断上行以及公司自身市场竞争力的提升，近年来公司的营收和归母净利润均保持快速增长， 且净利润增速远高于营收增速。2016-2020 年，营业收入从 4.22亿元升高至 9.55亿元，营收年复合增速达 17.74%；归母 净利润从 0.36 亿元升高至 1.39 亿元，净利润年复合增速达 31.02%。 其中，2017至 2018年国内 8英寸芯片代工供应紧张，芯片代工企业自 2018年起纷纷提高代工单价，引致 2019年芯片代 工采购单价成本上升但销售单价相比 2018年有所回落，公司毛利率有所下降，当年净利润增速为负。2020年下半年以来由 于上游晶圆厂 8 英寸产能供不应求且下游多重需求旺盛，功率器件再次迎来缺货涨价潮，助力公司业绩进一步超预期增长。 2021 年前三季度，公司营业收入达到 10.99亿元，同比增长 65.05%；归母净利润达到 3.11亿元，同比增长 207.83%，主 要来自于收入增加和毛利率提升，积极开拓新兴市场和开发重点客户，持续进行结构优化。

从营收结构上来看，由于一般而言功率器件的毛利要高于芯片，近年来公司主动调整芯片和功率器件的比例结构，在不断提 高功率器件的业务占比，从而能够获得更多的产品毛利。2020 年功率器件营收占比已经从 2016 年的 44.28%提升到了 81.61%，相应的功率芯片占比则下降到了 2020 年的 18.39%。从毛利结构来看，功率器件在毛利中的占比也从 2016 年的 49.28%提升到了 2020 年的 83.64%，贡献了绝大多数的利润。

细分器件结构来看，沟槽型功率 MOSFET 依然是营收占比最大的细分品类，但增长速度相对有限。鉴于公司新产品开发能 力较强，产品导入市场速度较快，已经掌握了屏蔽栅功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、IGBT 等特色工艺技术，近年来 屏蔽栅功率 MOSFET和超结功率 MOSFET增速较快，对于营收的贡献在显著增长。其中，屏蔽栅功率 MOSFET 的营收从 2016 年的 3989.44万元提升到了 2019年的 18,852.43万元；超结功率 MOSFET从 2016年的 2,467.42万元提升到了 2019 年的 11,568.93 万元，有效拉动了营业收入的快速增长。

图：公司历年分产品营收结构

从基本财务指标来看，公司 2021年前三季度的利润增速明显超过营收增速，主要是源于毛利率的大幅提升。结合营收增幅、 净利润增幅、毛利率三者的变动来看，说明公司的盈利能力可能会受到行业景气度的影响而有所波动。公司作为 fabless 模 式的公司，定位于功率半导体中高端的 MOSFET 领域，毛利率是其研发设计和产品能力最直接的体现，并且营业成本中芯 片占比较大，营业成本的波动需要重点关注，因此毛利率是公司的重要指标之一。

从期间费用率结构来看，研发费用率在期间费用中占比最大，说明产品技术门槛较高，需要持续的研发投入。财务费用率为 负数且资产负债率不到 20%说明公司对资金的需求并不高，2021年经营性现金流净额超过了净利润也佐证了这一点，说明 公司现金流较充沛，盈利质量优，固定资产占比不高也与公司 fabless 的经营模式相符合。公司的净资产收益率达到 15%以 上， 2021 年 ROE 也有明显提升，说明公司的经营质量较高且盈利能力向好。

3、 功率半导体毛利率持续提升，盈利能力显著增强

在毛利率方面，半导体分立器件企业的经营业绩受下游市场需求、市场供求关系、产品技术水平、市场竞争情况等因素影响 较大。2018年受到下游市场需求持续增长，MOSFET缺货涨价以及公司不断丰富细分产品型号、调整产品结构的影响，公 司盈利能力大幅提高，毛利率整体呈上升趋势，增长至 31.63%。2019年受到中美贸易摩擦以及产品销售价格下降而代工成 本仍保持高位等因素影响，公司毛利率有所下降。2021 年前三季度，公司的毛利率创了历史新高，高达 38.9%，这主要是 源于 2020 年第三季度以来 MOSFET 等功率器件又开启了新一轮的缺货涨价潮，同时公司功率器件、中高端产品比例提升 带来的产品结构变化。

细分来看，近年来功率器件的毛利率逐渐超过了功率芯片。从产品种类来看，在功率器件方面，沟槽型 MOSFET 功率器件 毛利率最高，2019 年为 23.25%，屏蔽栅 MOSFET 与超结 MOSFET 毛利率略低，2019 年分别为 20.63%和 17.79%；在 功率芯片方面，沟槽型 MOSFET 功率芯片毛利率最高，2019年为 26.59%，屏蔽栅与超结 MOSFET 毛利率略低，2019年 分别为 17.48%和 22.79%。这主要是源于沟槽型已经较为成熟，而屏蔽栅与超结 MOSFET技术门槛高，代工成本也较高。 但从 ASP 来看，屏蔽栅与超结 MOSFET的芯片单价要远高于沟槽型 MOSFET 功率芯片，属于高价值量产品。在 2019 年 产品价格普遍下降的背景下，超结 MOSFET 依然处于逆势涨价状态，也说明了其价值量和市场需求的增长。 除了 2017年由于股份支付导致管理费用率较高之外，公司的期间费用率总体上较为稳定，因此净利率和毛利率的走势较为 一致，净利率的高低主要取决于毛利率变动的影响，随着规模效应带来的期间费用率的进一步下降，2021 年前三季度公司 的净利率也随着毛利率创了历史新高，达到 28.26%。

4 、研发团队高效精干，研发设计成果丰厚

在研发方面，公司的研发支出占营业收入的比重较为稳定，随营收稳定增长。此外，公司研发人员数量也在持续增长。2019 年下半年子公司电基集成逐步扩大经营规模、大力引进研发技术人才，有效提高了公司整体研发和技术实力。2020 年公司 研发人员继续升高至 71 人，占所有员工人数的32.42%。 公司研发团队整体高效精干，拥有多年产业链复合工作背景，研发人员在半导体行业内从业经验达 10 年以上，具有丰富的 产业链从业经验，深度把握 MOSFET等先进半导体功率器件的研发设计和工艺实现，具有深厚的技术实力和丰富的研发经 验积累。除了董事长朱袁正之外，董事兼副总经理叶鹏曾任无锡华润上华项目经理；董事兼副总经理王成宏曾任华晶电子生 产管理调度员，东芝半导体(无锡)有限公司制造课长；技术部项目处长李宗清曾任无锡华润华晶微电子公司研发工程师，中 芯国际失效分析工程师等。以朱袁正先生为领军人物的核心管理层是国内最早一批专注于8英寸晶圆片工艺平台对 MOSFET、 IGBT等先进半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，是公司持续技术创新的核心竞争力。

在核心技术方面，截至目前，公司拥有与 MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关的 135项专利，其中发明 专利 36 项，实用新型专利 95 项。此外，公司积极与东南大学等高校和科研院所开展产学研联合研发，提高研发成果转化 效率，同时在国际知名期刊中发表论文 13篇，其中 SCI 收录论文 7篇，不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技 术水平，缩小与国际巨头的技术差距。公司还开展对 SiC/GaN 宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化，进一步提前布 局功率器件最先进的技术领域，提升公司核心竞争力和市场地位。

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