电子行业深度报告：AI DC供电新方案有望助力SiCGaN打开成长空间.pdf

电子行业深度报告：AI DC供电新方案有望助力SiCGaN打开成长空间。AI DC 高压、高效成为重要趋势，HVDC、SST 等供电新方案需求方向明确。从通 算到智算，AIDC 的电力需求激增，高压、高效成为重要趋势。现有供电链路包含多 级 AC/DC 与 DC/DC 转换，层层损耗让效率降低，增加了故障点与维护负担。随着 单机柜功耗的不断提升，继续采用传统交流配电方案将推高下一代数据中心部署的 资本支出和运营成本。因此，更高效、更紧凑、更智能的供电架构已成为迫切需 求。基于提升数据中心供电效率的要求，英伟达联合产业链伙伴提出使用 800V HVDC 供电架构，有望大幅提升供电效率、节省电费。进一步地，SST 固态变压器 有望成为未来主流的供电系统变压方案。SST 通过电力电子技术实现能量传递和电 力变换，与传统变压器比，SST 具有效率更高、电力品质更好、模块化程度高、性 能稳定等优点，能大幅提升空间利用率和供电效率。SST 长期有望成为数据中心直 流供电变压方案的最佳选择，英伟达在 AI DC 白皮书中指出将 SST 方案作为远期供 电架构主流技术方案。

部分投资者认为 SiC/GaN 行业未来成长空间可能有限。根据 Yole和灼识咨询数据， 2024 年碳化硅在全球功率半导体中的渗透率为 4.9%；根据弗若斯特沙利文数据， 2023 年氮化镓在功率半导体中的渗透率为 0.5%。由于碳化硅车型在新能源车领域 的渗透率逐步迈向较高水平等原因，部分投资者认为宽禁带半导体未来需求成长空 间可能有限。

我们认为，HVDC、SST 等 AI DC 供电新方案对 SiC/GaN 器件需求提升，有望打开 产业成长空间。相比传统硅基器件，宽禁带半导体器件能提高电源功率密度，减小 变压器体积。未来 HVDC 供电架构中，SST、DC-DC 电源等环节对 SiC/GaN 均具 有较强确定性需求。英伟达已经宣布与纳微半导体、英诺赛科、英飞凌等多家 SiC/GaN 厂商合作。我们认为，SiC/GaN 在 AI DC 供电系统中的应用潜力尚未完全 挖掘，根据行家说三代半公众号及纳微半导体数据，到 2030 年应用于 800V HVDC 数据中心供电系统的SiC/GaN市场规模可达27亿美元。未来，AI算力设施SiC/GaN 器件需求有望持续提升，打开产业成长空间。