Tower半导体：AI硅光代工龙头与全球扩产机遇深度解析

AI硅光代工隐形冠军，成长与盈利拐点共振

Tower半导体作为全球领先的特色工艺晶圆代工厂，凭借硅光芯片与硅锗电芯片双平台切入AI数据中心高速互联核心环节。随着“射频基础设施”业务快速放量，2025年该分部营收实现显著增长，2026年第二季度营收创下历史新高，营收占比大幅上升。公司通过多Fab扩产、低价值产能退出及Fab 7权益提升，收入、毛利率及归母净利润有望进入加速期。预计未来几年，公司归母净利润将保持高速增长，当前股价对应的估值水平显示出其成长潜力。

硅光与硅锗双平台构筑AI光互联壁垒

AI算力带宽需求推动铜缆向光互联迭代，1.6T及NPO/CPO渗透有望带动硅光晶圆代工市场持续高增。CPO渗透率预计在未来几年内显著提升，硅光光模块市场占比也将大幅提高。全球硅光晶圆代工市场规模预计将以较高的复合年增长率增长，高速光模块、NPO/CPO持续打开行业增长天花板。Tower半导体在硅光代工市场占据领先地位，区别于其他竞争对手，公司唯一具备开放型“硅光+硅锗”协同量产平台，可同步制造光芯片与高速电芯片，客户认证壁垒高、迁移成本大。

硅光订单充足，扩产与重组打开利润空间

公司深度绑定英伟达、Marvell、中际旭创等产业链核心企业，截至2028年的规划硅光产能中，超过70%已被预订或进入预订流程，并获得客户预付款支持。上游锁定IQE磷化铟外延片长期供货，供应链风险可控。公司计划投入巨资扩充Fab 2、Fab 3、Fab 7及Fab 9的硅光、硅锗产能。Fab 7自2025年第一季度以来保持满产，预计2027年4月完成日本产能重组后，Tower对Fab 7的权益将由51%提升至100%，叠加产品组合向高附加值平台迁移，有望同步增厚归母净利润、EPS及经营现金流。

业务拆分：射频基础设施为增长主要推动力

公司业务主要由七大分部构成，其中RF Infrastructure和RF Mobile合计占比已超过60%。射频基础设施分部已成为公司最核心的增长引擎，该分部产品以硅光PIC和硅锗高速EIC为主，价值量及盈利能力优于传统成熟制程业务。随着AI数据中心带动高速光模块需求快速增长，硅光渗透率持续提升，新增硅光产能陆续通过客户验证并贡献收入。射频移动端分部营收下滑主要系公司主动产品结构优化及工艺平台迁移，而非终端需求显著恶化。显示传感分部业务逐步走出库存调整，机器视觉与汽车传感器带来增长基础。MS/CMOS收入下滑系公司推进“价值驱动型增长”战略，将成熟制程产能转向高附加值先进平台。

行业趋势：铜退光进化与模组CPO化

随着速率变高，铜缆信号的稳定性下降，光互联相较于铜缆在功耗水平上有较大优势。铜缆最终将向着可插拔模块、有源光缆以及共封装光学技术向光互连转型。CPO的核心优势在于降低高速电互连损耗、提升带宽密度并降低系统功耗。随着AI集群规模扩大，交换芯片速率持续提升，CPO通过将光引擎靠近交换芯片部署，大幅缩短电链路距离，可有效降低高速互连功耗。方案“硅光化”趋势明显，CPO推动硅光加CW激光器方案渗透率提升，传统可插拔DSP加InP模块占比趋降。

产能布局与全球化运营

Tower半导体凭借全球产能保障与全球化运营能力，可在以色列、意大利、美国、日本四大地理区域提供多晶圆厂协同生产方案。公司当前投入运营的晶圆工厂共计六座，硅光产能集中于Fab 2、Fab 3、Fab 7与Fab 9。公司旗下大多数Fab的稼动率均呈边际提升态势，Fab 7自2025年第一季度起满产。公司持续扩充硅光及硅锗相关产能，随着新增产线建设完成并进入量产阶段，预计将进一步提升整体产能利用率。通过“下游订单锁定+上游材料保障”双向布局，进一步增强硅光业务规模化发展的确定性。