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英诺赛科研究报告：氮化镓功率半导体龙头，引领三代半能源革命新风向。全球氮化镓 IDM 龙头，专注第三代半导体技术突破。英诺赛科是全球首家实 现 8 英寸氮化镓晶圆量产的 IDM 厂商，专注于 GaN 功率器件研发、制造与销 售。作为全球唯一覆盖 15V-1200V 全电压谱系的氮化镓功率半导体供应商， 公司聚焦 15V-900V 全电压产品线，覆盖消费电子、数据中心、新能源车及工 业电源等核心场景，2023 年以 42.4%市占率位居全球 GaN 分立器件出货量第 一，截至 24 年末月产能达 1.3 万片，并计划未来五年内将产能提升至 7 万片。

从消费电子到数据中心&汽车电子，定义功率半导体新标杆。传统硅基材料已 接近工艺极限，高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。GaN 功率 半导体各下游增长引擎明确，（1）消费电子：AI 手机等各类 AI 终端的渗透驱 动终端功率提升，GaN 方案较硅基体积缩小 70%，有望受益于快充小型化、 电源模块高密度化趋势。（2）数据中心：大模型迭代引领算力需求高涨，电源 转换效率是数据中心电力消耗的核心限制因素，算力需求的提高将逐步催化氮 化镓功率半导体在数据中心领域的落地。（3）机器人：氮化镓器件能实现更精 准的控制、减少开关损耗、尺寸更小，满足机器人对高效能、高可靠性和小型 化的需求。（4）汽车电子: 汽车智能化大势所趋，车规功率器件逐步向高压/高 频升级，氮化镓上车进程持续加速。

四大应用领域增长，构建清晰的业绩增长路径。（1）消费电子：公司氮化镓产 品深度渗透适配器、OVP 等消费电子核心场景，此外公司 VGaN 是全球首款 导入智能手机内部电源开关领域的氮化镓芯片。公司深度绑定消费电子头部品 牌，并积极布局音频功放、无线充电、家电等领域，进一步打开增量空间。（2） 数据中心：公司针对 PSU 及主板提供矩阵式产品。针对 48V 到 12V 的供电转 换，公司已于 25 年推出两款 48V 四相交错降压电源方案。目前已导入长城电 源等多家数据中心厂商。（3）工业&机器人：公司积极布局机器人应用，推出 100V/150V 全系列氮化镓产品，将广泛应用于机器人多个模块。目前相关产品 正与行业客户合作进行项目开发，其中 100W 关节电机驱动产品已顺利实现量 产。（4）汽车电子：随着自动驾驶渗透率提升及车载 LiDAR 前装市场爆发， 依托车规级认证的先发优势，有望在智能驾驶硬件标配化进程中持续拓展长期 成长空间。

IDM 护城河显著，产能规模提升有望带动盈利拐点。英诺赛科是全球首家实 现 8 英寸 GaN 晶圆量产的 IDM 厂商，公司自主把控设计、制造全流程，晶圆 良率超 95%，显著降低单位成本并规避代工供应链波动风险，在产品组合/封 装技术/可靠性方面也具备显著优势，构筑坚实壁垒。近期，公司与意法半导 体签署氮化镓技术开发与制造协议，产能互换有望提升供应链韧性。而从未来 的收入和盈利能力表现来看，随着 design-win 项目及客户增加，公司产能利用 率将逐步提升，亦将提高运营效率并优化成本，加速带动盈利能力拐点。