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英诺赛科研究报告：聚焦氮化镓的第三代半导体领军企业。公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓（GaN-on-Si）研发与 产业化的高新技术企业，采用IDM模式，集芯片设计、外延生长、 芯片制造、封测于一体。公司产品涵盖从低压到高压（15V-1200V） 的GaN功率器件，已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度 高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED 照明驱动等应用与 多家行业头部企业开展深度合作并实现量产。GaN功率器件具有 高频、低损耗和高性价比等优势，根据公司招股说明书，预计全 球GaN功率器件市场将从2024年的32亿元增长至2028年的 501亿元，CAGR=98.5%，而消费电子和电动汽车将成为两大主 要应用场景。

公司在GaN行业保持领先的三大核心优势：

1）成本优势：相较于大多数友商的6英寸产品，8英寸在成本和 生产效率上更具优势。IDM模式有利于技术和工艺快速迭代，根 据公司公告，24年公司整体制造良率已超95%，处行业领先水平；

2）产能优势：下游客户重视供应链的稳定性，当全球地缘政治动 荡时，Fabless公司对晶圆厂的议价能力和供应会受到不同程度的 限制，公司在苏州和珠海均布局有生产基地，截至2024年末，公 司拥有全球最大的8英寸GaN功率晶圆生产基地，产能为每月 1.3万片，规模优势明显。公司于24年12月在港交所上市，发 行新股4536万股H股，发行价30.86港元，募集资金净额13.02 亿港元，募集资金主要投向扩大8英寸GaN晶圆产能；

3）客户和技术优势：公司主要客户涵盖了全球知名消费电子品牌、 数据中心运营商以及汽车和电动汽车制造商等。根据公司公告， 2024年，公司车规级产品出货量同比增长986.7%；AI领域48V 转12V产品量产，AI及数据中心产品出货量同比+669.8%，公司 在汽车和AI等新兴领域不断突破，核心竞争优势有望加大。