长存IPO募资加速NAND产线升级，存储产业链有望持续受益

全球第三大NAND原厂确立，技术架构引领行业迭代

长江存储作为聚焦3D NAND闪存及存储器解决方案的IDM存储企业，已成长为国内第一、全球第三大NAND Flash原厂。公司依托自研晶栈Xtacking架构，开辟了三维闪存技术新路径，为全球首批突破200层NAND存储芯片的企业之一。在3D NAND晶圆技术、产品技术多个环节达到国际先进水平，其第五代TLC、QLC 3D NAND闪存已实现量产，并同步推进第六代产品研发。公司采用IDM一体化经营模式，业务涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试及固态硬盘模组加工，构建了存储器完整全流程业务能力。股权结构方面，公司无控股股东及实际控制人，主要股东包括地方产业平台与国家级产业投资基金，这种多元国有资本协同结构为技术研发与产能建设提供了长期稳定的支持。

营收利润高速增长，盈利能力显著增强

受益于存储价格大幅上涨及产能释放，公司营业收入呈现快速增长态势。2023年至2025年营业收入复合增长率达83.60%，2026年第一季度实现营业收入470.42亿元，同比增长393.38%。从产品结构来看，存储芯片营收占比最高且逐年增长，2026年第一季度占比达51%；智能终端产品占比36%，主要应用于智能手机等移动终端；固态硬盘产品占比10%，涵盖企业级与消费级市场。盈利方面，公司综合毛利率和净利率逐年提升，2026年第一季度毛利率高达76.77%，净利率达71.18%。这一显著改善主要得益于NAND Flash产品售价上升及单位成本下降，同时期间费用率随营收规模扩大而呈下降趋势，研发投入虽维持高位但效率持续提升，推动公司从巨额亏损向大幅盈利跨越式反转。

三大产线协同满产，募投330亿助力技术升级

公司在武汉东湖新技术开发区建有三座12英寸3D NAND Flash晶圆产线，产能规模位居全球前列。目前一期、二期产线均处于满产状态，产能利用率接近100%，三期产线预计于2026年底投产，将进一步释放产能。为保持国际一流水平，公司计划募集资金330亿元，主要用于长江存储量产线技术升级项目及研发相关募投项目。其中，208亿元用于购置新设备和更新改造现有设备，推动现有代次产品向更高代次、更高性能演进；122亿元用于存储器领域的技术开发及前瞻性技术研究。此举旨在提升新工艺代高性能产品能力，优化资源配置，缩短开发周期，从而提升全球竞争力和市占率。

产业链受益逻辑清晰，关注设备材料与封测环节

随着长存IPO募资加速及产线升级，国产存储产业链有望持续受益。在存储原厂环节，受益于存储价格持续强劲及先进产能逐步释放，具备技术领先优势的原厂将享受景气周期红利。在设备、零部件及材料环节，国内存储原厂的高稼动率及持续扩产将带动上游需求增长，具备良好卡位的设备及材料厂商有望快速放量，国产化率将迎来大规模提升阶段。此外，代工及封测环节也将受益于配套芯片需求增长及Memory高叠层封装测试能力的提升，工艺平台完备、客户卡位良好的晶圆代工及封测公司值得关注。整体而言，短期关注存储价格周期波动，长期应重视技术升级带来的供应链验证机会及自主可控机遇。