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英诺赛科研究报告：全球氮化镓龙头，产业进入快速成长期。全球氮化镓（GaN）行业龙头。英诺赛科是全球领先的第三代半导体氮化 镓功率器件 IDM 厂商，专注于 8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延与器件的 研发、设计、生产和销售。公司掌握从外延生长、芯片设计、晶圆制造到封装 测试的全产业链核心环节，是全球少数具备大规模量产 8 英寸 GaN 能力的企 业，技术实力与产业地位突出。

GaN 产业步入高速增长阶段，下游应用多点开花。GaN 作为第三代半导 体的关键材料，凭借其在高频、高效、高功率密度等方面的卓越性能，在消费 电子、数据中心、汽车、新能源发电、机器人等领域具有广阔应用前景，正持 续提升渗透率。根据弗若斯特沙利文数据，2023 年全球 GaN 市场规模为 17.60 亿元，2019-2023 年 CAGR 达 88.5%。

8 英寸 GaN-on-Si 量产技术与 IDM 模式构筑核心制造与成本壁垒。相 较于 6 英寸产品，8 英寸产品在成本和生产效率上更具优势；IDM 模式则有利 于技术的快速迭代和供应链的稳定可控。公司在全球率先实现 8 英寸 GaN-onSi 大规模量产，2024 年集团整体良率已超过 95%。公司 IPO 募集资金将有约 60%用于进一步扩大 GaN 产能，约 20%用于研发及扩大公司产品组合，约 10% 用于扩大公司全球分销网络。未来公司有望进一步巩固自身全产业链布局优 势，带动收入规模持续扩张。

市场份额提升彰显龙头气质，携手意法加速全球布局。 根据 Yole 数据， 2020-2023 年间，公司凭借自身在产品、成本、产能端的多方面优势，全球市 场份额从 7%大幅提升至 31%。2024 年，意法半导体为基石投资者参与公司 IPO 发行，并于 2025 年 4 月与公司签订协议开展技术联合开发，形成战略协 同。2024 年公司海外收入同比增长 118.1%，占比达到 15.3%。后续公司有望 依托于综合优势，进一步深化全球市场布局，不断提升市场份额。