新洁能研究报告：振裘持领乘行业之风，多管齐下挈功率之火.pdf

新洁能研究报告：振裘持领乘行业之风，多管齐下挈功率之火。国内领先的功率半导体厂商，中低压MOSFET和高压IGBT产品齐头并进。公司共有四大 产品平台，按照2024上半年营收占比大小依次为SGT MOS、Trench MOS、IGBT和SJ MOS。（1）MOSFET是全球功率半导体市场中占比最高的细分赛道，而中国拥有全球最大 的MOSFET市场，2024年占比42.61%，市场规模60.3亿美元，2026年有望达到69.5亿美 元，其中在中低压应用场景中，沟槽型MOS为主流选择，中高端应用中SGT MOS更有优 势。SJ MOS主要适用于高压场景。尽管MOSFET市场主要由英飞凌、安森美等海外龙头 主导，但近年来国内MOSFET厂商不断加速相关产品的国产替代，2024年沟槽型和超结型 MOS的国产化率分别有望达到49.70%和34.60%。公司MOSFET产品涵盖主流工艺，电压 覆盖12~900V，料号齐全，2023年公司MOSFET营收占国内MOSFET市场规模的2.97%。 （2）IGBT主要应用于高压低频场景，如光伏逆变器，IGBT在光伏逆变器中价值量占比15- 20%。2024年全球IGBT市场规模为75亿美元，2026年有望达84亿美元，年增长率在5%左 右。IGBT单管与模块市场基本由英飞凌、富士电机等占据，但国内厂商已完成“0-1”的 技术突破，正处于国产替代的增长阶段，2023年自给率上升至32.9%。公司2024年上半年 IGBT营收占比达16.2%，2023年公司IGBT营收占全球IGBT市场规模不足1%。覆盖电压 高达1700V，公司在光储领域国内单管龙头地位稳固，并在逐步发力模块产品，积极推广 第七代IGBT产品，在8寸和12寸晶圆全部具备量产条件。（3）公司布局第三代半导体相关 功率产品，目前SiC MOSFET系列产品部分已开发完成并进入小规模销售阶段，GaN HEMT已有部分型号通过可靠性考核，极大丰富了产品布局。

前瞻性地抓住功率半导体下游的关键需求，近年来依次优先布局了光伏储能、新能源车、 AI算力等赛道，坚持差异化与中高端路线。2024年上半年，公司功率器件下游工控自动化 占比42%，泛消费18%，光伏储能14%，汽车电子13%，AI算力及通信9%，智能短交通4%。 近年来，公司除了在传统的工控与消费类领域不断进行客户结构优化，还前瞻性地挖掘功 率半导体行业的新兴需求，在光伏储能、新能源车和AI算力领域优先布局，不断打造新的 成长曲线。（1）光储方面，公司于2021年开始重点发力，成功导入并大量供应国内的Top10 光伏企业，持续提升与阳光电源、固德威、德业股份等头部企业的合作规模，并与部分客 户签订了保供协议，成为多家龙头客户单管IGBT第一大国产供应商。（2）新能源车方面， 2021年起公司重点导入了比亚迪，实现大批量供应，同时也进入了多个汽车品牌的整机配 件厂，涉及到车身控制域、动力域、主驱电控、OBC等多个领域应用，截至2023年，公司 已推出200款车规级MOSFET产品，与比亚迪的合作转向直供，同时对联合电子、伯特利 等国内外头部Tier1持续规模出货。（3）AI算力方面，目前公司的相关产品已最终应用于 GPU领域海外头部客户并实现大批量销售，且更多料号已通过验证，未来将进一步快速增 长。

深度绑定前道晶圆代工厂商，后道封测由子公司与各大知名封测代工厂共同完成，虚拟 IDM模式打造优质护城河。（1）前道晶圆代工方面，公司目前是国内8英寸和12英寸工艺 平台上IGBT和MOSFET芯片投片量最大的半导体功率器件设计公司，是上游前道代工厂 华虹功率特色工艺代工产线的alpha客户，由华虹代工8英寸与12英寸硅基产品，目前8英 寸主要由华虹一厂、二厂和三厂负责，12英寸由七厂负责，公司与其关系密切，共同成长。 （2）后道封测方面，公司通过全资子公司电基集成建设了先进封测线，致力于研发与生 产国际一流同行已有、但国内无法找到代工资源的先进封装技术和产品，同时子公司金兰 半导体已建成先进IGBT模块生产线，截至2024年上半年，IGBT模块的封装测试产线已建设完成，计划开始按车规要求升级产线，满产后产能可达6万个模块/月。此外，公司与长 电科技、日月光、捷敏电子等知名封测代工厂合作，形成了较为突出的产业链协作优势。