芯联集成研究报告:三步走,搭建车规级一站式芯片平台(功率半导体系列之4).pdf

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  • 时间:2024/09/27
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芯联集成研究报告:三步走,搭建车规级一站式芯片平台(功率半导体系列之4)。国内稀缺的一站式特色工艺平台,三条成长曲线递进。芯联集成专注功率半导体、传感信 号链、连接领域,拥有MEMS平台、功率芯片平台(IGBT、MOSFET、SiC)和大功率 BCD平台(模拟IC、MCU等)。

芯联集成团队在MEMS领域耕耘十多年,拥有丰富的研发和量产经验。2021/22年MEMS 收入分别为4.0/3.3亿元,主要产品有MEMS麦克风、压力传感器、加速度计、陀螺仪、 超声波传感器等。

车规功率模块优势显著,2023年IGBT芯片出货量国内第一,8寸SiC量产在即。芯联集 成聚焦车载、工控、高端消费三大领域,车规应用占比从2022年26%提升至1H24的48%。 1)1H24芯联集成在中国乘用车功率模块出货量位列第四。1H24中国乘用车功率模块装 机量达到616万套,同比增长57%。比亚迪半导体、中车半导体超过英飞凌,位居第一 和第二。2)1H24,芯联集成在中国乘用车SiC功率模块装机量排名第五,碳化硅收入同 比增长300%+。根据公告,截至1H24公司持续获得国内外主流车厂和 Tier 1定点,8 英寸SiC器件产品验证进度超预期,已获17个Design Win,30+个Design In。

高压BCD技术国际领先,完善从功率器件到模拟IC的车规芯片能力,构建第三成长曲线。 1)特色工艺强调特色IP定制能力和技术品类多元性的半导体晶圆制造工艺。截至2023 年,芯联8英寸硅基产能17万片/月,年平均产能利用率超80%;12英寸硅基1万片/ 月;6英寸SiC MOSFET逾5000片/月。2)1H24芯联集成新发布4个满足车规G0等 级的工艺平台,持续进行BCD工艺90nm与55nm技术节点的研发。截至2023年,公 司高功率BCD工艺技术覆盖0.18µm-0.09µm的技术节点,工艺水平已达国际领先;功 率驱动HVIC(BCD)平台,提供完整的车规代工服务。

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