功率半导体专题报告：功率半导体高地，IGBT国产新机遇.pdf
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- 时间：2020/02/10
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IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT 和 MOSFET 组成的复合功率半导体器件，既具备 MOSFET 的开关速度高、输入阻抗高、 控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有 BJT 导通电压低、通态电流大、 损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领 域开关器件的主流发展方向。
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