2023年中国IGBT行业研究报告.pdf
- 上传者：亿航
- 时间：2023/07/02
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2023年中国IGBT行业研究报告。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极型晶体管，其通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通；反之，加 反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如 交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
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