天通股份深度：深耕铌酸锂材料卡位光互连新空间

电子材料为基，铌酸锂构筑新增长点

天通股份作为国内较早实现资本市场化的民营电子材料企业之一，业务布局涵盖电子材料、电子模组、智能装备及绿色能源等板块。其中，电子材料覆盖软磁材料、蓝宝石晶体、压电晶体及相关专用设备，是公司当前收入与利润的核心来源。随着公司业务重心向高端电子材料集中，晶体材料成为能力外延的重点方向。相比传统磁性材料，晶体材料更强调生长、切磨抛、薄膜制备和尺寸一致性能力，这为公司向高端电子信息材料延伸提供了坚实支撑。

在薄膜铌酸锂领域，公司近年来取得显著突破。2020年公司推出8英寸铌酸锂双抛片，2022年“声表面波器件用6英寸铌酸锂晶片”获国内首台套认定。2025年，天通凯巨成功研发8英寸光学级铌酸锂晶体，并制备12英寸光学级铌酸锂晶体。这些在铌酸锂晶体和晶片环节的突破，为后续参与LNOI/TFLN上游材料供应奠定了坚实基础。目前，公司电子材料制造及销售已成为收入和利润贡献的主体，业务结构明显向材料端倾斜，为薄膜铌酸锂业务的放量打开了增量空间。

高速光互连升级，TFLN打开成长空间

随着AI算力集群推动光互连由800G向1.6T、2.4T轻相干及3.2T升级，调制器对带宽、驱动电压、插入损耗和线性度的要求持续提高。薄膜铌酸锂（TFLN）兼具高带宽、低驱动电压和低光学损耗等优势，有望切入高速光模块、相干通信及NPO/CPO等高性能场景。TFLN的核心意义在于将铌酸锂优异的电光调制能力引入片上光子器件，通过薄膜化提升光场约束和光电作用效率，为高带宽、低功耗调制器提供材料基础。

在技术路线对比中，TFLN在高带宽、低驱动电压、低光损耗方面优势突出，对于200G/lane、400G/lane、高端测试仪器、相干通信、LPO/CPO光引擎和3.2T前瞻方案，TFLN是高速光互连升级中的高性能补充路线。虽然InP/EML和硅光仍是当前光模块产业链中的重要路线，但在更高速率、更低功耗和更高集成密度要求下，传统方案需要在驱动、热管理、插损和封装复杂度之间做更多权衡，这给TFLN提供了切入空间。特别是在2.4T轻相干和3.2T NPO场景中，TFLN有望成为解决链路损耗、功耗和成本问题的关键技术方案。

晶圆供给稀缺，下游验证持续提速

当前TFLN产业链上游呈现供需缺口凸显的局面。2026年全球8英寸薄膜铌酸锂晶圆年需求已超过50万片，而有效供给约30万片，供需缺口超过40%。大尺寸晶圆供给能力成为产业化的重要约束。上游核心价值在于晶体质量和薄膜晶圆加工能力，核心瓶颈在于离子注入设备导入和高能离子注入工艺的稳定性。国内企业已在TFLN晶圆环节占据全球主导地位，但8英寸及超低损耗晶体领域的国产渗透率仍有提升空间。

中游核心壁垒在于将“高性能样品”转化为“可量产器件”。TFLN调制器的材料优势需要通过波导刻蚀、射频电极设计、光电协同和封装耦合兑现。海外厂商如HyperLight已与代工厂建立量产合作，国内厂商如光库科技、铌奥光电等也正从验证走向批量交付。下游方面，AI算力驱动下的1.6T/3.2T光互连升级是关键增量场景。海外企业已围绕CPO场景推进TFLN方案验证，国内头部光模块厂商如中际旭创、新易盛、光迅科技等也已将薄膜铌酸锂纳入高速产品技术路线，TFLN有望在高速发射端方案中获得更多验证机会。

卡位大尺寸铌酸锂，构建核心竞争力

天通股份已形成6/8英寸量产、12英寸研发验证的铌酸锂晶圆产品梯队，是全球少数具备铌酸锂晶体批量生产能力的企业，也是国内唯一实现8英寸铌酸锂晶圆量产的上市公司。8英寸量产能力体现了公司在规模化交付上的稀缺优势，而12英寸研发验证则打开了长期成长空间。若后续实现稳定量产，将有助于提升单片可用面积和Die数量，降低单位制造成本。

此外，公司与青禾晶元开展深度合作，将自身晶体、晶片供应能力与异质集成键合工艺衔接。青禾晶元具备低损伤表面活化和高质量键合技术，双方合作有助于共同优化异质集成工艺，提升产品良率与性能稳定性。这意味着天通股份不只提供上游晶片，也有机会参与更高价值的工艺平台建设。叠加公司在标准制定、知识产权、研发投入及高端客户资源方面的积累，公司有望进一步提升TFLN材料平台的产品价值和供应链竞争力，推动薄膜铌酸锂业务逐步放量。