2021-2027年中国GANRF器件市场分析与投资前景研究报告.pdf
- 上传者：h********
- 时间：2021/07/29
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在过去的五十年中，射频（RF）电路经历了快速发展和技术演变，一共经历了四个时期。第一个时期，从20世纪60年代中期到20世纪70年代中期，其特点是使用二极管有源器件和波导传输线和谐振器。第二个时期的主要特点是使用了GaAsMESFET器件，通过连接诸如GaAsMESFET和二极管的有源器件来组装电路。第三个时期主要特点在于不断降低RF/微波固态电路的成本，尺寸和重量，遵循数字IC和模拟IC一样的路径，GaAs集成电路的制造技术于20世纪80年代中期开始出现，单片的MMIC集成电路取代当时存在的大部分陶瓷微带混合硬件。第四个时期随着无线应用场景需求的增多，降成本的需求促使基于Si工艺的RFIC取得快速发展，LDMOS工艺大陆应用于射频领域。现在也有新的变化，随着5G的高频特性，基于GaAs或GaN材料的射频芯片正在快速发展。
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