2023年赛晶科技研究报告：乘国产替代之风，IGBT、SiC新贵扶摇直上

1、 赛晶科技——深耕功率半导体及创新技术，布局新 能源产业链

1.1、 自研 IGBT 未来可期，打造国产 IGBT 新名片

赛晶科技是业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集成商，也 是国际领先的创新研发型企业。公司成立于 2002 年，依托分销瑞士 ABB 半导体起 步。2009 年，赛晶科技成为中国北车集团 9600kw 电力机车的 IGBT 功率模块的唯一 国内供应商。2010 年 10 月，赛晶科技在香港主板上市。数年来，公司在四十余个高 压、特高压、柔性直流输电工程，以及风电光伏、电动汽车、工业电控等领域取得出 色成绩，成为多个领域的国内独家或主要供应商。2019 年，公司成立瑞士 SwissSEM、 赛晶亚太半导体公司，并启动 IGBT 自主技术研发生产项目，开启了公司聚焦 IGBT 并打造国际一流水平的国产 IGBT 芯片及模块的时代。2020 年，赛晶科技 IGBT 首款 产品正式发布。2021 年首条 IGBT 生产线竣工投产，i20 IGBT 芯片和 ED 封装 IGBT 模块实现量产。2022 年，i20 系列 1700V IGBT 芯片组、ST 封装 IGBT 模块以及集 成母排研发成功，并于 2023 年初正式推出。此外，今年两款车规级碳化硅模块：HEEV 封装及 EVD 封装碳化硅的研发进展顺利。

1.2、 股权结构稳定，顶尖技术团队发挥人才优势

公司股权稳定，项颉为实际控制人。赛晶科技创办人、董事会主席兼执行董事项 颉，为公司实际控制人，负责整体公司策略、规划及业务发展。赛晶科技主要附属公 司有：赛晶亚太有限公司、嘉善华瑞赛晶电气设备科技有限公司、无锡赛晶电力电容 器有限公司、赛晶亚太半导体科技（科技）有限公司、北京赛晶电力电子科技有限公 司、Astrol Electronic AG，上述公司影响年度业绩或构成集团资产净值的主要组成部 分。

高管团队经验丰富，助推企业业务进步。赛晶科技高管团队经验丰富，有成熟的 组织管理经验及相关专业能力，对集团的业务发展起到了不可忽视的作用。

强大技术团队助广泛吸纳技术人才，专家推进碳化硅研发。赛晶科技吸纳国内外 高端人才，拥有一支具有丰富经验的技术和管理经验团队。以功率半导体研发为例， 赛晶科技组建了来自国内外领军企业的技术专家团，为 IGBT 等功率半导体的研究开 发和生产制造提供了出色的技术保障。而且，高水平的技术专家队仍在不断增加。2023 年初，Lars 正式加入，负责 SwissSEM 碳化硅芯片研究与开发。Lars2014 年-2020 年担任瑞士 ABB 集团研发中心第三代功率半导体研发项目负责人，2020 年-2022 年 担任日立能源半导体（原瑞士 ABB 半导体）SiC 研发部负责人。

1.3、 两大业务集群涵盖新能源全产业链，多个研发制造 中心全球化布局

赛晶科技拥有两大业务集群——功率半导体及配套器件和前沿性电力电子技术。 功率半导体业务方面，赛晶科技拥有 IGBT 及碳化硅芯片及模块、层叠母排、阳 极饱和电抗器、电力电容器、电力电子电容器五大产品板块。IGBT 板块，i20 系列 1200V / 250A IGBT 芯片及 ED 封装 IGBT 模块已实现量产，1700V / 200A IGBT 芯片及 ST 封装 IGBT 模块也已正式推出，车规级 HEEV 封装碳化硅模块及 EVD 封装 碳化硅及 IGBT 模块研发势头良好。此外，在阳极饱和电抗器板块，赛晶科技拥有国 内唯一自主技术产品，为其在特高压直流输电领域奠定了领先地位。

前沿电力电子技术业务方面，公司主要涵盖灵活交流输电装置、固态交/直流开关、 智能电网在线监测系统、高功率脉冲装置及阻抗测量装置和系统。公司船用固态直流 断路器已获得中国船级社（CCS）及挪威船级社（DNV）双认证，并与七个欧洲及国 内客户累计签订涉及十二个项目，共计四十六台船用固态直流断路器的订单。此外， 公司也以前沿技术参与了国内和国外的多个大型粒子对撞机、可控核聚变、高端电力 实验室等科学研究项目。

公司通过海外研发中心以及国内制造中心合理进行全球化布局。赛晶科技拥有三 大海外研发中心：瑞士 Astrol、瑞士 SwissSEM 及德国 morEnergy，汇聚了国际一流 的研发团队与技术。国内则分别在北京、无锡、嘉善、武汉拥有成员企业。其中 IGBT 制造、技术中心位于中国浙江省嘉善县。一期项目占地 2.2 万平米。二期项目占地 5 万平米，规划建设多条具有国际一流水平的全自动智能 IGBT 生产线。

赛晶科技深耕功率半导体器件及创新技术领域超过 20 年，产品面向新能源生产、 传输、使用的全产业链。电力生产环节，赛晶科技为光伏、风电等新能源产业提供 IGBT 1200V、1700V 芯片/模块、层叠母排等高品质的功率半导体及配套器件。同时为新能 源发电场提供固态交/直开关、阻抗测量系统、灵活交流输电装置等创新技术。电力输 送环节，赛晶科技为超过 40 个高压、特高压直流输电工程提供了超过两万台阳极饱 和电抗器（国内唯一自主技术产品）、超过四千万千乏电力电容器（国内最主要供应商 之一）及数十套智能电网在线监测系统。在电力使用环节，赛晶科技为电动汽车提供 IGBT 及 SiC 芯片/模块、层叠/集成母排等多种产品，并与 BYD 等多家汽车领域客户 开展合作。

1.4、 研发投入持续增加，营业收入短期承压

输配电下游疲软致收入下降，IGBT 高投入短期影响利润。2022 年公司营业收 入 9.18 亿元，较 2021 年的 9.31 亿元略微减少 1.42%，2022 年归母净利润为 0.24 亿元，同比增长 55.16%。自 2021 年起，公司营收下滑主要系柔性直流输配电领域收入减少所致，输配电业务投资规模有所调整，2021 年起归母净利润的变动主要 由于收入减少，以及公司产品结构调整导致的研发和相关费用增加。2022 年公司 归母净利润有所回升，增速转负为正。

产品结构优化调整，高毛利产品比重减少。公司 2018 年-2022 年毛利率分别 为 33.74%、30.37%、34.04%、30.49%，28.48%。净利率分别为 16.28%、14.33%、 14.37%、1.99%、2.51%，毛利率有所下滑。2022 年毛利率减少的主要原因在于高 毛利产品比重减少及部分原材料价格上涨。2021 年归母净利润较 2020 年下降约 91.3%，主要由于综合毛利率下降和 IGBT 项目支出增加等因素的影响。

管理费用有所上涨。2022 年，公司销售费用为 0.69 亿元，同比增长 7.01%； 财务费用为 0.08 亿元，同比下降 26.02%；管理费用为 2.06 亿元，同比增长 5.11%。 研发投入持续提升，助力业务拓展及产品结构优化。2018-2022 年研发费用分 别为 0.54 亿元、0.62 亿元、0.70 亿元、0.84 亿元、0.90 亿元，同比增速分别为22.73%、14.81%、12.90%、20.00%、7.14%。研发费用占比不断提升，从 2018 年的 4.16%增加至 2022 年的 9.81%。2023 年 1 月，集团正式推出 i20 系列 1700V IGBT 芯片及 ST 封装 IGBT 模块。此外，2023 年公司将继续推进两款车规级碳化 硅模块：HEEV 封装及 EVD 封装碳化硅模块的研发。

输配电领域收入规模逐步降至 3.23 亿元，毛利率逐步攀升。2022 年公司输配 电领域收入 3.23 亿元，同比下降 40%，占公司营收比重由 2021 年的 59%减少到 37%。在毛利率方面，输配电毛利率领跑公司三大业务，2022 年达 41%。 电气化交通领域 2022 年收入大幅增长。2022 年，公司电气化交通领域收入 0.81 亿元，同比增长 119%，大幅增长主要原因系自主研发的 i20 系列 1200V IGBT 芯片及 ED 封装 IGBT 模块批量交付。2018 年-2022 年，该领域占公司营收比重总 体呈增长态势。毛利率方面，公司电气化交通领域 2022 年毛利率为 15%。 工业及其他领域收入增长，营收占比增加。公司工业及其他领域 2022 年收入 4.77 亿元，同比增长 43%。该领域占公司营业收入比重有所扩大，在 2022 年超过 了 50%。毛利率方面，工业及其他领域毛利率下降趋势放缓，2022 年毛利率为 20%。

2、 IGBT 国产替代趋势所向，技术优势助力赛晶科技 卡位黄金赛道

2.1、 新能源带动功率半导体发展，国产替代空间较大

2.1.1、 中国市场占比超四成，中国功率半导体发展未来可期

功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心，可通过半导体的单向导电性 实现电源开关和电力转换的功能，主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、功率 控制等。 功率半导体按器件集成度可以分为功率分立器件和功率 IC 两大类。功率分立器 件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类。常见的晶体管主要包括 IGBT、MOSFET、 BJT（双极型晶体管）。

全球功率半导体市场进入持续增长，中国市场占全球比例超 40%。根据 Omdia 及中商产业研究院数据，全球功率半导体市场规模除去疫情影响之下的 2019 与 2020 年之外，均展现出稳步增长的趋势。Omdia 预计 2023 年全球功率半导体市场规模将 达到 503 亿美元，2023 年中国功率半导体市场规模将达到 212 亿美元，占到全球份 额的 42%。

2.1.2、 IGBT——电力电子装备核心器件，国产替代迫在眉睫

IGBT（绝缘栅双极型晶体管），由双极性三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管 （MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT 按电压可分为低 压（1200V 及以下）、中压（1200-2500V）和高压（大于 2500V）三类，不同电压范 围对应消费电子、新能源汽车、轨交等不同应用场景。按照封装形式，IGBT 产品则 可以分为 IGBT 模块、IPM 模块和 IGBT 单管。

IGBT 被称为电力电子行业里的“CPU”，是能源变换与传输的核心器件。IGBT 的 主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换，同时具有 BJT 和 MOSFET 的优点，即高输入阻抗、驱动功率小与饱和压降低等。

IGBT 已经历七代发展，产品性能不断优化。IGBT 工艺与设计难度使其成为高 技术壁垒领域。自 20 世纪 60 年代以来，IGBT 技术经历了七次迭代，芯片面积和厚 度逐年减小，阻断电压等级逐年提升，向高稳定性、高可靠性发展。

国内 IGBT 行业迅猛发展，2022-2025 年 CAGR 可达 13.3%。根据集微咨询 《2022 年中国 IGBT 市场研究报告》中的数据统计，2022 年全球 IGBT 市场规模约 达 76 亿美元，同比增长 19%。预计 2023 年全球 IGBT 市场规模有望以 13%的增速 增长，达 86.2 亿美元。2022 年中国 IGBT 市场总规模达 321.9 亿元，预计 2025 年 市场总规模有望达 468.1 亿元，CAGR 为 13.3%。细分领域中，新能源汽车、风光储 领域 IGBT 增长趋势强劲。随着近几年国内 IGBT 领域的发展，国产 IGBT 技术的不 断精进，IGBT 行业将迎来国产替代浪潮。

海外大厂占据 IGBT 主要市场，国产化空间广阔。市占率方面，2021 年英飞凌在 IGBT 分立器件与 IGBT 模块领域中分别占到 28.9%和 33%，均位居首位。国内厂商 中，仅有士兰微和斯达半导两家企业，分别在 IGBT 分立器件和 IGBT 模块中跻身第 八和第六。中国 IGBT 市场空间较大，但目前国产化率仍然较低。近几年，在新能源行业快速发展的大背景下，国内厂商迎来历史性发展机遇，中国厂商市占率有望在近 几年迎来快速提升。

2.1.3、 IGBT 下游应用前景广阔，新能源兴起驱动行业发展

IGBT 下游应用前景广阔，新能源行业成为主要驱动力。IGBT 广泛应用于新能 源、汽车、工业、家电等领域。在政策驱动下，新能源车销量以及风电光伏装机量快 速增长带动 IGBT 领域迅速发展。自 2020 年以来，IGBT 下游应用中，新能源汽车占 比不断增加。2022 年，中国车用 IGBT 的市场份额已经超过工控，达到 39.3%，目前 已经成为 IGBT 下游第一大应用。2022 年中国新能源汽车 IGBT 市场规模达到 126.5 亿元，在 2025 年有望增加到 226.4 亿元，2022-2025 年 CAGR 达 21.4%。除此之 外，风光储也是 IGBT 下游一大强劲增长领域，2022 年中国风光储 IGBT 市场规模为 23.8 亿元，2025 年有望达到 45 亿元，2022-2025 年 CAGR 达 23.7%。

2.1.4、 碳化硅：碳化硅掀起行业变革，2022-2026 年行业规模 CAGR 达 35%

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体 材料。常用半导体材料可分为三代半导体材料:第一代半导体主要是硅基和锗基半导体； 第二代半导体材料是化合物半导体，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等为代表；第 三代半导体则是继第一代和第二代半导体材料之后，迅速发展起来的宽禁带半导体材 料，以同为化合物半导体材料的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN)为代表。

与传统材料相比，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越电气性能。相较于 硅，碳化硅拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频。因此，碳化硅更 适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的大功率器件，故碳化硅在高温、高频、强辐射 等环境下被广泛应用。以新能源汽车为例，SiC 功率半导体主要用于驱动和控制电机 的逆变器、车载 DC/DC 转换器、车载充电器（OBC）等。车载充电器和充电桩使用 SiC 器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小 型化和高可靠性。未来 SiC 将凭借其高压、大功率的优势，应用领域有望逐步由新能 源汽车扩展到轨交、工业等大功率应用领域。

2022-2026 年全球 SiC 功率器件市场规模 CAGR 有望达 35%左右。在新能源汽 车、光伏等市场兴起的背景下，全球 SiC 市场将迎来快速发展。根据 TrendForce 数 据，2022 年全球 SiC 功率器件市场规模达到 16.09 亿美元，预计到 2026 年市场规 模将达 53.28 亿美元，2022-2026 年 CAGR 达到 35%附近。

2.2、 赛晶科技——IGBT 技术国内领跑，智能化布局国产 替代

2.2.1、 公司介绍：2022 年 IGBT 模块产销约 7 万个，研发制造团队国 内领先

公司 2019 年启动 IGBT 研发，打造工业 4.0 全自动化智能制造。赛晶半导体公 司于 2019 年成立，自此启动自主技术研发；2020 年，赛晶科技发布 1200V IGBT 芯 片、ED 封装 IGBT 模块，生产基地建设同年动工；2021 年，第一条生产线竣工投产， IGBT 芯片、模块时间量产，开始客户送样测试；2022 年赛晶科技向电动汽车、光伏 风电等领域客户批量供货，全年产销 IGBT 模块约七万个，实现销售收入约 4000 万 元；2023 年发布 1700V IGBT 芯片、ST 封装 IGBT 模块发布，同年推进两款车规级 SiC 模块的研发。赛晶科技生产制作全部采用国际最先进的制造工业设备，全部自动 化制造流程设计，全部工艺环节无需人工介入，从而实现极高的工艺参数一致性、稳 定性，创造极佳的产品品质，带来行业领先的生产效率。

公司制造研发两大中心，领先技术推动国产替代。赛晶半导体的研发中心瑞士公 司坐落于瑞士兰兹伯格，制造中心嘉善公司坐落于中国嘉善，公司研发制造团队是世 界范围内功率半导体领域顶级专家团队，面向电动汽车、风电光伏、工控等中压应用 市场，致力于国际领先、国内稀缺的芯片技术，拥有高起点、高定位的模块技术，追 求以卓越品质实现国产替代。

2.2.2、 产品介绍： 芯片组技术国内领跑，新产品推出如火如荼

赛晶科技拥有国际一流水平的 IGBT 芯片及模块设计能力。赛晶科技以应用需求为基础，并以获得尽可能低的总损耗和应用可靠性为目的，开发出了 i20 IGBT 和 d20 二极管芯片组。其中 i20 IGBT 芯片采用先进沟槽栅技术，d20 二极管芯片采用先进 软恢复技术。2023 年 1 月 i20 系列 1700V IGBT 芯片组正式发布，1700V 是 IGBT 的 主流电压等级之一，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压 变频器等领域。赛晶科技 i20 系列 1700V IGBT 芯片组，基于经典的沟槽栅及场截止 芯片结构，并采用了窄台面、优化 N-型增强层、短沟道、3D 结构、优化 P+层等多项 行业前沿理念的优化设计，具有大功率、低损耗、高可靠性等卓越的芯片性能，代表 了国内同类芯片技术的最高水平。

i20 IGBT 芯片优化升级，d20 二极管芯片性能提升。i20 芯片低饱和压降 Vce （sat）和低开关损耗（Eon+Eoff），承载电流高达 250A/1200V，拥有精细沟槽元胞 结构以及场截止技术，优化了 N 增强层设计，实现了低沟道电阻和超薄基区设计。已 经量产的赛晶科技 1200V i20 芯片采用多项前沿设计，综合性能超过国外同类产品， 能够实现更高的功率、更低的损耗、更强的可靠性。d20 二极管芯片低正向导通压降 VF 和低反向恢复耗（Erec），能够与 i20 IGBT 芯片性能良好匹配，实现了先进的发 射效率管理，并进行了阳极扩散分布优化。作为首个对外销售大功率 IGBT 芯片的国 产企业，赛晶科技打破严重依赖进口芯片的“缺芯”困局，推动芯片领域的国产替代。

ED 封装模块采用赛晶科技自研芯片组，成功实现批量生产。1200V 和 1700V ED 封装模块采用赛晶科技自研 IGBT 和二极管芯片组，降低损耗，并提高 1200V 模块额定电流可达 2*750A。采用市场主流封装并采用先进的封装工艺和优质的封装工艺和 优质的封装材料，以保证模块高可靠性和长寿命等性能。ED 封装模块可广泛应用于 光伏逆变器、商用电动汽车、大功率马达驱动、输配电、储能变流器、风电变流器、 UPS 等领域。ED 封装 IGBT 模块作为首款 IGBT 模块，目前已经向电动汽车、新能 源发电、工控等领域的多家行业领先客户批量供货，并以卓越的性能和表现广受好评。

赛晶科技发布第二款工业级模块产品，ST 封装 IGBT 模块性能卓越。2023 年 1 月，集团正式推出 ST 封装 IGBT 模块，1200VST 封装模块采用赛晶科技自研 i20 IGBT和d20二极管芯片组，低电阻，其额定电流提升至2*800A，杂散电感低至10nH， 最高运行结温可高达 175℃。基于以上性能，模块能够允许系统输出更高电流、适合 高速开关应用，并且降低损耗，提升性能。同时，ST 封装 IGBT 模块采用行业标准外 形设计（62mm），具有极佳的通用性，是工业级 IGBT 模块中的主流型号之一，特别 是在光伏发电、低压变频器、UPS 电源、电机驱动、数控机床等领域，ST 封装 IGBT 模块具有广泛的市场需求。封装技术采用自主专利技术，并采用独特的封装工艺和优 质的封装材料，以保证高性能、高可靠性和长寿命的特点。

车规级 SiC 模块研发继续推进，助力未来公司发展。HEEV 封装的 SiC 模块为电 动车应用量身定做，以满足高功率、轻量化和高可靠性的需求，同时可以兼顾高性能 马达驱动的应用需求。HEEV 封装的创新设计，能最大限度的发挥 SiC 模块的出色性 能。此外，2023 年 1 月发布会还介绍了 EVD 封装 SiC MOSFET 模块，未来公司将 推出 SiC MOSFET 和 Si IGBT 两个版本，可以满足汽车市场不同需求。SiC EV 采用 1200V SiC MOSFET 芯片，适合 800V 高压平台应用，Rds(on)低至 1.8mΩ@25℃， 适用电驱功率高达 250kW，杂散电感非常小，适合 SiC 高速开关，模块体积非常紧 凑，有助于实现电驱轻量化。

模块内部设计创新优化，赶超同类产品。赛晶科技的模块技术采用行业通用的标 准外型，可实现 Pin to Pin 替代进口产品，并且内部设计的优化与创新，带来超越国 际同类产品的性能表现。目前 ED 模块 IGBT 已量产，并向国内多家下游客户供货， 其中包括国内销量领先的某电动乘用车客户和国内知名的某光伏领域客户。

新产品推出如火如荼，IGBT、SiC 新产品值得期待。2023 年在研发上，公司将 推进车规级模块 HEEV 和 EVD 碳化硅 MOSFET 模块，EVD 硅 IGBT 模块；推进第 七代“微沟槽”IGBT 芯片研发；加强碳化硅芯片研发团队建设（技术专家 Lars 已加 入），推进碳化硅芯片研发。此外，公司将继续推进 ED 封装 IGBT 模块的销售和推 广；启动 1700V 芯片及模块、ST 封装 IGBT 模块、车规级模块的市场推广、客户送 样工作；完成第二条模块测试生产线建设和调试，尽快形成批量产能。

功率半导体配套产品丰富。公司不仅在 IGBT 芯片与模块技术上有所布局，同时 也推出多款功率半导体配套产品，其中包括集成母排及层叠母排、阳极饱和电抗器、 电力电容器、电力电子电容器等。

2.2.3、 业绩表现：自研半导体收入可观，研发迭代步履不停

2022 年自研半导体收入同比增长 12 倍，IGBT 模块是自研半导体主要收入来源。赛晶科技 2022 年自研半导体获得来自电动汽车、光伏、储能等行业近 30 家客户的订 单，产销 IGBT 模块约 7 万个，实现销售收入 3970 万元，较 2021 年增长约 12 倍。 公司自研半导体收入主要来源于 IGBT 模块，2022 年自研半导体模块销售收入占比 达 76%，自研半导体芯片占 24%。在销售收入来源方面，电动汽车相关销售收入占 比达 58%，工控及新能源发电相关收入占 42%。

研发投入高位彰显发展决心，伴随产能扩充及新产品交付，公司业绩值得期待。 2021 年及 2022 年，赛晶半导体研发费用维持高位，同时人才团队扩张等因素致使各 项费用呈现上升趋势。研发费用及人员扩张均彰显了公司在半导体业务未来发展的决 心。2022 年伴随公司新产品释放，销售收入迎来增长，公司亏损规模迎来大幅收窄。 未来，伴随产能逐步增长及新产品的加速推出及交付，公司半导体业务规模及业绩值 得期待。

3、 乘风直流输电高峰建设期，赛晶科技行业领头地位 稳固

3.1、 特高压项目启动在即，柔直输电改变大电网发展格 局

清洁能源输送建设势在必行，特高压众多规划项目启动在即。2023 年国家电网、 南方电网有望启动 4 个特高压直流输电工程，包括：陇东-山东、金上-湖北、宁夏-湖 南、哈密-重庆。除了上述 4 个项目之外，规划中的 9 个特高压直流项目，还包括：陕 西-安徽、陕西-河南、蒙西-京津冀、甘肃-浙江、藏电送粤直流等 5 个特高压直流项 目。国网 “十四五”期间共计划建设 24 交 14 直，此外，还规划有粤澳互联、±800KV 新疆青海四端柔性直流电网工程等多个直流输电项目。公司为输配电工程提供智能电 网在线监测等电力电子技术，业务主要涉及特高压直流输电、柔性直流输电项目，2023 年有望实现输配电领域收入上升。

新型电力系统持续推进，公司技术升级不断推进。随着新能源装机规模迅速扩张， 未来逐步替代部分退役火电机组。“特别是在风光装机规模庞大的‘三北’地区，迫切 需要提升远距离输电能力，此外，‘十四五’期间，将核准开工的‘10 交 10 直’特高 压线路，对于在线监测、智能感知、数字化技术等装备也将释放出积极信号。面对智 能电网的转型发展，作为业内技术领先并深具影响力的电力电子器件供应商和系统集 成商赛晶科技旗下成员企业，朗德电气依托赛晶科技在固态开关、阻抗测量、在线监 测等前沿性电力电子技术为支撑，在变电、输电在线监测行业逐步积累了深厚的研发、 生产、调试、安装及维护经验，GOM GIS/GIL 局放在线监测系列、OSF SF6 气体在 线监测系列、EOM 电缆海缆综合监测系列在国内外众多大型工程在线监测领域应用成果丰硕，并借此实现了在智能传感、高精度数据采集、大容量数字逻辑算法、智能 识别算法、高精度时间同步等技术的超越。

柔直技术构建智能电网，改变大电网发展格局。柔性直流输电用直流支撑电容器， 也称为 DC-LINK 电容器。其通过为直流电压提供支撑、吸收波纹电流，实现稳定电 压和电流的作用，从而为系统稳定工作提供安全保障。新能源的高质量发展，为柔性 输电带来了较大的市场空间，在柔性直流输电技术中，其关键的柔直换流阀等关键设 备中，电力电子器件对进口产品的依赖性较高，仍存在核心技术受制于人、国产化率 偏低等问题，全国产化发展步履缓慢。

3.2、 赛晶科技—输配电行业龙头，产品对标国际一流水 平

2023 年开始新一轮建设高峰期，直流输电业绩有望大幅回升。赛晶科技输配电 业务包括特高压直流输电、柔性直流输电以及其他输配电三大板块。2022 年其他输配电业务（45%）占据大头，特高压直流输电（40%）仍保持较高比例，剩余 15%收 入则为柔性直流输电业务产生。2022 年由于疫情等因素的影响导致输配电市场整体 投资规模较低，直流领域无新增大项目，公司输配电领域收入被该领域拖累。但是， 随着 2023 年进入新一轮特高压直流输电建设高峰期，直流输电业绩有望大幅回升。 除去特高压直流输电、柔性直流输电之外，公司 2022 年的其他输配电领域的业务发 展形式良好：轨道交通、电动汽车、新能源发电、电气设备等领域，均实现不同程度 的增长。

赛晶科技的前沿性电子电力技术获得多项发明专利，具备国际领先的技术水平， 在新能源发电厂、工控、电气化铁路车辆等众多领域均拥有出色业绩。公司主要提供 的前沿性电力电子技术有：灵活交流输电装置、固态交/直流开关、只能智能电网在线 监测系统、高功率脉冲装置以及阻抗测量装置和系统。其中，赛晶科技的船用固态直 流开关（断路器）获得了挪威船级社认证以及中国船级社认证，是西门子船舶领域供 应商。此外，公司的阻抗测量装置作为新能源发电及新型电力系统安全运行的创新技 术更是获得国际发明专利，在海外新能源发电场得出色业绩。公司的高功率脉冲装置 也是拥有国际权威的技术团队，在国内以及海外多个项目中表现优异。

赛晶科技参与多个特高压直流输电、柔性低频输电示范工程，是中国直流输电装 备的核心器件供应商，该领域收入稳定可观。2010 年以来，公司供应的产品已参与了三十余个特高压直流输电、柔性直流输电工程，有力地保证了中国直流输电工程的 建设。2018 年以来，多个国家发改委核准的特高压直流电工程项目均有赛晶科技的 产品参与其中，例如：“雅中-江西”、“白鹤滩—浙江”“白鹤滩-江苏”等多个特高压直流 输电工程。随着 2023 年初“金上-湖北”、“陇东-山东”、“宁夏-湖南”三项特高压直 流输电工程的开工，以及多个“十四五”期间计划开工建设的直流输电项目，该领域收 入有望稳步增长。

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